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公开(公告)号：CN113284790A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN1328347A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01120078.2
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器及实现方法。本发明半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔,由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层,用来进行光电转换,即把光信号转换为电信号。本发明的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线,同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN1165086C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01120078.2
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器及实现方法。本发明半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔，由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层，用来进行光电转换，即把光信号转换为电信号。本发明的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线，同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN113284790B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN2492945Y
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN01229462.4
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种特殊的具有平顶和陡边响应的半导体光电探测器。本实用新型半导体光电探测器具有多个高反射镜和由多个高反射镜构成的多个腔,由多个高反射镜构成的多个腔的光学长度都为或者近似为工作中心波长的一半的整数倍。由多个高反射镜构成的多个腔中的某一个腔中有薄吸收层,用来进行光电转换,即把光信号转换为电信号。本实用新型的结构的探测器可以获得平顶徒边的响应曲线,同时获得高的响应度和高的响应速度。
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公开(公告)号：CN117639958A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311379959.6
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于电反馈的光电混频系统，涉及光电技术领域，系统包括：光探测模块，用于：将接收到的光信号转换成电信号后，输出所述电信号；功率分配模块，用于：将所述电信号功率分配成两路，一路是输出信号，另一路是电反馈信号，将所述输出信号作为所述系统输出的射频信号，将所述电反馈信号通过电反馈回路反馈至所述光探测模块的偏置端；其中，所述光探测模块还用于：基于所述电反馈信号进行偏压调制操作和光电混频操作，输出增强的电信号。本发明形成了电反馈的系统，利用了对光探测模块的偏压调制和光探测模块的光电混频功能，实现了对输出射频信号的增强，有效提高了系统输出射频信号的强度。
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公开(公告)号：CN113249961B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110448844.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: D06M11/74 , D01F6/70 , D06M101/38 , G01D5/16
Abstract: 本发明提供基于导电纤维网络的柔性器件结构及其制备方法与应用，该柔性器件结构包括：导电纤维网络和封装所述导电纤维网络的弹性体材料；导电纤维网络中相邻的导电纤维之间相互连接、内部连通，从一根导电纤维的内部到达另外一根导电纤维的内部存在多条通路，且所有导电纤维沿轴向具有多个细管状的贯通性空腔从而使得横截面均为多孔隙结构，导电纤维被弹性体材料包裹。本发明提供的柔性器件结构解决了现有基于导电纤维网络的柔性器件功能单一、集多功能于一身困难的问题，可实现吸波、温度传感、应变传感、压力传感等多种功能并能集多种上述功能于一身，可用于人体运动监测、生命体征监测、姿态矫正、智能感知、电磁屏蔽等场景。
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公开(公告)号：CN114825041A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210376977.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。
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公开(公告)号：CN111999279B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010707325.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于小球阵列的柔性SERS基底及其制备方法，所述制备方法包括将形成在硬质基底表面的小球阵列完全埋入进柔性基底中，经软硬分离得到带有小球阵列的柔性基底，再通过去除部分所述柔性基底使得小球阵列从所述柔性基底表面暴露出来，在暴露出来的小球阵列的顶部区域沉积SERS活性层。本发明的方法制备工艺简单、快速、可控性与重复性好，无需传统光刻、电子束光刻、纳米压印等昂贵的微纳加工技术，无需对小球排布的层数进行控制，制备出的柔性SERS基底面积大(可达晶圆级)、成本低、均匀性好、抗弯折性能优，在高灵敏度柔性表面增强拉散射检测领域具有重要的应用价值。
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