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公开(公告)号：CN102732955A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211614.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B23/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，包括：一支撑板(11)；四个金属针状样品夹(12)；一辅助样品夹金属板(13)；二个辅助样品夹金属板固定螺丝(14)；四个金属针状样品夹固定螺丝(15)；以及四个金属针状样品夹圆弧形滑槽(16)。本发明提供的用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，简单易行，对样品大小及形状没有限制、传热性能好、样品无遮挡。
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公开(公告)号：CN101662124A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810118963.6
申请日：2008-08-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列；一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。
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公开(公告)号：CN100391069C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510126478.X
申请日：2005-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型铟镓砷上波导层上；一n型铟镓砷高掺杂接触层制作在n型铟铝砷上包层上；一n型铟镓砷欧姆接触层制作在n型铟镓砷高掺杂接触层上；一SiO2电绝缘层制作在整个材料的上表面及双沟脊形结构的侧壁，该SiO2电绝缘层的之间为断开，形成电流注入窗口；一正面n型电极制作在SiO2电绝缘层上；一背面n型电极制作在n型磷化铟衬底的背面。
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公开(公告)号：CN1983750A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510126478.X
申请日：2005-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型铟镓砷上波导层上；一n型铟镓砷高掺杂接触层制作在n型铟铝砷上包层上；一n型铟镓砷欧姆接触层制作在n型铟镓砷高掺杂接触层上；一SiO2电绝缘层制作在整个材料的上表面及双沟脊形结构的侧壁，该SiO2电绝缘层的之间为断开，形成电流注入窗口；一正面n型电极制作在SiO2电绝缘层上；一背面n型电极制作在n型磷化铟衬底的背面。
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公开(公告)号：CN1960091A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200510117174.7
申请日：2005-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1824833A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510011351.3
申请日：2005-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23F1/16
Abstract: 一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；步骤2：将多孔磷化铟材料浸泡在权利要求1所述的该混合溶液中；步骤3：腐蚀掉多孔磷化铟表面的阻挡层以及部分多孔磷化铟层，将多孔磷化铟材料减薄。
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公开(公告)号：CN113991419B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111232392.0
申请日：2021-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
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公开(公告)号：CN114006267B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111310275.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
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公开(公告)号：CN113097861B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110344373.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。
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公开(公告)号：CN110993709B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201911313339.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109 , H01L31/111
Abstract: 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器，包括：衬底；下接触层，外延生长于衬底之上；周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及上接触电极，位于上接触层的表面；其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区和弛豫区；所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料。
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