公开(公告)号：CN118448499A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410578747.9

申请日：2024-05-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 翟慎强 ,  陈雨 ,  刘舒曼 ,  朱怡璇 ,  张锦川 ,  刘俊岐 ,  刘峰奇

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供一种甚长波量子级联探测器，包括：沿着第一方向依次堆叠的衬底、第一接触层、周期单元功能层和第二接触层；其中，所述周期单元功能层包括L个周期单元，L为大于2的整数，每一个所述周期单元包括：沿着所述第一方向依次堆叠的吸收区和弛豫区；所述吸收区包括沿着所述第一方向堆叠的一个第一势垒层和两个第一量子阱，所述一个第一势垒层位于所述两个第一量子阱之间；所述弛豫区包括沿着所述第一方向堆叠的M个第二势垒层和M‑1个第二量子阱，所述M‑1个量子阱交替位于所述M个第二势垒层之间，M为大于2的整数，且所述M个第二势垒层中任一势垒层的能量均高于所述第一势垒层。本发明能有效降低暗电流噪声，提升器件性能。

公开(公告)号：CN113241383B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110487994.4

申请日：2021-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱怡璇 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  梁平 ,  黎昆 ,  刘舒曼 ,  胡颖 ,  王利军 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  刘峰奇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09

Abstract: 一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。

公开(公告)号：CN113241383A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110487994.4

申请日：2021-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 朱怡璇 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  梁平 ,  黎昆 ,  刘舒曼 ,  胡颖 ,  王利军 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  刘峰奇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09

Abstract: 一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。

公开(公告)号：CN110993709B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201911313339.6

申请日：2019-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黎昆 ,  刘舒曼 ,  朱怡璇 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  王利军 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/111

Abstract: 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器，包括：衬底；下接触层，外延生长于衬底之上；周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及上接触电极，位于上接触层的表面；其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区和弛豫区；所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料。

公开(公告)号：CN110993709A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911313339.6

申请日：2019-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黎昆 ,  刘舒曼 ,  朱怡璇 ,  刘俊岐 ,  翟慎强 ,  王利军 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/111

Abstract: 本公开提供一种应变补偿型量子级联探测器，包括：衬底；下接触层，外延生长于衬底之上；周期性应变补偿量子级联功能层，外延于下接触层之上，包括多个级联周期；上接触层，外延于周期性的应变补偿量子级联功能层之上；下接触电极，位于刻蚀上接触层和周期性应变补偿量子级联功能层结构而露出的下接触层表面；以及上接触电极，位于上接触层的表面；其中，每个所述级联周期由下至上包括：吸收区和弛豫区；所述吸收区为与衬底晶格匹配的材料；所述弛豫区包括多层交替的应变补偿的势垒层和势阱层组成多量子阱结构，均为与衬底晶格不匹配的材料。