基于单层石墨烯的单一结构的双逻辑门光调制器件

    公开(公告)号:CN106125452B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201610488844.4

    申请日:2016-06-28

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯的单一结构的双逻辑门光调制器件,包括三个直波导和两个环形波导,相邻波导之间耦合形成四个耦合区,作为能量转移区;在部分环形波导的脊形硅层的脊形区域嵌入一层石墨烯层,在脊形区域的上下两侧分别设置一个与脊形硅层同弯曲方向的共面波导电极,用于模拟电信号的加载与调制,改变石墨烯层的费米能级,引起石墨烯层吸收系数的变化,对光信号进行吸收与调制;根据石墨烯波导调制长度,确定光信号的衰减程度,进而控制输出光能量,实现不同的逻辑功能。本发明具有光信号耦合调制一体化的功能,传输损耗低,响应速率快,驱动电压低,调制带宽宽,集成度高,且其制作工艺与COMS数字集成电路工艺兼容。

    基于单层石墨烯的单一结构的双逻辑门光调制器件

    公开(公告)号:CN106125452A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610488844.4

    申请日:2016-06-28

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: G02F2/00 G02F3/00

    Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯的单一结构的双逻辑门光调制器件,包括三个直波导和两个环形波导,相邻波导之间耦合形成四个耦合区,作为能量转移区;在部分环形波导的脊形硅层的脊形区域嵌入一层石墨烯层,在脊形区域的上下两侧分别设置一个与脊形硅层同弯曲方向的共面波导电极,用于模拟电信号的加载与调制,改变石墨烯层的费米能级,引起石墨烯层吸收系数的变化,对光信号进行吸收与调制;根据石墨烯波导调制长度,确定光信号的衰减程度,进而控制输出光能量,实现不同的逻辑功能。本发明具有光信号耦合调制一体化的功能,传输损耗低,响应速率快,驱动电压低,调制带宽宽,集成度高,且其制作工艺与COMS数字集成电路工艺兼容。

    一种SOI基结构的电光逻辑门

    公开(公告)号:CN105634466A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201510955105.7

    申请日:2015-12-17

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H03K19/14

    Abstract: 本发明公开了一种SOI基结构的电光逻辑门,包括基于SOI材料制作的直波导和钩型波导,所述钩型波导包括端面对端面顺次连接的第一耦合区、第一半环波导、S-Bend、第二偶合区和第二半环波导,S-Bend为中心对称结构,第一耦合区和第二耦合区在一条直线上,第一半环波导和第二半环波导均为1/2圆环,且第一半环波导和第二半环波导的环口正对;钩型波导位于直波导的一侧,且钩型波导的第一耦合区和第二耦合区与直波导相平行。本发明提供的SOI基结构的电光逻辑门,在完成耦合的同时能够实现高速调制,快速完成模拟电信号到数字光信号的转换,实现超快电光逻辑门操作,可以在高速通信网络中获得应用。

    一种聚合物集成波导布拉格光栅折射率传感器

    公开(公告)号:CN104316996A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410609744.3

    申请日:2014-11-03

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: G02B6/124 G01N21/41

    Abstract: 本发明公开了一种聚合物集成波导布拉格光栅折射率传感器,包括基底、下包层、上包层、芯层;下包层设置在基底的上表面;芯层设置在下包层的上表面;芯层上表面以及芯层周侧的下包层上表面均与有上包层的下表面贴合;布拉格光栅设置在芯层的下表面,布拉格光栅与芯层构成波导布拉格光栅;挖空上包层中心区域形成凹槽,并且该中心区域覆盖波导布拉格光栅的区域;凹槽中设置有待测液体,待测液体与凹槽中的芯层接触;芯层的一端作为输入光波导,另一端作为输出光波导。通过检测波导布拉格光栅中心波长的偏移量实现折射率传感的功能。该传感器传感范围较大、传感灵敏度高,且加工工艺简单、成本低廉、易于集成,在生化传感领域有广泛的应用前景。

    基于阵列波导光栅结构的聚合物波导光开关阵列

    公开(公告)号:CN100464204C

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200610098251.3

    申请日:2006-12-05

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 基于阵列波导光栅结构的聚合物波导光开关阵列涉及一种单波长的聚合物材料波导光开关阵列器件,该波导光开关阵列中:输入平板波导(12)的输入端与输入波导(11)的输出端连接,输入平板波导(12)的输出端连接由弯曲波导组成的阵列波导光栅(13)的输入端;在阵列波导光栅(13)的顶部设有电流控制的电极组(16),在电极组的两端连接有电流输入引线(18)和电流输出引线(19)共同构成温度控制装置,输出平板波导(14)的输入端与阵列波导光栅(13)的输出端连接,输出平板波导的输出端接输出波导(15)的输入端,该器件在同一个波长的信号输入下,通过不同电流的控制,实现光开光阵列的功能。此器件将减小常规级联结构光开关阵列的尺度,简化器件的驱动装置。

    一种基于SOI材料制备的偏振分束旋转器

    公开(公告)号:CN117270104A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311398377.2

    申请日:2023-10-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的偏振分束旋转器,其硅波导包括输入波导、第一锥形波导、第一S弯波导、具备过滤功能的桥波导、第一输出波导、第二输出波导、第二S弯波导、第二锥形波导、第一直通波导、三段式锥形波导和具备模式转换和反射功能的纳米束波导,其中,所述输入波导、第一锥形波导、第一S弯波导、桥波导、第一输出波导依次相连,组成上波导,所述第二输出波导、第二S弯波导、第二锥形波导、第一直通波导、三段式锥形波导、纳米束波导依次相连,组成下波导。本发明偏振消光比更高、实用性更高。

    一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法

    公开(公告)号:CN113481007B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202110812451.5

    申请日:2021-07-19

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法,通过激发表面等离激元双共振增强二硫化钼的光致发光强度;其中,选用单层二硫化钼作为发光材料,利用基于双L型超表面结构激发表面等离激元共振,在激发波段和发射波段产生的双共振来增强二硫化钼的光吸收效率。本发明基于超表面手性结构,能够增强二硫化钼光致发光,并可以进一步探索谷自旋物理机制,调控荧光偏振态,同时本发明可应用于高性能低维材料器件,光电子器件等。

    一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器

    公开(公告)号:CN112596155B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011488410.7

    申请日:2020-12-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。

    一种基于微波光子下变频的光器件光谱响应测试装置及方法

    公开(公告)号:CN110601754B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201910824654.9

    申请日:2019-09-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公布了一种基于微波光子下变频的光器件光谱响应测试装置及方法,所述装置包括激光器,相位调制器,光学带通滤波器,待测器件,强度调制器,低速光电探测器,电压源,第一射频源,第二射频源,频谱仪。所述方法如下:激光进入相位调制器,由第一射频源输出的微波信号调制后,经带通滤波器产生光学单边带信号,通过待测器件后进入强度调制器,同时第二射频源输出与第一射频源频率相近的微波信号进入强度调制器,进一步调制后经低速光电探测器拍频产生两个同幅同相的低频信号,叠加后由频谱仪探测。本方法可通过检测固定低频处的响应来测试待测器件在一个频率范围内的器件响应;本发明具有测试系统复杂度低,损耗小,无需考虑信号干涉等优点。

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