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公开(公告)号：CN107527784B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710474908.X
申请日：2017-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种对矩形的被处理基板的外周侧的区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。本发明的等离子体处理装置(1)利用形成于阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间的处理气体的电容耦合等离子体(P)对矩形的被处理基板(G)实施等离子体处理。此时，阳极电极部(3)在径向上被分割成多个径向分割电极(34、33、32)，外周侧的径向分割电极(32)进一步被分割成角部侧的角部分割电极(32b)和边部侧的边部分割电极(32a)。在这些角部分割电极(32b)和边部分割电极(32a)中的至少一者接地端(104)侧设置有阻抗调整部(52、51)。
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公开(公告)号：CN104916779B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510111838.2
申请日：2015-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 公立大学法人高知工科大学
Abstract: 本发明提供能防止氧化物半导体的特性变化且寄生电容较小的半导体器件、其制造方法和其制作装置。在具有自下方层叠栅电极(12)、IGZO膜(40)以及沟道保护膜(17)而成的层叠构造的TFT(10)中，通过将具有反映了栅电极的宽度的宽度的光致抗蚀剂掩模(41a)用作掩模而将沟道保护膜局部去除，从而使IGZO膜局部暴露，将IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分置于自氟化硅气体和氮气混合而成的、不含有氢的处理气体生成的等离子体中，并利用由含有氟的氮化硅膜构成的钝化膜(18)来覆盖IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分，在形成钝化膜时，使氟原子自钝化膜向IGZO膜的暴露的部分扩散而形成源极区域(15)、漏极区域(16)。
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公开(公告)号：CN106257705B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610457681.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种叠层密封膜形成方法和形成装置，其在抑制生产性降低和异物附着的同时能够形成膜厚度薄且具有高密封性能的叠层密封膜。在叠层密封膜形成方法中，在多个作为发光层的有机EL层(102)形成于衬底(101)上而得到的有机EL元件(S)上，形成无机膜(201)和有机膜(202)层叠的结构的叠层密封膜(203)，在一个处理容器(11)内交替地反复进行多次利用原子层沉积法形成无机膜(201)的步骤和利用蒸镀聚合法形成有机膜(202)的步骤。
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公开(公告)号：CN105316654B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510348818.7
申请日：2015-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，其进行分批式ALD成膜，能够不增大气体供给量，并且能够抑制生产节拍的降低、提高处理气体的利用效率、抑制在排气通路中的反应生成物的生成。分批式成膜装置(100)包括多个处理室(15)、气体供给单元(2)、排气单元(3)和控制部(4)。排气单元具有分别与第一处理气体和第二处理气体对应的2个排气通路；和切换2个排气通路的排气通路切换部(34、35)，控制部控制气体供给单元，使得在从气体供给单元向处理室供给第一处理气体和第二处理气体时，将一种处理气体以具有时间差的方式依次供给到各处理室，并且控制排气通路切换部，使得经由与向各处理室所供给的处理气体对应的排气通路排气。
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公开(公告)号：CN106981446A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710036715.6
申请日：2017-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种提高对基板的等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(11)包括：将用于载置基板(G)的载置台(21)收容在内部的腔室(20)；配置在腔室(20)的内部的隔板部(22)；配置在隔板部(22)的上表面的高频天线(50)；和配置在隔板部(22)的下表面的气体导入单元，利用由高频天线(50)形成的电场将处理气体等离子体化来对基板(G)进行等离子体处理。气体导入单元具有如下构成：将具有以长条状向与基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(25b)的第1喷淋板(24a～24d)和具有以长条状向与基板载置面大致平行的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(55b)的第2喷淋板(54a～54d)配置成长边方向为辐射状延伸的方向的结构。
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公开(公告)号：CN106206234A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610364963.9
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/244 , H01J37/32715
Abstract: 本发明通过检测等离子体处理中的异常放电的发生，快速地检测基板的剥离。本发明在将具有载置基板(G)的基板载置面的载置台(21)配置于腔室(20)的内部的等离子体处理装置(11)中，在基板载置面上载置有基板(G)的状态下，在基板(G)所覆盖的位置将导电性销(60)以在基板载置面露出的方式配置于载置台(21)，在对基板(G)的等离子体处理中，由直流电源(63)对导电性销(60)施加直流电压，监视导电性销(60)的电位和流过导电性销(60)的电流中的至少一者。在导电性销(60)的电位发生变化时或者流过导电性销(60)的电流发生变化时，控制等离子体处理装置(11)的装置控制器(44)判断发生了基板(G)的剥离，中止等离子体的生成。
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公开(公告)号：CN104916779A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510111838.2
申请日：2015-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 公立大学法人高知工科大学
Abstract: 本发明提供能防止氧化物半导体的特性变化且寄生电容较小的半导体器件、其制造方法和其制作装置。在具有自下方层叠栅电极(12)、IGZO膜(40)以及沟道保护膜(17)而成的层叠构造的TFT(10)中，通过将具有反映了栅电极的宽度的光致抗蚀剂掩模(41a)用作掩模而将沟道保护膜局部去除，从而使IGZO膜局部暴露，将IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分置于自氟化硅气体和氮气混合而成的、不含有氢的处理气体生成的等离子体中，并利用由含有氟的氮化硅膜构成的钝化膜(18)来覆盖IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分，在形成钝化膜时，使氟原子自钝化膜向IGZO膜的暴露的部分扩散而形成源极区域(15)、漏极区域(16)。
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公开(公告)号：CN104716269A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410767732.3
申请日：2014-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供寿命长的有机EL组件。该有机EL组件包括：在内部具有成为发光部的有机层(4)的有机EL面板(2)；设置在有机EL面板(2)的背面上、将有机EL面板(2)的背面密封的背面密封板(6)；设置在有机EL面板(2)的侧面、将有机EL面板(2)的侧面密封的侧面密封部件(7)；设置在有机EL面板(2)的正面上、将有机EL面板(2)的正面密封的正面密封板(8)；和覆盖背面密封板(6)和/或正面密封板(8)的外表面以及侧面密封部件(7)的外表面、透明的保护覆膜(9)。
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公开(公告)号：CN104178748A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410215020.0
申请日：2014-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够应对被处理基板的大型化地改善向处理室内的气体供给的均匀性，另外能够精度良好且容易制造的维护性也良好的气体供给头、气体供给机构和基板处理装置。该气体供给机构具备具有载置基板(G)的载置台(4)的基板处理装置(1)，包括气体供给头(6)、第一载置台内气体供给孔(8a)和第一气体供给线路(9a)。第一气体供给线路从第一气体供给源向下游侧去等长分支为2n根，其中，n为自然数，末端的2n根分支管的气体排出口在一直线上等间隔排列的状态下与第一载置台内气体供给孔连通，气体供给头将通过第一气体供给线路和第一载置台内气体供给孔供给的气体通过长槽状的第一气体扩散室均匀地从多个第一气体排出孔排出。
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公开(公告)号：CN1838386B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610058370.6
申请日：2006-03-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , C23F4/00 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理装置的处理室内的等离子体密度局部偏高的部位插入屏风部件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀化。其特征在于，在等离子体处理装置(1)中，在处理室(3)内的等离子体密度局部偏高的部位上，设置使等离子体失去活性的屏风部件，使对被处理基板(G)的等离子体蚀刻率均匀化。
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