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公开(公告)号:CN108675794B
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN201810575626.3
申请日:2018-06-06
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有可调控负介电性能的陶瓷材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:混料:按质量百分比计,以80%~20%的氮化钛粉体和20%~80%的氧化钛粉体为原料进行混合,得到混合粉体;步骤2:造粒、压坯:向混合粉体内加入粘结剂,研磨造粒,再经压制成型得到坯体;步骤3:烧结:将坯体置于保护气氛中进行烧结,得到具有可调控负介电性能的陶瓷材料。烧结纯的氮化钛陶瓷比较困难,且其负介电常数的绝对值较大,本发明的关键在于引入氧化钛作为原料,一方面利用其在高温下与氮化钛发生的固溶反应促进烧结,另一方面利用固溶反应产生的氮氧化钛固溶物调控负介电常数的数值。本发明制备成本较低,操作简单,性能处理可观。
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公开(公告)号:CN110136910B
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN201910501537.9
申请日:2019-06-11
Applicant: 上海海事大学 , 上海前瞻创新研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料及其制备方法,该制备方法包含以下步骤:(1)将异丙醇铝、正硅酸乙酯、硼酸和氢氧化钾溶于有机溶剂中,完全溶解后移至反应釜,保温以获得透明胶体状的SiO2‑Al2O3包覆层材料;(2)用油酸对羰基铁粉进行表面改性;(3)加入粘结剂,并与所述的SiO2‑Al2O3包覆层材料及改性后的羰基铁粉混合,以获得具有绝缘包覆层的羰基铁粉核壳颗粒;(4)加入还原铁粉,将羰基铁粉核壳颗粒与还原铁粉球磨混合;(5)将球磨混合后的粉末压制成型;(6)将压制后的材料进行退火处理。本发明在降低涡流损耗的同时,有效降低了材料的低频磁滞损耗,同时还具有较高的磁导率与饱和磁通密度。
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公开(公告)号:CN109880296A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910155783.3
申请日:2019-03-01
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属网/环氧树脂复合材料中逆向设计负介电材料的方法,其包含以下步骤:步骤1,将若干个金属网放入已知浓度的酸溶液中,使酸溶液对所述金属网分别腐蚀不同的时间;步骤2,将液态环氧树脂和有机溶剂混合均匀后,加入固化剂并混匀,得到混合液;步骤3,将酸溶液腐蚀后的金属网分别浸入所述混合液,使环氧树脂渗入金属网中;得到金属网/环氧树脂复合材料;步骤4,使金属网/环氧树脂复合材料在真空条件下干燥;步骤5,检测步骤4中干燥后的金属网/环氧树脂复合材料的负介电常数,如果不符合要求,则重复步骤1至步骤4,并重新设计酸溶液对金属网腐蚀的时间,直至制备得到负介电常数符合要求的金属网/环氧树脂复合材料。
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公开(公告)号:CN108912357B
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN201810575979.3
申请日:2018-06-06
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种具有介电常数的APU/Cu柔性复合薄膜及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤:步骤1:将铜粉加入到丙烯酸聚氨酯中,并进行机械搅拌;步骤2:将机械搅拌后的溶液进行超声震荡;步骤3:将超声震荡后的溶液喷涂在基板上;步骤4:室温下冷却,制得具有介电常数的APU/Cu柔性复合薄膜。本发明利用丙烯酸聚氨酯优异的耐温性,通过掺杂铜粉,在保证工艺简便、制造成本低的前提下得到了一种近乎不受温度和频率影响且具有一定介电常数、低损耗的柔性复合薄膜。本发明扩展了高分子基介电材料在温变,中低频等相对恶劣环境的适用范围,拓宽了电气电子器件的使用局限,为以后的微电子领域集成化发展起到了一定的推进作用。
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公开(公告)号:CN110066484B
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201910350028.0
申请日:2019-04-28
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种具有负介电性能的碳纳米管‑石墨‑聚偏氟乙烯三元复合材料及其制备方法,该复合材料由碳纳米管、石墨及聚偏氟乙烯均匀复合形成;碳纳米管和石墨的质量总和占所述三元复合材料的质量百分数为16%~20%,余量为聚偏氟乙烯;其中,碳纳米管和石墨的质量比为(1:1)~(1:10)。本发明的方法包含以下步骤:步骤(1),分别称量碳纳米管粉体、石墨粉体和聚偏氟乙烯粉体;步骤(2),将粉体混合分散均匀;步骤(3),将混匀后的粉体放入模具中,进行冷压成型。本发明的“三元”复合材料,在传统两元复合材料的基础上引入新的功能体变量,使得复合材料具有弱负介电性能,并且负介电常数的值更容易调控。
