一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN112292015A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011246457.2

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法,该方法包含:步骤1,将MXene分散于去离子水中配置成浓度为0.35g/L~0.75g/L的悬浮液,进行超声分散;步骤2,在0~5℃,向MXene的悬浮液中加入吡咯;步骤3,向吡咯与MXene的混合液中,缓慢滴加氧化剂,滴加完毕后持续搅拌12‑36h,得到MXene/PPy产物;其中,氧化剂与吡咯的物质的量比为1:1~3:1;步骤4,所述的MXene/PPy产物经分离、洗涤、干燥研成粉末;步骤5,将MXene/PPy粉末与液体石蜡混合,得到MXene/PPy复合吸波剂。本发明制备的MXene/PPy复合吸波剂的最大反射损耗为‑32.30dB,涂层厚度仅为1.89mm。并且,当涂层厚度为2.14mm时,该复合吸波剂在11.94‑18GHz较宽频段范围内表现出良好的吸波性能,使其在微波吸收和衰减方面具有广阔应用前景。

    一种具有负介电性能的石墨烯/聚乙烯醇柔性复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN110343276A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910689810.5

    申请日:2019-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种具有负介电性能的石墨烯/聚乙烯醇柔性复合薄膜及其制备方法,该方法包含以下步骤:(1)将聚乙烯醇粉末溶于水中,配制出质量分数为5%的聚乙烯醇溶液;(2)将硅烷偶联剂和石墨烯加入到溶液A中,混合均匀,以对石墨烯进行表面修饰,并获得溶液B;(3)将步骤(2)中的溶液B烘干,获得硅烷偶联剂处理后的石墨烯粉体;(4)将质量分数为5%的聚乙烯醇溶液与硅烷偶联剂处理后的石墨烯粉体混合,获得石墨烯粉体的质量分数在20%以上的浆料;(5)将所述的浆料浇注成型并干燥固化后获得石墨烯/聚乙烯醇柔性复合薄膜。本发明具有制备工艺简单、制备成本低廉和易于规模化生产等特点,并且拓展了柔性复合薄膜的应用空间。

    一种具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110066484A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201910350028.0

    申请日:2019-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种具有负介电性能的碳纳米管-石墨-聚偏氟乙烯三元复合材料及其制备方法,该复合材料由碳纳米管、石墨及聚偏氟乙烯均匀复合形成;碳纳米管和石墨的质量总和占所述三元复合材料的质量百分数为16%~20%,余量为聚偏氟乙烯;其中,碳纳米管和石墨的质量比为(1:1)~(1:10)。本发明的方法包含以下步骤:步骤(1),分别称量碳纳米管粉体、石墨粉体和聚偏氟乙烯粉体;步骤(2),将粉体混合分散均匀;步骤(3),将混匀后的粉体放入模具中,进行冷压成型。本发明的“三元”复合材料,在传统两元复合材料的基础上引入新的功能体变量,使得复合材料具有弱负介电性能,并且负介电常数的值更容易调控。

    具有介电常数的APU/Cu柔性复合薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN108912357A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810575979.3

    申请日:2018-06-06

    CPC classification number: C08J5/18 C08J2375/14 C08K2003/085

    Abstract: 本发明公开了一种具有介电常数的APU/Cu柔性复合薄膜及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤:步骤1:将铜粉加入到丙烯酸聚氨酯中,并进行机械搅拌;步骤2:将机械搅拌后的溶液进行超声震荡;步骤3:将超声震荡后的溶液喷涂在基板上;步骤4:室温下冷却,制得具有介电常数的APU/Cu柔性复合薄膜。本发明利用丙烯酸聚氨酯优异的耐温性,通过掺杂铜粉,在保证工艺简便、制造成本低的前提下得到了一种近乎不受温度和频率影响且具有一定介电常数、低损耗的柔性复合薄膜。本发明扩展了高分子基介电材料在温变,中低频等相对恶劣环境的适用范围,拓宽了电气电子器件的使用局限,为以后的微电子领域集成化发展起到了一定的推进作用。

    一种基于莱洛三角形的减振装置及方法

    公开(公告)号:CN119084526A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411562071.0

