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公开(公告)号：CN113851416A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110672681.6
申请日：2021-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供能够抑制翘曲的载置台和检查装置。载置台包括：载置部，其具有用于载置被检查体的板部件和透光性部件；以及光照射机构，其照射光以使上述被检查体升温，上述板部件和上述透光性部件由线膨胀系数为1.0×10‑6/K以下的低热膨胀材料形成。
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公开(公告)号：CN113406471A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110261917.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供载置台、检查装置以及载置台的翘曲的抑制方法。抑制将由热膨胀率互不相同的材料形成的构件接合而成的载置台的翘曲。载置台供基板载置，包括：顶板部，在其表面载置基板；光照射机构，其具有多个发光元件，以与载置于顶板部的基板相对的方式配置，利用来自发光元件的光加热基板；以及流路形成构件，其以介于顶板部与光照射机构之间的方式与顶板部的背面接合，在其与顶板部之间形成供能使来自发光元件的光透过的制冷剂流动的制冷剂流路，流路形成构件能使来自发光元件的光透过，顶板部和流路形成构件由热膨胀率互不相同的材料形成，载置台还包括利用能透光的物质或能被流路形成构件吸收的波长的光调节流路形成构件的温度的温度调节部。
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公开(公告)号：CN112838041A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011292452.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供能够抑制载置被检查体的载置台因载荷而产生的移位的载置台和检查装置。提供如下载置台：该载置台载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，该载置台包括：第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；加热源，其搭载于所述第1冷却板，该加热源具有多个发光元件，用于加热所述被检查体；透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；第2冷却板，其设于所述透过构件之上，保持所述被检查体，并形成有第2制冷剂流路；以及透明树脂层，其以覆盖所述加热源的方式填充在所述第1冷却板和所述透过构件之间。
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公开(公告)号：CN111650405A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010121103.9
申请日：2020-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
Abstract: 本发明提供一种检查装置中的清洁方法和检查装置，不仅能够进行检查装置内的载置台的清洁、还能够进行探针的清洁。用于对形成于被检查体的被检查器件进行电气特性检查的检查装置中的清洁方法包括以下工序：搬送工序，将用于载置所述被检查体的载置台搬送到与具有在所述电气特性检查时同所述被检查器件接触的探针的探针卡相向的位置；接着为剥离准备工序，对所述探针卡与同该探针卡相向的所述载置台之间的空间进行排气、减压；异物剥离工序，向被减压后的所述空间导入气体，来使附着于所述载置台的表面和所述探针的异物剥离；以及异物排出工序，一边维持所述气体向所述空间的导入，一边对该空间进行排气来排出所述异物。
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公开(公告)号：CN1931453B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200610151435.1
申请日：2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101853779A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010142298.1
申请日：2010-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和排气方法，该排气方法能够防止由于从处理室容器(腔室)排出的排出气体中所含的带电的颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路的堵塞。该排气方法是将基板处理装置的腔室(50)的容器内气体排出的排气方法，其中，该基板处理装置包括：收容处理对象的晶片(W)的腔室(50)；将腔室(50)的容器内气体排出的排气流路(51)；和沿着气体流通方向依次设置在排气流路(51)中的干式泵(52)以及收集排出气体中的有害成分的除害装置(53)，从与干式泵(52)的上游侧的排气流路(51)连接的离子化气体供给管(55)向在排气流路(51)中流动的排出气体中供给离子化气体，对排出气体中所含的带电的颗粒进行除电，与排出气体一起向系统外排出。
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公开(公告)号：CN101552186A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129588.X
申请日：2009-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置任意且精密地控制蚀刻形状。在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，向基座(12)分别施加来自第一和第二高频电源(30、32)的等离子体生成用的第一高频、离子引入用的第一高频。从可变直流电源(74)输出的可变的直流电压VDC通过导通/断开切换开关(76)和滤波器(82)施加在上部电极(60)上。在控制部(80)中使用的软件中编入有用于根据蚀刻工艺的种类、内容、条件而对直流电压VDC时时刻刻地连续地进行可变控制的程序。
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公开(公告)号：CN100514557C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710112597.9
申请日：2007-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括：对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括：设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。
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公开(公告)号：CN100388430C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510067931.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种不损伤基板，可以充分去除附着于基板的背面的异物的基板清洗装置。作为基板清洗装置的等离子体处理装置(1)备有：腔室(10)；配置于该腔室(10)内并载置晶片(W)的基座(11)；配置于该基座(11)，施加高电压的电极板(20)；给所述腔室(10)内排气的粗排放管线；在基座(11)和晶片(W)之间产生空间(S)的顶推销(30)；把N2气体供给到空间(S)的传热气体供给孔(27)，和向腔室10内导入处理气体等的浇淋头(33)，在生成空间S时，极性不同的高电压交互地施加于电极板(20)，N2气体向着晶片(W)的背面喷出到空间(S)，并且腔室(10)内被排气，进而在腔室(10)内被减压时，N2气体向腔室(10)导入。
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公开(公告)号：CN101127302A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710112597.9
申请日：2007-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括：对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括：设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。
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