公开(公告)号：CN102084040A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125962.7

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。

公开(公告)号：CN102084039A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN102084039B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN102137960A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。

公开(公告)号：CN101440521A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177774.6

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氟化硅作为掺杂气体生长用硅掺杂的III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN101814699B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910178733.3

申请日：2009-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山浩二 ,  北林弘之 ,  荒川聪

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含GaN的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含GaN的半导体层上形成Al膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模层的步骤，该材料的蚀刻速率小于Al膜的材料的蚀刻速度；将掩模层用作掩模来形成隆起部的步骤；使Al膜的侧壁的位置相对于掩模层的侧壁的位置凹进的步骤；在隆起部的侧表面和掩模层的顶表面上形成由如下材料构成的保护膜的步骤，该材料的蚀刻速率小于形成Al膜的材料的蚀刻速率；以及去除Al膜并且从而去除掩模层和在掩模层的顶表面上形成的保护膜的部分的步骤。

公开(公告)号：CN101681828A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000140.6

申请日：2009-02-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 北林弘之 ,  片山浩二 ,  荒川聪

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于GaN的半导体层的步骤(S10)；在所述基于GaN的半导体层上形成Al膜的步骤(S20)；形成掩模层的步骤(S30、S40)，所述掩模层由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；使用所述掩模层作为掩模来部分除去所述Al膜和所述基于GaN的半导体层以形成脊部的步骤(S50)；使所述Al膜端部的侧壁位置从所述掩模层的侧壁位置后退的步骤(S60)；在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤(S70)，所述保护膜由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；以及除去所述Al膜以除去所述掩模层和在所述掩模层的上表面上形成的保护膜的步骤(S80)。

公开(公告)号：CN101442030A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177769.5

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC: H01L23/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10－4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少－30％且不大于30％。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少－16％且不大于16％。

公开(公告)号：CN103765531A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041697.6

申请日：2012-08-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中村悠一 ,  荒川聪 ,  新里刚 ,  尾山仁

IPC: H01F6/00 ,  H01F6/06 ,  H02K55/02

CPC classification number: H01F6/06 ,  H02K55/02 ,  Y02E40/622

Abstract: 提供一种其中损耗降低的超导线圈和超导装置。超导线圈（10）包括：内圆周线圈主体（12a、12b），所述内圆周线圈主体（12a、12b）起线圈主体的作用，围绕所述圆周内部线圈主体（12a、12b）缠绕超导线（15）；和第一磁体（13），所述第一磁体（13）起磁路构件的作用。所述磁路构件被布置成面对所述内圆周线圈主体（12a）的上表面，所述上表面被布置在其与所述内圆周线圈主体（12a、12b）中的所述超导线（15）的主表面交叉的末端表面侧处。所述第一磁体（13）用于形成磁路，以允许由在所述线圈主体中流动的电流所产生的磁通量环绕电流圆周。

公开(公告)号：CN102137960B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。