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公开(公告)号：CN108281378B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN108281378A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762 , B32B7/04
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN104641453A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN101644871B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200910164134.6
申请日：2009-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02F1/365
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/353 , G02F2001/3548
Abstract: 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。
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公开(公告)号：CN102137960B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980134190.3
申请日：2009-08-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C30B29/38 , B24B1/00 , C30B33/00
CPC classification number: H01L21/02021 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02013 , H01L21/02389
Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。
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公开(公告)号：CN102105835B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980128974.5
申请日：2009-07-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2202/101 , Y10T156/1075
Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
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公开(公告)号：CN1840472B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200610071559.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
Abstract: 制造金刚石单晶衬底的方法，其中单晶从作为种衬底的金刚石单晶通过气相合成生长，所述方法包括：制备具有主表面的金刚石单晶种衬底作为种衬底，其中该主表面的沿面取向落在相对于{100}平面或{111}平面不超过8度的倾斜范围内；通过机械加工形成许多不同取向的平面，这些平面的主表面的外周边方向相对于该种衬底一侧的主表面倾斜；然后通过气相合成生长金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN101361154B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200780001460.4
申请日：2007-09-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/065 , H01J37/073 , H01J2201/30407 , H01J2201/30411 , H01J2201/30419 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26 , H01J2237/3137 , H01J2237/3146 , H01J2237/31749 , H01J2237/3175
Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。
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