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公开(公告)号：CN105388637B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510953020.5
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关，包括一个硅脊型直波导，作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口；一个拉锥型的硅脊型波导Y分支，作为1×2热光开关的3‑dB光学分束器，用于将输入光波等量的分成两束；六个S形硅脊型弯曲波导，分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接，并且将经过定向耦合器调制后的光输出；两个介质沉积型表面等离子波导，位于1×2热光开关的两侧调制臂上，用于MZI结构的相位调制；一个硅脊型波导的定向耦合器，用于对相位调制后的两束光进行多模干涉，将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。
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公开(公告)号：CN105388637A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510953020.5
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02F1/0147 , G02B6/122 , G02B6/125 , G02B6/2813 , G02B6/355 , G02F1/011 , G02F1/3132 , G02F1/3137 , G02F2001/0113
Abstract: 本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关，包括一个硅脊型直波导，作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口；一个拉锥型的硅脊型波导Y分支，作为1×2热光开关的3-dB光学分束器，用于将输入光波等量的分成两束；六个S形硅脊型弯曲波导，分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接，并且将经过定向耦合器调制后的光输出；两个介质沉积型表面等离子波导，位于1×2热光开关的两侧调制臂上，用于MZI结构的相位调制；一个硅脊型波导的定向耦合器，用于对相位调制后的两束光进行多模干涉，将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。
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公开(公告)号：CN106125452B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610488844.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯的单一结构的双逻辑门光调制器件，包括三个直波导和两个环形波导，相邻波导之间耦合形成四个耦合区，作为能量转移区；在部分环形波导的脊形硅层的脊形区域嵌入一层石墨烯层，在脊形区域的上下两侧分别设置一个与脊形硅层同弯曲方向的共面波导电极，用于模拟电信号的加载与调制，改变石墨烯层的费米能级，引起石墨烯层吸收系数的变化，对光信号进行吸收与调制；根据石墨烯波导调制长度，确定光信号的衰减程度，进而控制输出光能量，实现不同的逻辑功能。本发明具有光信号耦合调制一体化的功能，传输损耗低，响应速率快，驱动电压低，调制带宽宽，集成度高，且其制作工艺与COMS数字集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN106125452A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610488844.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于单层石墨烯的单一结构的双逻辑门光调制器件，包括三个直波导和两个环形波导，相邻波导之间耦合形成四个耦合区，作为能量转移区；在部分环形波导的脊形硅层的脊形区域嵌入一层石墨烯层，在脊形区域的上下两侧分别设置一个与脊形硅层同弯曲方向的共面波导电极，用于模拟电信号的加载与调制，改变石墨烯层的费米能级，引起石墨烯层吸收系数的变化，对光信号进行吸收与调制；根据石墨烯波导调制长度，确定光信号的衰减程度，进而控制输出光能量，实现不同的逻辑功能。本发明具有光信号耦合调制一体化的功能，传输损耗低，响应速率快，驱动电压低，调制带宽宽，集成度高，且其制作工艺与COMS数字集成电路工艺兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105634466A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510955105.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/14
CPC classification number: H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种SOI基结构的电光逻辑门，包括基于SOI材料制作的直波导和钩型波导，所述钩型波导包括端面对端面顺次连接的第一耦合区、第一半环波导、S-Bend、第二偶合区和第二半环波导，S-Bend为中心对称结构，第一耦合区和第二耦合区在一条直线上，第一半环波导和第二半环波导均为1/2圆环，且第一半环波导和第二半环波导的环口正对；钩型波导位于直波导的一侧，且钩型波导的第一耦合区和第二耦合区与直波导相平行。本发明提供的SOI基结构的电光逻辑门，在完成耦合的同时能够实现高速调制，快速完成模拟电信号到数字光信号的转换，实现超快电光逻辑门操作，可以在高速通信网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN105954892B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610490158.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的Si‑PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器，包括硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导，硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导相耦合，硅矩形平板直波导作为该混合型电光环形调制器的直通端，硅矩形平板环形波导作为该混合型电光环形调制器的谐振环；硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导通过一个PLZT矩形通道完全包覆住，形成Si‑PLZT混合型结构；在环形波导部分的内外两侧设置有一对半包裹型的弯曲共面行波电极对，通过弯曲共面行波电极对该混合型电光环形调制器进行加电调制，使PLZT矩形通道的折射率发生变化。本发明具有调制灵敏度高、器件尺寸小、可靠性好以及调制带宽大等特性。
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公开(公告)号：CN105634466B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510955105.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种SOI基结构的电光逻辑门，包括基于SOI材料制作的直波导和钩型波导，所述钩型波导包括端面对端面顺次连接的第一耦合区、第一半环波导、S‑Bend、第二偶合区和第二半环波导，S‑Bend为中心对称结构，第一耦合区和第二耦合区在一条直线上，第一半环波导和第二半环波导均为1/2圆环，且第一半环波导和第二半环波导的环口正对；钩型波导位于直波导的一侧，且钩型波导的第一耦合区和第二耦合区与直波导相平行。本发明提供的SOI基结构的电光逻辑门，在完成耦合的同时能够实现高速调制，快速完成模拟电信号到数字光信号的转换，实现超快电光逻辑门操作，可以在高速通信网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN108227073A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711315169.6
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI基结构的调制一体型光缓存器，包括基于SOI材料制备的脊型直波导和级联环形波导，其中级联环形波导包括若干个环形波导，所述脊型直波导与底部的环形波导构成带有间距的耦合区，及相邻两个环形波导之间通过端面对端面且带有间距的连接形成耦合区；以及，所述底部的环形波导包括左调制臂、右调制臂及分别与左调制臂、右调制臂形成电学接触的共面型波导电极，所述左调制臂和右调制臂在共面型波导电极加载的数字电信号作用下实现光缓存器的开启和闭合。本发明可以实现高速调制，快速完成光缓存器功能的开关操作，实现超快缓存选择操作，可以在集成高速全光网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN105954892A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610490158.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/035 , G02F1/055
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的Si‑PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器，包括硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导，硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导相耦合，硅矩形平板直波导作为该混合型电光环形调制器的直通端，硅矩形平板环形波导作为该混合型电光环形调制器的谐振环；硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导通过一个PLZT矩形通道完全包覆住，形成Si‑PLZT混合型结构；在环形波导部分的内外两侧设置有一对半包裹型的弯曲共面行波电极对，通过弯曲共面行波电极对该混合型电光环形调制器进行加电调制，使PLZT矩形通道的折射率发生变化。本发明具有调制灵敏度高、器件尺寸小、可靠性好以及调制带宽大等特性。
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