-
公开(公告)号：CN101174637A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610114189.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器，包括在SOI衬底的顶层硅上，制备了一个用于存储电荷的硅纳米晶库仑岛，以及一个用于探测存储电荷的硅量子线电导。硅纳米晶库仑岛与硅量子线电导相邻，共同由覆盖在表面的浮栅控制电流。硅量子线电导的电流还可以由侧栅单独控制。电荷通过硅纳米线通道进入硅纳米晶库仑岛上。在硅纳米线通道上制作两个控制单个电荷进入的相邻纳米金属围栅和一个用于存储电荷擦除的纳米金属围栅。本发明同时公开了一种具有侧栅结构硅基单电子记忆存储器的制作方法。利用本发明，使得每个电子的存储过程都依赖于量子库仑阻塞效应，并且存储电荷势场通过电容耦合作用于信号电流，从而探测到单电荷的存储信息。
-
公开(公告)号：CN117580367A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311567724.X
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种发射极与纳米管相连的纳米真空晶体管及制备方法，纳米真空晶体管包括：收集极，绝缘层，纳米管，发射极和栅极；收集极、纳米管和发射极设置在绝缘层的第一表面，纳米管的一端与发射极连接，另一端与收集极相对且间隔预设距离；栅极设置于绝缘层的第二表面，第二表面与第一表面为相对的两个表面；其中，绝缘层被配置为：减小栅极的泄漏电流；纳米管被配置为：在收集极、发射极和栅极分别被施加电压的情况下，向收集极发射电子，以及利用纳米管的长度来控制纳米管发射电子的一端与收集极之间的距离。
-
公开(公告)号：CN117410324A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311567696.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/73 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本公开提供一种具有弧形收集极结构的纳米真空沟道晶体管及制备方法，纳米真空沟道晶体管包括：收集极，绝缘层，发射极和栅极；收集极、发射极设置在绝缘层的第一表面，收集极与发射极相对且间隔预设距离，以形成真空沟道；发射极的端部形状为针尖状，收集极的端部形状为弧形；栅极设置于绝缘层的第二表面，第二表面与第一表面为相对的两个表面；其中，绝缘层被配置为：减小栅极的泄漏电流；发射极被配置为：在收集极、发射极和栅极被分别同时施加电压的情况下，向收集极发射电子。
-
公开(公告)号：CN112614865B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011479891.5
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/24 , H01L29/423 , H01L45/00 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料存储栅的无结硅纳米线晶体管，SOI衬底的顶层硅通过刻蚀形成纳米线结构、源区和漏区，纳米线结构表面覆盖有相变栅介质层，相变栅介质层上侧设置有第二绝缘栅介质层；第二绝缘栅介质层一端上侧设置有主栅电极，主栅电极通过第一接触孔与相变栅介质层连接，且主栅电极覆盖于纳米线上侧；第二绝缘栅介质层另一端上侧设置有副栅电极，副栅电极通过第二接触孔与相变栅介质层连接。本发明将相变材料作为栅介质制备在纳米线晶体管中，能够实现多值存储，同时可以作为电子突触器件应用于神经形态计算。此器件以无结硅纳米线晶体管为载体，具有与COMS工艺兼容，存储密度高，读写操作分离的优点。
-
公开(公告)号：CN110186447B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910465860.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备，该谐振式陀螺仪光波导芯片包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。本发明提供的谐振式陀螺仪光波导芯片具有高灵敏度、高可集成度、响应速度快、对加速度不敏感和制备工艺简单的效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223923B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201811417296.1
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/775 , H01L21/336
Abstract: 一种三维空间束缚单杂质原子晶体管，基于SOI基片制备而成，所述三维空间束缚单杂质原子晶体管，包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在所述硅衬底上；双V型凹槽纳米结构，制作在所述氧化物绝缘层上，双V型凹槽位于双V型凹槽纳米结构的两端之间；源区硅电导台面，位于所述氧化物绝缘层上，与所述双V型凹槽纳米结构的一端相连；漏区硅电导台面，位于所述氧化物绝缘层上，与所述双V型凹槽纳米结构的另一端相连；氧化物薄层，包裹在源区硅电导台面、漏区硅电导台面和双V型凹槽纳米结构的表面；栅极导电条，形成于氧化物绝缘层上，将双V型凹槽纳米结构的形成有双V型凹槽的部分覆盖，延伸方向垂直于所述双V型凹槽纳米结构的延伸方向；以及电极。
-
公开(公告)号：CN110148622B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201910370982.6
申请日：2019-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：源区、漏区，对称分布于一SOI衬底之上；一硅纳米线结构，位于SOI衬底之上，连接源区与漏区；一含杂质原子的硅纳米晶粒，镶嵌于硅纳米线结构(13)中间的梯形凹槽中。此外，该杂质原子晶体管还包括：绝缘介质薄膜层，制备于所述源区、漏区、硅纳米线结构及硅纳米晶粒的表面，用于作为绝缘和保护层；一栅极导电条，覆盖于所述硅纳米线结构之上的绝缘介质薄膜层之上；电极结构。本发明提出的基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，不仅能准确定义杂质原子的位置，还能提升杂质晶体管的工作温度。
-
公开(公告)号：CN110085673B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910370984.5
申请日：2019-05-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , B82Y10/00
Abstract: 一种杂质原子阵列晶体管，所述杂质原子阵列晶体管包括，SOI基片，包括硅衬底、氧化物绝缘层以及顶层硅，由所述顶层硅形成源区硅电导台面、漏区硅电导台面和V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线，其中：所述V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线连接所述源区硅电导台面和漏区硅电导台面，所述V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线具有阵列的多个V型凹槽，每个所述V型凹槽内形成单个杂质原子掺杂的多晶硅纳米晶。所述杂质原子阵列晶体管达到杂质原子数量和位置可控且室温下可以观察到量子效应的效果。
-
公开(公告)号：CN110491940A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910772038.3
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/265 , H01L21/335
Abstract: 一种基于共振隧穿的纳米线晶体管，该纳米线晶体管包括：SOI衬底、隧穿势垒结构、源区、漏区、纳米线、栅极、源电极、漏电极、栅电极和绝缘介质层。隧穿势垒结构位于SOI衬底的埋氧化层上，源区、漏区和纳米线通过刻蚀SOI衬底的顶层硅形成，纳米线位于源区和漏区之间，源区、漏区和纳米线之间不直接连接，通过隧穿势垒结构相连接，绝缘介质层形成于源区、漏区和纳米线表面，栅极形成于纳米线上方的绝缘介质层上，源电极形成于源区上，漏电极形成于漏区上，栅电极形成于栅极上。本发明公开的基于共振隧穿的纳米线晶体管的结构及其制备方法，减小亚阈值斜率，可以实现较大的导通电流和较小的源漏接触电阻。
-
公开(公告)号：CN109962107A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711346743.4
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的硅晶面依赖的纳米结构晶体管，该晶体管结构包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在硅衬底上；硅晶面依赖的纳米结构，制作在氧化绝缘层上；源区和漏区的硅电导台面，均制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅晶面依赖的纳米结构的两端并与硅晶面依赖的纳米结构两端连接，该硅晶面依赖的纳米结构和源区、漏区的硅电导台面形成类似工字形结构；氧化物薄层包裹在源区、漏区硅电导台面和硅晶面依赖的纳米结构的表面；栅极导电条，包裹在硅晶面依赖的纳米结构的氧化物薄层上，并垂直于硅晶面依赖的纳米结构。本发明同时公开了一种利用晶面依赖制作纳米结构晶体管的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.028 seconds)
