一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器

    公开(公告)号:CN112596155B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011488410.7

    申请日:2020-12-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。

    一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器

    公开(公告)号:CN112596155A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011488410.7

    申请日:2020-12-16

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。

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