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发明公开
纯电读写的磁性随机存储器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN114122052A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111409016.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 , 盛宇 , 王伟阳 , 姬扬

IPC: H01L27/22 , H01L43/02

Abstract: 本公开提供了一种纯电读写的磁性随机存储器及其制备方法，该存储器的结构包括衬底；磁记录部包括：自旋轨道耦合层，设置在衬底上；磁性隧道结，设置在自旋轨道耦合层上；两个电磁部，包括第一电磁部和第二电磁部，分别形成于磁记录部的两端；第一电磁部包括相互垂直的第一端部和第二端部；第二端部由磁记录部的一端延伸形成；第二电磁部包括相互垂直的第三端部和第四端部；第四端部由所述磁记录部的另一端延伸形成。

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