-
公开(公告)号：CN117217319A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311255091.9
申请日：2023-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于概率比特电路的并行计算方法。该方法包括对待求解问题进行转换，得到与待求解问题对应的哈密顿量关系函数；将哈密顿量关系函数的多个节点映射在概率比特电路中，概率比特电路包括多个并行模块，并行模块包括多个概率比特，一个概率比特对应一个节点；利用概率比特电路对哈密顿量关系函数进行求解，得到哈密顿量；对多个并行模块中的多个概率比特进行随机次序更新，得到新的概率比特电路的状态；利用新的概率比特电路的状态对哈密顿量关系函数进行求解，得到新的哈密顿量；在哈密顿量或新的哈密顿量满足预设阈值的情况下，根据与哈密顿量或新的哈密顿量对应的多个概率比特的状态生成待求解问题的解。
-
公开(公告)号：CN112652706B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201910971139.3
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元，所述无需外部磁场辅助的自旋轨道矩。存储单元包括自旋轨道矩磁隧道结结构，该自旋轨道矩磁隧道结结构包括反铁磁绝缘层、位于所述反铁磁绝缘层上的重金属层、位于所述重金属层上的自由层、位于所述自由层上的隧道势垒层及位于所述隧道势垒层上的参考层、及位于所述参考层上的顶电极；其中，通过在所述重金属层中施加电流以产生自旋流。通过所述反铁磁绝缘层对所述自由层与所述重金属层之间的DMI进行调节，使得磁性层在无外磁场下，实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转，从而实现自由层的无外磁场辅助的磁矩翻转。
-
公开(公告)号：CN114122052A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111409016.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种纯电读写的磁性随机存储器及其制备方法，该存储器的结构包括衬底；磁记录部包括：自旋轨道耦合层，设置在衬底上；磁性隧道结，设置在自旋轨道耦合层上；两个电磁部，包括第一电磁部和第二电磁部，分别形成于磁记录部的两端；第一电磁部包括相互垂直的第一端部和第二端部；第二端部由磁记录部的一端延伸形成；第二电磁部包括相互垂直的第三端部和第四端部；第四端部由所述磁记录部的另一端延伸形成。
-
公开(公告)号：CN113629158A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110898961.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G01J3/02 , G01J3/28
Abstract: 本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。
-
公开(公告)号：CN113553028A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110821974.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统。其中，该方法包括：对目标求解问题进行建模转换以获取对应的哈密顿量关系；根据哈密顿量关系，获取概率比特电路的列哈密顿量；以及基于对概率比特电路的行翻转操作，对列哈密顿量进行并行退火迭代处理，以获得更新概率比特组态，实现问题求解优化。因此，相对于现有技术中传统数字计算机的问题求解，本公开实施例的方法通过基于概率比特电路的翻转操作，实现并行概率退火处理的大规模运行，从而实现对问题求解过程的优化，使得问题求解更为精确、快速且问题求解的适用范围更广。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488583A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110770061.6
申请日：2021-07-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种存储模式可切换的随机存储器，应用于数据存储技术领域，包括：两个电磁部，用于接入电流，磁记录部，设置在该两个电磁部之间，该磁记录部包括自旋轨道耦合层和磁性隧道结，该自旋轨道耦合层，用于在该电流的作用下，产生自旋流，该两个电磁部，还用于在该自旋流的作用下，产生两个磁矩指向相反的磁畴，该磁性隧道结，用于基于该两个磁矩指向相反的磁畴产生磁畴壁，钉扎区，设置在每个该电磁部与该磁记录部之间，截断区，设置在每个所述电磁部，位于与所述钉扎区相对的一侧，该磁性隧道结，还用于在该自旋流的作用下，驱动该磁畴壁进行往复运动，实现磁矩的定向反转，该电磁部还用于在该电流的作用下，使磁畴壁在其中湮灭。
-
-
公开(公告)号：CN110010637B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910292848.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，该存取器包括：一楔形自旋轨道耦合层；一磁阻隧道结，位于所述楔形自旋轨道耦合层上，包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。本发明提供的自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法，将磁阻隧道结设置于楔形的自旋轨道耦合层上，当在自旋轨道耦合层中通入电流源时，会在自旋轨道耦合层中产生自旋流和自旋流密度梯度，自旋流密度梯度引起一个自旋矩，导致磁矩在电流的作用下定向翻转，翻转的方向可以通过自旋电流源的方向控制，实现自旋轨道矩磁阻式随机存储器中磁矩的定向翻转。
-
公开(公告)号：CN110635024A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911034542.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于竞争自旋流控制磁随机存储器及其制备方法，通过对自旋轨道耦合层施加脉冲电压，由竞争自旋流产生的自旋轨道矩效应，控制磁隧道结中磁自由层磁矩产生180°翻转，实现信息的写入；通过测量磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，实现信息的读取。
-
公开(公告)号：CN109994599A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711498335.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种压电式磁性随机存储器及其制备方法，通过对压电层两端施加电压使压电薄膜产生形变，该形变转移到磁自由层中，控制磁隧道结中磁自由层磁矩发生90°或接近90°翻转，包括垂直隧道结中磁自由层的磁矩从垂直于层表面转向面内方向(Vertical to Parallel，V‑P型)，或磁自由层的磁矩在面内发生90°或接近90°翻转(Parallel to Parallel，P‑P型)，通过测试磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，进而实现信息的写入。本公开不再使用高密度电流实现磁自由层磁化翻转传统方式，有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.029 seconds)
