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公开(公告)号：CN119890910A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510062751.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种外腔半导体激光器阵列结构，涉及半导体激光器技术领域，用以解决常规散热方式难以满足外腔半导体激光器及其阵列的散热需求和热串扰问题，进而限制外腔半导体激光器及其阵列的输出功率和功率应用的技术问题。该结构包括：激光芯片，用于提供光增益；外腔反射镜，与激光芯片共同形成外部谐振腔，用于提供光反馈；外腔冷却液，填充于激光芯片和外腔反射镜之间，用于吸收激光芯片在工作过程中产生的热量；其中，外腔冷却液在激光器发射波长下的折射率与外部谐振腔的腔长相匹配，使得外部谐振腔能够满足谐振条件，从而实现激光输出。
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公开(公告)号：CN119009661A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411118632.8
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于半绝缘型碳化硅微通道的高功率VCSEL器件及其制备方法，该器件自上而下包括：高功率VCSEL芯片（1）；焊料层（2），用于连接VCSEL芯片（1）和微通道层（3）；单层微通道层（3），为半绝缘型碳化硅材料，包括通道层上表面（31）、微通道结构（302）和通道层下表面（32）；其中，通道层上表面（31）上设有键合薄膜（311）、焊接薄膜（312）以及设于两者之间的绝缘沟道（313），键合薄膜（311）与VCSEL芯片（1）通过引线键合，焊接薄膜（312）通过焊料层（2）与VCSEL芯片（1）连接；金属热沉（4），用于与微通道层（3）形成液体流通的通路，对VCSEL芯片（1）进行散热。
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公开(公告)号：CN117117626A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202211554220.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0237 , H01S5/183 , H01S5/02315 , H01S5/02 , H01S5/065
Abstract: 本发明提供了一种自锁模VECSEL锁模稳定的芯片封装装置、方法及控制方法，该封装装置包括：增益芯片，金属圆薄片，压力装置，所述压力装置设于所述金属圆薄片的下表面，用于产生压力使所述金属圆薄片和所述增益芯片发生形变，当所述增益芯片的表面形变焦距达到其中心形变的二分之一时，增益芯片非线性等效焦距增强，实现锁模稳定；其中，所述非线性等效焦距由所述增益芯片的表面形变自散焦焦距和其材料内部决定的非线性克尔透镜焦距组合成的微透镜组焦距来调节。该封装装置结构简单，操作方便，便于稳定自锁模脉冲的输出。该封装方法实现了低功率的状态下就能达到稳定的锁模，无需持续增加泵浦功率实现光强的增大达到稳定锁模状态。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN113049097A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110266423.8
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光功率测量装置，包括：微机电系统‑垂直腔面发射激光器、连接柱、受光平台、光谱分析模块和功率计算模块；微机电系统‑垂直腔面发射激光器包括外延结构和与外延结构连接的微机电‑布拉格反射镜；微机电‑布拉格反射镜通过连接柱与受光平台连接；受光平台受到入射激光的照射产生的辐射压力，辐射压力通过连接柱传送至微机电‑布拉格反射镜，以使得微机电‑布拉格反射镜发生位移；垂直腔面发射激光器产生的激射光透过微机电‑布拉格反射镜出射；光谱分析模块设置在激射光的光路上；光谱分析模块用于测量激射光的波长；功率计算模块与光谱分析模块电连接；功率计算模块用于根据激射光的波长计算入射激光的光功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111554567A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010418570.8
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，方法包括：将源物质置于指定气体中进行加热，使所述源物质蒸发，所述源物质包括砷化镉；将所述指定气体的流速调整至预定流速，以通过所述指定气体将蒸发出的所述源物质输运到与所述源物质相距预定距离的衬底上；其中，所述衬底上覆盖有多个相互分离的金颗粒，所述金颗粒通过在衬底上沉积预定厚度的金薄膜并进行退火后得到；金颗粒呈岛状，尺寸为亚微米或微米级别；对所述源物质进行降温，以使源物质在金颗粒上成核、结晶并生长，得到纳米线状狄拉克半金属砷化镉。通过本发明提供的方法，可以控制纳米线状狄拉克半金属砷化镉的直径和长度等尺寸，且制备方法简单可靠，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108109904A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711335666.2
申请日：2017-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L21/02381 , B82Y30/00 , H01L21/02562 , H01L21/02603 , H01L21/02631
Abstract: 一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，该制备方法包括：对源材料砷化镉固体粉末进行加热使其在规定的气氛下蒸发，蒸发出的源物质通过特定大小的气流输运到距离源物质一定距离的衬底上，在一定的加热时间内源物质在衬底上成核、结晶从而生长出纳米线状砷化镉。本发明的制备方法操作简单、成本低廉、安全可靠并且可以在一定程度上控制纳米线状砷化镉的形貌。
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公开(公告)号：CN107390299A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710649376.9
申请日：2017-08-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种空间光束相位调控器件。利用法布里珀罗谐振腔，来实现对入射光0到360度间任一度数的相位调控；利用介质衬底与介质包覆层，来为相位调控层提供保护与阻抗匹配；利用周期性阵列中不同谐振腔宽度对透射光产生不同相位延时，来实现空间光束相位调控。本发明利用厚金属超材料颗粒周期性阵列中的法布里珀罗共振实现对空间光束的相位调控，具有相位调控范围大、工作效率高、适应波段宽且器件结构简单易于制备的优点。
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公开(公告)号：CN107272216A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710649485.0
申请日：2017-08-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02B27/286 , G02B1/002
Abstract: 本发明提供了一种透射式金属超材料光束偏振分布变换器件，包括：介质衬底；金属超材料层，设置于介质衬底上；该金属超材料层包括金属颗粒周期性阵列；介质包覆层，设置于金属超材料层上；金属颗粒周期性阵列中的每个金属颗粒至少具有一对平行的光滑平面侧壁，用以在垂直于光滑平面侧壁方向的相邻金属颗粒之间形成法布里珀罗谐振腔；金属超材料层包含具有一方位角的金属颗粒周期性阵列，通过改变所述方位角调控入射光的偏振旋转角度；或金属超材料层包含具有不同方位角的多个金属颗粒周期性阵列，通过改变多个金属颗粒周期性阵列的空间排布方式变换入射光的空间偏振分布。该器件具有适应波段宽、工作效率高、器件结构简单且易于制备的特点。
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公开(公告)号：CN107238885A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710650278.7
申请日：2017-08-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G02B5/3083 , G02B1/002
Abstract: 本发明提供了一种金属超材料波片，包括：介质衬底；金属超材料层，设置于介质衬底上；该金属超材料层包括金属颗粒周期性阵列；介质包覆层，设置于金属超材料层上，用于提供阻抗匹配；其中，金属颗粒周期性阵列中的金属颗粒按矩形阵列排布；金属颗粒周期性阵列中的每个金属颗粒至少包含一对平行的光滑平面侧壁，用于在垂直于光滑平面侧壁方向的相邻金属颗粒之间形成法布里珀罗谐振腔。本发明一种金属超材料波片，具备了转换效率高、工作波段宽、易于集成化、易于制备的特点。
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