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公开(公告)号：CN103149153A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310035988.0
申请日：2013-01-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明公开了一种超衍射材料光传输特性的测试分析方法，利用测试激发光栅、待测超衍射材料样品和检测光栅实现测试分析，其特点是：光源从激发光栅侧入射，产生多级携带高空间频率的衍射波，然后通过待测超衍射材料样品，样品的透射波与检测光栅差频形成携带待测样品传输特性的干涉条纹。并可以通过旋转待测样品测试不同空间频率衍射波的透射光强或者干涉条纹对比度，以确定待测超衍射材料样品的光传输特性。本发明方法结构简洁，设计灵活，且测试方法便捷，实时性强。
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公开(公告)号：CN102866594A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210365973.6
申请日：2012-09-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法，纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域，在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅，该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波；在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组，利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅，将传输波转化为高频倏逝波，最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化，同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像，得到了亚波长尺度的成像，突破了常规超衍射材料近场限制，物像空间位置关系可处于远场范围，且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素，拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。
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公开(公告)号：CN102636965A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210107638.6
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其步骤为：1)清洗基片；2)在基片上镀一层无机光刻胶TeOx；3)于TeOx膜层上镀一层金属薄膜；4)如此反复镀若干周期，最后一层为无机光刻胶；5)将多层膜置于一定图形的掩模板下进行曝光；6)曝光后的多层膜进行干法显影；7)去除残余的Ag层，制作完成。本发明利用干法对无机光刻胶进行显影，能得到边缘规则、陡直的图形，克服了传统有机光刻胶所存在的溶剂膨胀效应导致的图形边缘不规则，及后烘容易带来图形线条坍塌等问题；此外，金属层可以放大倏矢波的传播，降低在曝光过程中光的衍射效应。因此，可实现对SP光刻图形质量的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102633229A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210107636.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法，其主要步骤为：利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽，然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜，之后利用IBE对多层膜进行刻蚀，得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作，只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后，再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽，并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。
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公开(公告)号：CN102628808A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210107599.X
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法，该方法首先是在1cm×1cm的双面精抛光石英基底上通过自组装的方法得到单层排布的聚苯乙烯纳米球阵列；再采用反应离子刻蚀工艺对制作的单层纳米球阵列进行刻蚀，改变纳米球之间间隙的尺寸大小；最后通过银纳米薄膜沉积和Lift off工艺得到结构周期为430nm，粒子直径为160nm，局域表面等离子体共振波长为780nm的表面增强拉曼芯片。本发明的表面增强拉曼芯片可检测出10nM浓度的若丹明6G分子；且同一高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的7处不同位置处10μM浓度的若丹明6G分子的拉曼光谱曲线的特征峰值强度偏差为±3％，可满足生物、化学物质的快速特异性检测需求。
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公开(公告)号：CN102621821A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107682.7
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种超长工作距表面等离子体超衍射光刻装置及方法，该装置包括以下结构，光学棱镜，光学棱镜底面沉积的是一层金属薄膜，金属薄膜下沉积了一层光电转换材料膜层，光学棱镜放置在涂敷有电子光刻胶的光学基片表面上方。该方法采用表面等离子体干涉形成纳米特征尺寸的光场分布，利用光电转换材料，表面等离子体干涉光场转换为低能电子辐射信号，经过磁场和电场的加速和聚焦，电子聚焦投影在光刻胶上实现纳米分辨力光刻。本发明可以有效延伸表面等离子体超衍射干涉光刻所需的工作距。
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公开(公告)号：CN102621820A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107586.2
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光刻的高效超分辨聚焦器件制备方法，该方法首先确定入射波，再选取合适的基底材料，在基底上蒸镀或溅射沉积一层金属膜，让入射波垂直于金属膜表面入射；在金属膜上表面取中心点为原点，选定x轴方向及y轴方向，取垂直于金属膜表面方向为z轴方向；依据等光程原理计算菲涅尔各级波带的位置及宽度；在金属膜中心位置开出奇数级或偶数级菲涅尔波带环形条缝；利用现有纳米加工技术制作菲涅尔波带及凹槽；在金属膜上交替蒸镀或溅射沉积厚度为纳米级别的金属与介质多层薄膜以支持高频信息的传输；最后在多层膜上涂布光刻胶及沉积反射金属层即可得到超分辨的聚焦器件。本发明所设计的透镜结构简单，具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN102621610A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107598.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的制作方法，该方法选取合适的基底材料，在基底上蒸镀或溅射沉积一层金属膜，让一定偏振态的单色光垂直于金属膜上表面入射；选取金属膜上表面的中心点为坐标原点，过中心点的坐标轴分别为x轴和y轴，垂直于金属膜的中心点连线为z轴；依据等光程原理，计算出金属膜的Fresnel各级环带位置；利用现有纳米加工技术，对金属膜的各环带区域开纳米小孔。环带区域内纳米小孔的周期或非周期排布位置由入射光的偏振态决定；紧接着交替蒸镀或溅射沉积纳米厚度的金属和介质平面多层膜结构。本发明所设计的透镜结构简单，可以用于纳米光刻和数据存储，大量提高电子器件的集成度，具有广阔的发展前景。
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