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公开(公告)号：CN108400214A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810324278.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/46 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/62
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。
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公开(公告)号：CN108389946A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810324277.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。
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公开(公告)号：CN108389946B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810324277.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其包括，多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长，且包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；第一电极部，其与第一半导体层电气连通；第二电极部，其与第二半导体层电气地连通；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，并且通过蚀刻而减小高度差的露出面构成开口的上缘边，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极、电连接器及上部电极。
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公开(公告)号：CN108598251B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810347403.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层；第一电极，形成在非导电性反射膜，与第一半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，在非导电性反射膜上与第一电极相对形成，与第二半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。
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公开(公告)号：CN106663734B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580031238.3
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/387 , H01L33/50 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：第一发光部、第二发光部及第三发光部，各个发光部包括多个半导体层，所述多个半导体层依次层叠具备第一导电性的第一半导体层、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层及具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层而构成；非导电性反射膜，其以覆盖多个半导体层的方式形成，反射在有源层生成的光；第一电极，其以与第一发光部的第一半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的一个；第二电极，其以与第二发光部的第二半导体层电气性地连通的方式形成，供给电子和空穴中的另一个；及辅助焊盘，其形成在覆盖第三发光部的非导电性反射膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108475715A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005645.6
申请日：2017-01-05
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。
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公开(公告)号：CN105637658A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056016.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0025 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长；第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个；第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；上部电极，其形成在非导电性反射膜上；及电连接器，其贯穿开口而与下部电极接触，并与上部电极电气连通。
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公开(公告)号：CN108475715B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780005645.6
申请日：2017-01-05
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。
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公开(公告)号：CN105637658B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201480056016.2
申请日：2014-10-13
Applicant: 世迈克琉明有限公司
IPC: H01L33/36
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而依次生长；第一电极部，其与第一半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的一个；第二电极部，其与第二半导体层电气连通，并提供电子和空穴中的另一个；及非导电性反射膜，其以将从有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层上，并形成有开口，第一电极部和第二电极部中的至少一个包括：下部电极，其通过开口而露出至少一部分；上部电极，其形成在非导电性反射膜上；及电连接器，其贯穿开口而与下部电极接触，并与上部电极电气连通。
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公开(公告)号：CN108598251A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810347403.1
申请日：2015-06-10
Applicant: 世迈克琉明有限公司
Abstract: 本发明的半导体发光元件，包括：多个半导体层，包括在生长衬底上依次形成的具备第一导电性的第一半导体层、具备第二导电性的第二半导体层及介于第一半导体层与第二半导体层之间，通过电子和空穴的复合而生成光的有源层；非导电性反射膜，以将在有源层生成的光反射到生长衬底侧的方式形成在多个半导体层；第一电极，形成在非导电性反射膜，与第一半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的一个；及第二电极，在非导电性反射膜上与第一电极相对形成，与第二半导体层电气性连通，供给电子和空穴中的另一个，第一电极与第二电极之间的间隔为80μm以上，在俯视图上观察时，第一电极及第二电极相加的面积相对于半导体发光元件的俯视面积的比率为0.7以下。
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