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公开(公告)号:CN108675794A
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:CN201810575626.3
申请日:2018-06-06
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/58014 , C04B35/622 , C04B2235/3232 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658
Abstract: 本发明公开了一种具有可调控负介电性能的陶瓷材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:混料:按质量百分比计,以80%~20%的氮化钛粉体和20%~80%的氧化钛粉体为原料进行混合,得到混合粉体;步骤2:造粒、压坯:向混合粉体内加入粘结剂,研磨造粒,再经压制成型得到坯体;步骤3:烧结:将坯体置于保护气氛中进行烧结,得到具有可调控负介电性能的陶瓷材料。烧结纯的氮化钛陶瓷比较困难,且其负介电常数的绝对值较大,本发明的关键在于引入氧化钛作为原料,一方面利用其在高温下与氮化钛发生的固溶反应促进烧结,另一方面利用固溶反应产生的氮氧化钛固溶物调控负介电常数的数值。本发明制备成本较低,操作简单,性能处理可观。
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公开(公告)号:CN109880296B
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:CN201910155783.3
申请日:2019-03-01
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属网/环氧树脂复合材料中逆向设计负介电材料的方法,其包含以下步骤:步骤1,将若干个金属网放入已知浓度的酸溶液中,使酸溶液对所述金属网分别腐蚀不同的时间;步骤2,将液态环氧树脂和有机溶剂混合均匀后,加入固化剂并混匀,得到混合液;步骤3,将酸溶液腐蚀后的金属网分别浸入所述混合液,使环氧树脂渗入金属网中;得到金属网/环氧树脂复合材料;步骤4,使金属网/环氧树脂复合材料在真空条件下干燥;步骤5,检测步骤4中干燥后的金属网/环氧树脂复合材料的负介电常数,如果不符合要求,则重复步骤1至步骤4,并重新设计酸溶液对金属网腐蚀的时间,直至制备得到负介电常数符合要求的金属网/环氧树脂复合材料。
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公开(公告)号:CN108929542B
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201810902070.4
申请日:2018-08-09
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种具有负介电常数的聚二甲基硅氧烷/石墨烯柔性复合薄膜及其制备方法。将聚二甲基硅氧烷的前驱体和固化剂与非极性的有机溶剂混合均匀后的溶液中加入质量分数为3%~4%的石墨烯,非极性的有机溶剂与前驱体质量相等;石墨烯均匀分散于溶液中形成混合浆料,取混合浆料倒在平板上,使混合浆料均匀涂覆在平板表面,固化处理并从平板上剥离后得到聚二甲基硅氧烷/石墨烯柔性复合薄膜。该复合薄膜的厚度为0.1~2 mm。本发明提供的柔性复合薄膜具有负的介电常数,具有工艺简便、成本低和易于规模化生产的特点,在可穿戴设备、传感器、隐身斗篷和柔性电子器件等领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号:CN108393487B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201810575436.1
申请日:2018-06-06
Abstract: 本发明公开了一种基于金属粉绝缘包覆的负介电材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:制备二氧化硅绝缘包覆的金属粉;步骤2:将绝缘包覆的金属粉和未处理的金属粉按0‑1.5:1的质量比进行混合,得到混合金属粉;步骤3:将混合金属粉与环氧树脂粉料按1‑4:1的质量比进行混合,得到复合粉料;步骤4:将复合粉料加工成型,得到基于金属粉绝缘包覆的负介电材料。本发明所制备的基于金属粉绝缘包覆的负介电材料的负介电常数在10MHz‑1GHz频段内可调,负介电常数大小在‑2000到0范围内可精确调控。调控方法主要为,通过调控绝缘包覆的金属粉与未包覆的金属粉的比例、以及与环氧树脂的比例,操作简单,成本低。
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公开(公告)号:CN110027270A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201910463704.5
申请日:2019-05-30
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种三明治结构的高介电柔性复合薄膜及其制备方法,该复合薄膜由三层结构层叠组成,所述的三层结构分别为:具有正介电常数的第一外侧层、具有负介电常数的中间层、及具有正介电常数的第二外侧层;所述的中间层设于所述的第一外侧层和所述的第二外侧层之间。该复合薄膜以有机硅橡胶为柔性基体,碳纳米管(CNTs)为功能填料。本发明通过原位聚合的方法制备出具有三明治结构的高介电柔性复合薄膜,该复合薄膜在保证良好柔性的同时,具有较高的介电常数。
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