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公开(公告)号：CN106158703B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201610317275.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够对形成于基板的表面的覆膜良好地进行蚀刻的基板液处理装置以及基板液处理方法。本发明包括：利用蚀刻液对形成于基板(8)的表面的覆膜进行液处理的液处理部(38)；向所述液处理部(38)供给蚀刻液的蚀刻液供给部(39)；控制所述蚀刻液供给部(39)的控制部(7)，所述控制部(7)以如下方式进行控制：将针对所述覆膜的蚀刻速率较低的状态的蚀刻液从所述蚀刻液供给部(39)向所述液处理部(38)供给而利用所述液处理部(38)对所述基板(8)进行蚀刻处理，之后，将针对所述覆膜的蚀刻速率较高的状态的蚀刻液从所述蚀刻液供给部(39)向所述液处理部(38)供给而利用所述液处理部(38)对所述基板(8)进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN111430273A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010248647.1
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置。该蚀刻处理控制装置具有：处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；处理液排出部，其使所述蚀刻液排出；以及控制部，其对所述处理液供给部、所述处理液循环部以及所述处理液排出部进行控制，其中，所述控制部利用所述处理液循环部使蚀刻液循环，使蚀刻液从所述处理液排出部排出，并且从所述处理液供给部向所述处理槽供给磷酸水溶液，所述控制部还使用蚀刻液中的硅浓度信息进行控制，以使浸渍了基板的蚀刻液的硅浓度成为规定浓度范围。
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公开(公告)号：CN108885988A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780020430.1
申请日：2017-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜，精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，上述基片液处理方法包括：第一覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜；和第二覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。
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公开(公告)号：CN106024615A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610177762.8
申请日：2016-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：液体处理部，其利用被稀释液稀释后的处理液对基板进行处理；处理液供给部，其供给所述处理液；稀释液供给部，其供给用于稀释所述处理液的稀释液；浓度测量部，其测量被所述稀释液稀释后的处理液的浓度；以及控制部，其根据由所述浓度测量部测量出的被所述稀释液稀释后的处理液的浓度来控制所述处理液供给部和所述稀释液供给部，其中，在利用所述液体处理部对所述基板进行处理过程中判断为利用所述浓度测量部无法正常地测量所述处理液的浓度的情况下，使所述处理液和所述稀释液的供给状态维持预先决定的供给状态，并使利用所述液体处理部对所述基板进行的处理继续。
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公开(公告)号：CN104821285A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510048353.3
申请日：2015-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67023 , B08B3/08 , H01L21/02052 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67057 , H01L21/67086
Abstract: 提供基板液体处理装置和基板液体处理方法。在将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理的基板液体处理装置中，能够使用处理液对基板良好地进行处理。在本发明中，将处理液贮存于处理液贮存部，向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液的浓度不同的药剂的第二水溶液并且从上述处理液贮存部排出上述处理液来更新贮存于上述处理液贮存部的上述处理液，此时，向上述处理液贮存部供给规定量的上述第二水溶液，并且从上述处理液贮存部排出含有与供给至上述处理液贮存部的上述水溶液中含有的上述药剂的量相同量的药剂的上述处理液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100358229C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN03821638.8
申请日：2003-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: H02P5/00
CPC classification number: H02P27/00
Abstract: 本发明的旋转驱动装置包括通过来自电源(71)的供应电压产生伺服马达(30)的转矩的转矩发生回路(72)，和控制马达旋转的马达控制回路(73)，在转矩发生回路(72)中设置检测供应电压水平和降低时间的电容器(76)，并且可将由该电容器(76)检测出的电压降低信息传递到上位控制器(70)。上位控制器(70)预先记忆可在规定时间内复电的瞬时停电下的电压降低和时间的复电信息，以及与该复电信息相对应的马达的旋转控制方式信息，并且对电压降低信息和复电信息以及马达的旋转控制方式信息进行比较处理，基于该控制信号控制伺服马达(30)的旋转。而且，与驱动中的电压降低相对应地控制旋转，抑制驱动时间的增加，实现生产率的提高和抑制电压降低产生的旋转停止而导致的振动。
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公开(公告)号：CN108511368B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201810161560.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的沸腾状态的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34A)，其贮存处于沸腾状态的处理液，并且通过将基板(8)浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；浓度传感器(55B)，其检测处理液中包含的药液成分的浓度；浓度调整部(7、40、41)，其基于浓度传感器的检测浓度来向处理液添加药液成分或添加稀释液，由此将处理液中包含的药液成分的浓度调整为设定浓度；水头压力传感器(86B)，其检测处理槽内的处理液的水头压力；以及浓度设定值校正运算部(7)，其基于水头压力传感器的检测值来对提供给浓度调整部的设定浓度进行校正。
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公开(公告)号：CN107895702B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201710899650.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质，在同一基板的液处理中变更蚀刻选择比。该基板液处理装置在设置于液处理部(39)的处理槽(34)内贮存磷酸水溶液，将基板浸于处理槽所贮存的磷酸水溶液中，由此对该基板进行处理。在基板浸于处理槽内的磷酸水溶液中的第一期间，利用磷酸水溶液排出部(43)以第一排出流量从液处理部(39)排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部(40)向液处理部供给磷酸水溶液。在另外的第二期间，利用磷酸水溶液排出部以与第一排出流量不同的第二排出流量从液处理部排出磷酸水溶液，并且利用磷酸水溶液供给部向液处理部供给磷酸水溶液。
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公开(公告)号：CN110010528B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910293356.1
申请日：2015-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供基板液体处理装置和基板液体处理方法。在将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理的基板液体处理装置中，能够使用处理液对基板良好地进行处理。在本发明中，将处理液贮存于处理液贮存部，向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液的浓度不同的药剂的第二水溶液并且从上述处理液贮存部排出上述处理液来更新贮存于上述处理液贮存部的上述处理液，此时，向上述处理液贮存部供给规定量的上述第二水溶液，并且从上述处理液贮存部排出含有与供给至上述处理液贮存部的上述水溶液中含有的上述药剂的量相同量的药剂的上述处理液。
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公开(公告)号：CN110610875A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
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