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公开(公告)号：CN101458293A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
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公开(公告)号：CN100479202C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610148068.X
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。
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公开(公告)号：CN101377533A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810200210.X
申请日：2008-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器深能级缺陷的检测方法，它是基于在激光辐照下，深能级被激活引起隧穿电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到激光辐照下的反常电流信号，并除去常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为深能级缺陷引起的陷阱辅助隧穿电流，可作为判断样品中深能级的标准，此电流值越大，样品中深能级缺陷数目越多。本发明的优点在于能独立表征对器件暗电流有贡献的深能级缺陷特性。
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公开(公告)号：CN101237003A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710047623.4
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法，该量子点共振隧穿二极管，包括：响应可见光的GaAs或响应红外的InGaAs光子吸收区，自组装量子点、薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层。自组装量子点和薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层的组合可以让量子点直接参与共振隧穿过程，大大增强了共振隧穿过程对光生载流子的放大能力。该探测方法：利用在入射光探测前先对量子点进行载流子填充形成亚稳态，进一步增强器件的光响应能力。本发明的优点是：器件结构简单，量子点大小和密度均属常规生长范围，制备容易；器件在液氮温度下得到了超高灵敏度的光子探测能力。
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公开(公告)号：CN100401544C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610028490.1
申请日：2006-06-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明的氮化镓基圆盘式单色光源列阵包括：衬底，在衬底上置底牢固结合的光子晶体微腔和波导结构。光子晶体微腔和波导结构是由在景介质材料上通过刻蚀的方法形成一系列周期性排列并含有特定缺陷的圆柱形空气柱构成的。背景介质材料由依次排列生长的n-GaN下电极层、InGaN/GaN量子阱结构或AlGaN/InGaN异质结结构的发光层和p-GaN上电极层组成。氮化镓作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而含有不同线缺陷的光子晶体波导则可以近乎无损地把这个波段内的单色光分别耦合到圆盘四周，形成圆盘式的单色光源列阵。利用这种结构可以近乎无损地从微腔中耦合出单色性很好的单色光，甚至可以实现直角拐弯，形成一种结构紧凑的单色光源列阵。
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公开(公告)号：CN100392870C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200510029982.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种自放大红外探测器，它由InGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器以及AlAs/GaAs/AlAs共振隧穿二极管与InAs量子点组成的探测信号的自放大部分组成。本发明的优点是：巧妙地采用了量子点的量子限制效应和共振隧穿二极管电子的隧道效应，将二者有效结合作为红外量子阱探测器的自放大单元，并且与红外量子阱探测器可以集成在同一芯片上，是一种放大与探测已经完全集成的体系。
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公开(公告)号：CN100365829C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510026720.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/108 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种GaN基紫外-红外双色集成探测器，包括：蓝宝石衬底上依次排列生长的n+-GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1-xN紫外吸收层，所述双色集成探测器还包括位于AlxGa1-xN紫外吸收层上的叉指电极、位于n+-GaN电极层上的欧姆接触外电极。其中利用了MSM结构紫外探测器的叉指电极作为红外量子阱探测器的一维光栅，实现了外加偏压控制的可选择双色探测。本发明的双色探测器较之于传统的红外双色探测器有更大的光谱波段跨度，可以获得目标的特征波段图像，目标信息更加丰富准确。
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公开(公告)号：CN100355097C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510029388.9
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的高单色性光源阵列包括：金属基板，在金属基板上依次排列的氮化镓发光二极管和窄带滤光片阵列。二极管作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而窄带滤光片阵列则把这个波段内的光在空间上分成若干束不同波长的单色光。本发明可以通过选择不同波段的发光二极管，并与相应的窄带滤光片阵列集成，以获得不同波段的高单色性发光阵列。这种发光阵列可以满足微小型光谱仪等在集成单色光源方面的需求。
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公开(公告)号：CN100345317C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510111089.X
申请日：2005-12-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种利用铟镓氮量子阱发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置。该成像装置包括：二片透镜、分束片、低温杜瓦和InGaN量子阱发光二极管。红外目标源前进的方向上依次置有第一透镜、对红外光全透和可见光全反的分束片和可作为红外目标源探测用的置于低温杜瓦中的发光二极管；发光二极管发出的可见光图像的前进方向上依次置有对红外光全透和可见光全反的分束片和第二透镜。它是利用二极管在低温下，发光中心富In的InGaN量子点在发光的同时可对红外波长吸收，从而引起量子点的发光减弱。即可以通过发光二极管发出的可见光发生变化的空间位置与红外光照到的点的一一对应来实现对目标的红外信号探测。本发明的优点是：红外响应的读出采用人眼对发光二极管的发光强度的直接判读而实现，大大简化了成像装置的结构。
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公开(公告)号：CN100334440C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410084794.0
申请日：2004-12-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法，该发明是基于F-P干涉原理进行设计的，即在两片完全相同的窄带通高反膜系之间夹一真空层或空气层作为谐振腔，构成一个品质因子非常高的超窄带通滤光片，利用带通位置处的透过率对谐振腔的吸收特别敏感的特性，只要将待测样品放在谐振腔内，谐振腔内会有微弱吸收，就会引起透过率发生明显的变化，通过透过率的变化及利用商用的膜系设计与计算软件Filmstar绘制的峰值透过率差值(ΔT)随消光系数(κ)变化的标准曲线，就可以推算出待测光学材料的消光系数，进而得出其吸收系数。
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