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公开(公告)号：CN107527837A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710456653.4
申请日：2017-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本发明在具有能够相对于基板的载置台突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销的基板处理装置中，快速进行升降销的高度位置的检测。准备在底部与基板相同大小地形成的容器(71)内设置有点灯电路的器具(7)。容器的底部由电路板(72)构成，为了使与一个升降销(4)对应的区域(P1)和其他区域(P2)绝缘，在区域(P1)的周围设置有绝缘材料，点灯电路的两端分别与区域(P1、P2)连接。将器具载置于载置台，在使1个升降销与区域(P1)接触的状态下，使其他升降销与区域(P2)接触时，升降销彼此电连接，因此器具内的LED(77)点亮。利用光检测部(60)检测此时的光，控制调整对象的升降销的伺服电动机。
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公开(公告)号：CN102270594A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110201338.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够对大型FPD基板在搬送室内的位置偏移和缺口等异常可靠地进行检测的基板处理装置和一种基板异常的检测方法。将基板(S)载置在搬送装置(50)的滑动拾取器(513)上，从搬送室(20)内经过闸门开口(22d)向处理腔室(10b)搬入时，由左右配置的一对传感器(70、70)向基板(S)两端部附近的虚线(A、B)表示的部位照射光线，根据其反射率或透过率，对基板(S)的位置偏移和缺陷等进行检测。
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公开(公告)号：CN116344310A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211609933.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理装置的制造方法。提供一种能够稳定地抑制在处理容器的等离子体处理空间暴露的构件的异常放电的技术。等离子体处理装置具备：处理容器，其在内部具有等离子体处理空间；第1构件，其设于处理容器的内部，具有在等离子体处理空间暴露的至少一个第1面，构成处理容器的内部构造的局部；以及第2构件，其设于处理容器的内部，同第1构件的与第1面相邻的第2面接触。第1构件具有倾斜面，该倾斜面是第1面的局部且与第2面相邻，并且在第2构件与第2面接触的状态下形成凹部，至少第1面和倾斜面被喷镀膜相互连续地覆盖。
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公开(公告)号：CN114823270A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210060132.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中，抑制因构件间的热膨胀差而紧固螺纹件变形。一种将构成基板处理装置的第1、第2构件利用紧固螺纹件紧固的紧固构造，第1构件具有内螺纹部，紧固螺纹件具有螺纹件头部和形成有与内螺纹部螺合的外螺纹部的螺纹件杆部，第2构件具有供螺纹件杆部贯穿的贯通孔，紧固构造具备在螺纹件头部与第2构件之间重叠地配置并供螺纹件杆部贯穿的第1、第2垫圈，贯通孔的截面是长圆形状，第1垫圈配置于螺纹件头部那侧并具有供螺纹件杆部贯穿的孔，第2垫圈配置于第2构件那侧并具有供螺纹件杆部贯穿的长圆形状的孔和向贯通孔插入的突出部。
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公开(公告)号：CN109786300A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811332443.5
申请日：2018-11-09
Applicant: 平田机工株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 一种能检测内部是否实际有人的输送腔室。输送腔室(1A)具有：腔室主体部(11)，内部设置有输送基板的输送装置；以及腔室侧部(12a、12b)，与腔室主体部(11)一起形成内部空间，其中，输送腔室(1A)在其上部具有开口部(24)，在开口部(24)的周缘的至少一部分设置有反射构件(41(41a、41b))。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786300B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811332443.5
申请日：2018-11-09
Applicant: 平田机工株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 一种能检测内部是否实际有人的输送腔室。输送腔室(1A)具有：腔室主体部(11)，内部设置有输送基板的输送装置；以及腔室侧部(12a、12b)，与腔室主体部(11)一起形成内部空间，其中，输送腔室(1A)在其上部具有开口部(24)，在开口部(24)的周缘的至少一部分设置有反射构件(41(41a、41b))。
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公开(公告)号：CN112563110A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010977676.1
申请日：2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。能够抑制等离子体变得不稳定。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与载置台相对的对向电极。
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公开(公告)号：CN106486411B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610768372.8
申请日：2016-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够在短时间内正确定位升降销的高度位置的基板处理装置。从控制部(50)的驱动控制部(51)向升降销装置的驱动部发出电动机的驱动指令。接受该驱动指令，电动机以与指令脉冲对应的旋转速度和转矩旋转驱动，使升降销上升驱动。抵接检测部(53)监视来自伺服放大器内的是输出值。例如，在作为伺服放大器内的偏差计数器的指令脉冲的累计值的滞留脉冲的绝对值超过阈值时，判定升降销的前端与载置物的下表面抵接。
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公开(公告)号：CN112563110B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010977676.1
申请日：2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。能够抑制等离子体变得不稳定。在处理室的内部设有供基板载置的载置台，在该处理室中对基板实施等离子体处理。高频电源向载置台供给偏压用的高频电。多个隔板包围载置台的上表面的外周，彼此分离地配置。凹部位于至少一组相邻的隔板之间，具有包括底壁和多个侧壁的内壁部，构成与载置台相对的对向电极。
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公开(公告)号：CN104698512B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201410743609.8
申请日：2014-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在基材上均匀地形成薄的氧化铝膜得到均匀的微细凹凸状的防反射结构的、具有防反射功能的部件及其制造方法。具有防反射功能的部件(10)具有基材(11)和形成在基材(11)的表面的防反射膜(13)。防反射膜(13)通过利用高温的热水或者水蒸气对由原子层沉积法形成的氧化铝膜进行水热处理，由此形成有微细凹凸结构。
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