    申请日:2024-11-05

    Abstract: 本发明提供一种基于莱洛三角形的减振装置及方法,包括机械减振装置、莱洛三角体材料隔振件、减振装置主体外壳以及减振弹簧连接装置,机械减振装置通过转子柱与三组液压连杆协同工作,将纵向受力转化为水平面的转动,从而有效实现减振;莱洛三角体材料隔振件表面阵列布置了多个莱洛三角形减振槽,利用莱洛三角形的等宽特性,使得三边受力均匀分布,进一步增强了减振效果;所述减振弹簧连接装置采用双向虹膜结构,可轻松实现减振弹簧的连接与更换,且连接可靠耐用;本发明采用械减振装置与莱洛三角体材料隔振件相结合,抗冲击能力强,能有效降低震动,提高减振装置的安全性;且所述莱洛三角体材料隔振件不受基材的限制,承载能力强,可长期安全稳定工作。

    一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN112292015B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202011246457.2

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法,该方法包含:步骤1,将MXene分散于去离子水中配置成浓度为0.35g/L~0.75g/L的悬浮液,进行超声分散;步骤2,在0~5℃,向MXene的悬浮液中加入吡咯;步骤3,向吡咯与MXene的混合液中,缓慢滴加氧化剂,滴加完毕后持续搅拌12‑36h,得到MXene/PPy产物;其中,氧化剂与吡咯的物质的量比为1:1~3:1;步骤4,所述的MXene/PPy产物经分离、洗涤、干燥研成粉末;步骤5,将MXene/PPy粉末与液体石蜡混合,得到MXene/PPy复合吸波剂。本发明制备的MXene/PPy复合吸波剂的最大反射损耗为‑32.30dB,涂层厚度仅为1.89mm。并且,当涂层厚度为2.14mm时,该复合吸波剂在11.94‑18GHz较宽频段范围内表现出良好的吸波性能,使其在微波吸收和衰减方面具有广阔应用前景。

    一种柔性衬底卷曲量子阱薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112201708B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202011032935.X

    申请日:2020-09-27

    Inventor: 张飞 孙凯 范润华

    Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底卷曲量子阱薄膜材料及其制备方法,所述方法包括如下步骤:取已经图形转移且镀好电极的应变薄膜;应变薄膜包括:GaAs基底、设在所述GaAs基底上的牺牲层、设在所述牺牲层上的待卷曲层;电极设在待卷曲层上;取粘结剂及导热片,通过粘结剂粘结GaAs基底和导热片,以获得试样;在试样上旋涂光刻胶,然后烘干、光刻、显影;在GaAs基底和导热片的接缝处涂覆光刻胶,烘干;腐蚀去除部分牺牲层;通过有机溶剂去除光刻胶;通过第二清洗溶剂清洗试样,之后将试样浸入盛有去离子水的容器中,并将容器放在加热板上加热,以干燥试样。本发明无需使用CPD,通过粘贴导热片,提高了应变薄膜基底的韧性并可用于干燥。

    一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113943882A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111346335.5

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用,该方法包含以下步骤:步骤1,称取BiFeO3粉体;步骤2,将BiFeO3与适量Ag2O球磨混合,其中,BiFeO3与Ag元素的摩尔比为2:1~1:2,将BiFeO3与Ag2O的混合物记做第一粉体;步骤3,向所述的第一粉体中加入粘合剂和去离子水进行造粒;步骤4,对造粒后的粉体进行压片成型、排胶、高温烧结,得到所述的Ag/BiFeO3金属陶瓷。制备得到的Ag/BiFeO3金属陶瓷在较低频率下(10kHz‑1MHz)展现出良好的温度稳定性,在较高频率下(10MHz‑1GHz)随着含银量的变化体现出了不同类型的负介电行为,除在电磁波衰减、吸收领域外,在介质电容器、电磁波衰减及吸收、高功率滤波器、谐振器等方面有着良好的应用前景。

    一种低介电损耗负介材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113736259A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202111038610.7

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法,该方法包含以下步骤:步骤1,制备AgNWs乙醇浆料,其中,AgNWs具有高长径比;步骤2,将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中,得到基体浆料;步骤3,将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合,干燥;其中,AgNWs在混合物中的质量含量不高于7%;步骤4,压制成型,制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性,容易在材料内部形成逾渗网络,获得低逾渗阈值,进而有效降低介电损耗。特别地,当AgNWs的含量达到7wt.%,复合材料表现出低的介电损耗,其损耗正切角在GHz频段内低于0.1,在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。

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