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公开(公告)号：CN103882410B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410154760.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。
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公开(公告)号：CN104195629A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410412341.X
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种塔式多片外延生长装置，包括：一塔式片架，该塔式片架包括：三个立柱，每一立柱上开有凹槽，立柱上的凹槽有多个，三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组；托盘，其边缘厚度与每一立柱上的凹槽的高度相同，每个托盘可以稳定固定于一组凹槽中，托盘的个数与凹槽组数相同；其中将三个立柱等距竖立排列，使三个立柱分别位于一等边三角形三个顶点处，将托盘插入到立柱的凹槽内，形成多层、塔式装载的效果。本发明能够为单片直径达六至八英寸、单次装载量高达几十片的外延制备提供装置及方法支持，极大地提高工业化生产效率，如提高产能，提高气体利用率，降低能耗等。
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公开(公告)号：CN103882410A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410154760.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法。ALD设备包括盖板和与盖板配合的主体腔室，盖板的内表面设置有至少两个气路单元组，每个气路单元组包括至少一个气路单元，该至少两个气路单元组用于通入不同的反应源气体；每个气路单元包括第一气流通道、第一间隔层、第二气流通道、第二间隔层；第一气流通道用于通入反应源气体；第二气流通道用于将未发生反应的反应源气体抽出；第一间隔层设于第一气流通道与第二气流通道之间，第二间隔层设于第二气流通道和第三气流通道之间。本发明能够提高原子层外延的速度，节省单项工艺时间，调节原子层外延的生长速率。
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公开(公告)号：CN103441152A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310380403.9
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 一种沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法，其中沟槽型MOS势垒肖特基二极管，包括：一衬底；一外延薄膜，其制作在衬底上，该外延薄膜的中间有一凸台，该凸台的侧壁为平面；一保护环，其制作在外延薄膜的凸台的周围，并位于凸台周围的平面向下；一绝缘介质薄膜，其制作在外延薄膜的凸台周围的侧壁上，高度与外延薄膜的凸台齐平，并位于保护环上，位于保护环上的部分的高度低于凸台的表面，其断面为L形；一肖特基接触金属，其制作在绝缘介质薄膜的表面，并覆盖外延薄膜凸台的表面；一第一压焊块，其覆盖于肖特基接触金属的表面；一欧姆接触金属，其制作在衬底的背面；一第二压焊块，其制作在欧姆接触金属的背面，其可以进一步降低碳化硅电力电子器件的功耗。
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公开(公告)号：CN102304698B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110264570.8
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置，所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺，所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室，与真空室连接，该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路，该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内，分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通，用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路，位于真空室和晶体生长室内，分别与多个晶体生长腔连接，用于排出晶体生长尾气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101591803B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810113296.2
申请日：2008-05-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，包含：一密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口；两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两个三通过渡连接件的一端分别与该密封操作箱上的两个圆孔连接；两个石英管的一端分别与两个三通过渡连接件的另一端水平连接；两个进气法兰盘分别与两个石英管的另一端连接；两个热壁石墨腔室分别位于两个石英管内部的中央处；两个加热器分别套置于两个石英管外部的中央处，与两个热壁石墨腔室对应；一工做台用于放置上述各部件；一真空样品交接室的一端与密封操作箱的一侧壁连接，其下端有一个排气孔，该排气孔与外部的抽真空系统连接；一进样门位于真空样品交接室与密封操作箱连接处内侧。
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公开(公告)号：CN101591803A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810113296.2
申请日：2008-05-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，包含：一密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口；两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两个三通过渡连接件的一端分别与该密封操作箱上的两个圆孔连接；两个石英管的一端分别与两个三通过渡连接件的另一端水平连接；两个进气法兰盘分别与两个石英管的另一端连接；两个热壁石墨腔室分别位于两个石英管内部的中央处；两个加热器分别套置于两个石英管外部的中央处，与两个热壁石墨腔室对应；一工做台用于放置上述各部件；一真空样品交接室的一端与密封操作箱的一侧壁连接，其下端有一个排气孔，该排气孔与外部的抽真空系统连接；一进样门位于真空样品交接室与密封操作箱连接处内侧。
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公开(公告)号：CN101471637A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304221.8
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种的碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法。滤波器由两个结构尺寸完全相同的谐振器和中间耦合梁组成。该发明设计的射频滤波器的中心频率为谐振器的频率，其带宽由中间耦合梁决定。优化谐振梁结构尺寸可以得到高的谐振频率，同时优化耦合梁尺寸可以调整带宽。碳化硅优越的材料性能可以使器件应用于高温及腐蚀性等恶劣环境中；碳化硅高的声学速率可以提高器件的中心频率，增加频率选择性。本发明提出的碳化硅滤波器可以与集成电路工艺兼容，实现单片无线通信系统，满足射频通信系统高频带、微型化发展要求。
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公开(公告)号：CN101440481A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177782.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出了一种在氧化硅上制备低阻碳化硅的方法。本发明主要包括：(1)在衬底上生长氧化硅层；(2)在氧化硅上采用低压化学气相沉积方法生长碳化硅。碳化硅生长采用乙烯(或丙烷)和硅烷作为源气体，优化生长条件得到良好形貌的碳化硅层。同时采用原位掺杂的方法降低碳化硅的电学电阻，N型掺杂源气体为氨气或氮气，P型掺杂源气体为硼烷或三甲基铝。采用优化的生长条件在氧化硅上获得低阻且表面平整光滑的碳化硅膜层。该发明的材料结构可以用于微纳机械系统(MEMS和NEMS)中。碳化硅作为MEMS结构材料层，其优越的性能使得器件可以应用于高温以及抗腐蚀等恶劣环境中；碳化硅高的杨氏模量可以大大提高谐振器及滤波器的谐振频率，应用于射频通信系统中。
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公开(公告)号：CN101281862A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710065183.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。
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