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公开(公告)号：CN111656542B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201980010196.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/12 , H01L33/36 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/10
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，基板；第一半导体层，其设置在基板上，具有第一导电性；有源层，其设置在第一半导体层上，通过电子和空穴的再结合而生成紫外线；第二半导体层，其设置在有源层上，具有与第一导电性不同的第二导电性；第一电极，其与第一半导体层电连接；第二电极，其与第二半导体层电连接；第二区域，其具备多个突出部以及设置在多个突出部之间的槽部，多个突出部在截面观察时从第一半导体层突出，并且包括有源层和第二半导体层；以及第一区域，其以包围第二区域的方式形成。
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公开(公告)号：CN108493308A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810343138.X
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/504 , H01L2224/14 , H01L2933/0025
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有双层结构，该双层结构包括通过化学气相沉积法形成的分布式布拉格反射器和通过物理气相沉积形成的电介质膜；以及辅助散热垫，所述散热垫与所述第一电极和所述第二电极一起位于所述不导电反射膜上。
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公开(公告)号：CN108389946A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810324277.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。
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公开(公告)号：CN106688115A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580048716.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件的制造方法(METHOD OF MANUFACTURING S EMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE)，其特征在于，该制造方法包括：在基底上配置形成有多个开口的掩模的步骤；使用识别掩模的形状而校正要放置元件的位置的元件移送装置，在通过各个开口而露出的基底上放置半导体发光芯片(semi conductor light emitting chip)的步骤；以及将掩模作为围堰(dam)向各个开口供给密封材料的步骤。
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公开(公告)号：CN103988322A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201380004184.2
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：第一电极，第一电极向多个半导体层提供电子或电子空穴；第二电极，第二电极用于向所述多个半导体层提供第一电极不提供的空穴或电子空穴；不导电的分布式布拉格反射器，耦接到所述多个半导体层，反射来自有源层的所述光；以及第一透明膜，从相对于不导电分布式布拉格反射器与所述多个半导体层相对的侧耦接到分布式布拉格反射器，并且具有比分布式布拉格反射器的有效折射率低的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111656542A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010196.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/12 , H01L33/36 , H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/10
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，基板；第一半导体层，其设置在基板上，具有第一导电性；有源层，其设置在第一半导体层上，通过电子和空穴的再结合而生成紫外线；第二半导体层，其设置在有源层上，具有与第一导电性不同的第二导电性；第一电极，其与第一半导体层电连接；第二电极，其与第二半导体层电连接；第二区域，其具备多个突出部以及设置在多个突出部之间的槽部，多个突出部在截面观察时从第一半导体层突出，并且包括有源层和第二半导体层；以及第一区域，其以包围第二区域的方式形成。
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公开(公告)号：CN108400214A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810324278.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/46 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/62
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。
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公开(公告)号：CN106415859A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580029434.7
申请日：2015-06-03
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L27/153 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其包括具备第一导电性的第一半导体层、具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；电极，其与多个半导体层电连接；光吸收防止膜，其至少设于电极的周边；及非导电性反射膜，其覆盖多个半导体层、光吸收防止膜及电极，反射来自有源层的光，具备通过光吸收防止膜与电极之间的高度差而在电极的周边反射率下降的异常区域，在从电极的横截面观察时，从电极露出的光吸收防止膜比异常区域更长，以阻断来自有源层的光入射到非导电性反射膜的异常区域侧。
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公开(公告)号：CN103988322B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380004184.2
申请日：2013-07-18
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44
Abstract: 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：第一电极，第一电极向多个半导体层提供电子或电子空穴；第二电极，第二电极用于向所述多个半导体层提供第一电极不提供的空穴或电子空穴；不导电的分布式布拉格反射器，耦接到所述多个半导体层，反射来自有源层的所述光；以及第一透明膜，从相对于不导电分布式布拉格反射器与所述多个半导体层相对的侧耦接到分布式布拉格反射器，并且具有比分布式布拉格反射器的有效折射率低的折射率。
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