-
公开(公告)号：CN104577712A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510017017.2
申请日：2015-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 一种提高量子阱载流子限制能力的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次制作n型限制层、下波导层、下n型掺杂层、量子阱有源区、上n型掺杂层、上波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将p型接触层和部分p型限制层采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，制作成脊型；步骤3：采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将衬底减薄、清洗；步骤5：在衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤6：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明可减小载流子的泄露，改善激光器性能。
-
公开(公告)号：CN104300367A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410564609.1
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种抑制GaAs基激光器高阶模的方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型高折射率插入层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型高折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在制作成脊型的上面生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明通过对高折射率层合适的掺杂来增加高阶模的光学损耗，提高高阶模的激射阈值。
-
公开(公告)号：CN104300365A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410563124.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型；步骤3：在刻蚀成脊型上生长一层氧化模，并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极；步骤4：将砷化镓衬底减薄、清洗，并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极，形成激光器；步骤5：进行解理，在激光器的腔面镀膜，最后封装在管壳上，完成制备。本发明可以提高激光器激射的单模特性，提高光束质量。
-
公开(公告)号：CN104201220A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410426193.7
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/035236 , H01L31/0392
Abstract: 一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上；一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上；一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层；一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上；一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上；一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。本发明具有增加入射光的吸收，并提高载流子的分离效率的优点。
-
公开(公告)号：CN103956653A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410204718.2
申请日：2014-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN波导层、p型AlGaN限制层和p型GaN接触层；步骤2：采用光刻的方法，在p型GaN接触层上面的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达n型接触和电流扩展层，使n型接触和电流扩展层的表面形成一台面；步骤3：在n型接触和电流扩展层表面形成的台面上制作n型电极；步骤4：在p型GaN接触层的上表面制作一p型电极，完成制备。本发明可以提高电子跃过AlGaN电子阻挡层的有效势垒高度，从而减小电子泄漏，提高GaN基蓝紫光激光器性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102735665B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210209958.2
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
-
公开(公告)号：CN103077964A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310020078.5
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法，该材料结构包括：衬底(1)；生长在该衬底(1)上的缓冲层(2)；生长在该缓冲层(2)上的n-GaN薄膜层(3)；生长在该n-GaN薄膜层(3)上的p-GaN薄膜层(4)；以及生长在该p-GaN薄膜层(4)上的重掺杂p-GaN薄膜层(5)。本发明是在p-GaN薄膜与金属之间插入一层很薄的具有大量缺陷的重掺杂p-GaN层，通过低温生长或者离子注入等方法使得重掺杂p-GaN层内拥有大量的缺陷能级，使得载流子可以通过变程跳跃或者缺陷能级辅助完成载流子输运，进而可以降低其与接触金属的比接触电阻率，改善p-GaN薄膜的欧姆接触性能。
-
公开(公告)号：CN102735665A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210209958.2
申请日：2012-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
-
公开(公告)号：CN105206725B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510522409.4
申请日：2015-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法，其中基于二维岛的InGaN量子点外延结构，包括：一衬底；一GaN外延层，其生长在衬底上；多个InGaN二维岛，其均匀生长在GaN外延层上；多个量子点复合层，生长在多个InGaN二维岛的上面，并覆盖InGaN二维岛。本发明是利用低温生长的二维InGaN岛作为量子点的成核中心，通过调整二维岛的生长温度和生长时间，可以较容易地实现对后续生长的InGaN量子点密度和分布的调控。
-
公开(公告)号：CN104600565B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510031845.1
申请日：2015-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.031 seconds)
