-
公开(公告)号：CN106688115B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580048716.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件的制造方法(METHOD OF MANUFACTURING S EMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)，其特征在于，该制造方法包括：在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤；使用识别掩模的形状而校正要放置元件的位置的元件移送装置，在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片(semi conductor light emitting chip)的步骤；以及将掩模作为围堰(dam)向各个开口供给密封材料的步骤。
-
公开(公告)号：CN106663734B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580031238.3
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/387 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：第一发光部、第二发光部及第三发光部，各个发光部包括多个半导体层，所述多个半导体层依次层叠具备第一导电性的第一半导体层、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层及具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层而构成；非导电性反射膜，其以覆盖多个半导体层的方式形成，反射在有源层生成的光；第一电极，其以与第一发光部的第一半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的一个；第二电极，其以与第二发光部的第二半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的另一个；及辅助焊盘，其形成在覆盖第三发光部的非导电性反射膜上。
-
公开(公告)号：CN108807635A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810879444.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L2224/14 , H01L2933/0025
Abstract: 半导体发光器件。本发明提供了一种半导体发光器件，包括：多个半导体层，包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于第一半导体层和第二半导体层之间并且经由电子空穴复合产生光的有源层；不导电反射膜，设置在多个半导体层上，用于从有源层向第一半导体层反射光；第一电极和第二电极，设置在不导电反射膜上并且与该不导电反射膜接触，并且与多个半导体层电连接；至少一个指状电极，其在不导电反射膜和多个半导体层之间延伸，至少一个指状电极电连接到第一电极和第二电极中的一方；以及至少一个电连接件，至少一个电连接件将至少一个指状电极连接到第二电极并且穿过不导电反射膜。
-
公开(公告)号：CN108598231A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810343596.3
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；以及形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面的角反射器的不导电反射膜，所述倾斜面对以倾斜角入射在所述不导电反射膜上而向所述分布式布拉格反射器的横向表面传播的光进行反射，所述第一电极和所述第二电极位于所述不导电反射膜上。
-
公开(公告)号：CN108550671A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810343207.7
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子-空穴复合产生光的有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光的不导电反射膜；以及形成在所述多个半导体层与所述不导电反射膜之间，与所述第二半导体层电联通，且分别具有与所述第二电极连接的电连接件的彼此隔开的至少两个第一分支电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108475715A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005645.6
申请日：2017-01-05
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。
-
公开(公告)号：CN108365074A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810343137.5
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L2224/14 , H01L2933/0025
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，包括具有第一半导体层、第二半导体层以及有源层；向第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；形成在第二半导体层上，用于从有源层向在所述生长衬底侧的第一半导体层反射光，且具有双层结构，该双层结构包括分布式布拉格反射器和折射率比第二半导体层的折射率低的电介质膜的不导电反射膜；位于所述第一电极和所述第二电极与所述不导电反射膜之间，且折射率比所述分布式布拉格反射器的有效折射率低的包覆膜；以及位于所述不导电反射膜的下面，与所述第一电极和所述第二电极中的一个电连通的多个连接件。
-
公开(公告)号：CN104471727B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480001069.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/387 , H01L33/405
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：多个半导体层；接触区域，其中，通过部分去除第二半导体层和有源层，而露出第一半导体层；非导电反射膜，该非导电反射膜适于覆盖第二半导体层和接触区域，以向生长基板一侧上的第一半导体层反射来自有源层的光；指状电极，该指状电极在非导电反射膜与多个半导体层之间延伸；电连接部，该电连接部适于穿过非导电反射膜并且与指状电极电连接；以及直连型电连接部，该直连型电连接部适于穿过非导电反射膜并且与多个半导体层电连接。
-
公开(公告)号：CN106571418A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610112045.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体发光装置。公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：主体，其具有将至少一个孔形成在其中的底部、侧壁，以及由所述底部和所述侧壁限定的腔；半导体发光芯片，其放置在每一个孔中，并且包括多个半导体层，所述多个半导体层适于通过电子-空穴复合和电连接至所述多个半导体层的电极来生成光；以及包封构件，该包封构件被至少设置至所述腔，以覆盖所述半导体发光芯片，其中，所述半导体发光芯片的所述电极朝着所述主体的所述底部的下表面露出。
-
公开(公告)号：CN105637658A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056016.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长；第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个；第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；上部电极，其形成在非导电性反射膜上；及电连接器，其贯穿开口而与下部电极接触，并与上部电极电气连通。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.046 seconds)
