一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113943882A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111346335.5

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用,该方法包含以下步骤:步骤1,称取BiFeO3粉体;步骤2,将BiFeO3与适量Ag2O球磨混合,其中,BiFeO3与Ag元素的摩尔比为2:1~1:2,将BiFeO3与Ag2O的混合物记做第一粉体;步骤3,向所述的第一粉体中加入粘合剂和去离子水进行造粒;步骤4,对造粒后的粉体进行压片成型、排胶、高温烧结,得到所述的Ag/BiFeO3金属陶瓷。制备得到的Ag/BiFeO3金属陶瓷在较低频率下(10kHz‑1MHz)展现出良好的温度稳定性,在较高频率下(10MHz‑1GHz)随着含银量的变化体现出了不同类型的负介电行为,除在电磁波衰减、吸收领域外,在介质电容器、电磁波衰减及吸收、高功率滤波器、谐振器等方面有着良好的应用前景。

    一种低介电损耗负介材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113736259A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202111038610.7

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法,该方法包含以下步骤:步骤1,制备AgNWs乙醇浆料,其中,AgNWs具有高长径比;步骤2,将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中,得到基体浆料;步骤3,将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合,干燥;其中,AgNWs在混合物中的质量含量不高于7%;步骤4,压制成型,制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性,容易在材料内部形成逾渗网络,获得低逾渗阈值,进而有效降低介电损耗。特别地,当AgNWs的含量达到7wt.%,复合材料表现出低的介电损耗,其损耗正切角在GHz频段内低于0.1,在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。

    一种低介电损耗负介材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113736259B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202111038610.7

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法,该方法包含以下步骤:步骤1,制备AgNWs乙醇浆料,其中,AgNWs具有高长径比;步骤2,将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中,得到基体浆料;步骤3,将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合,干燥;其中,AgNWs在混合物中的质量含量不高于7%;步骤4,压制成型,制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性,容易在材料内部形成逾渗网络,获得低逾渗阈值,进而有效降低介电损耗。特别地,当AgNWs的含量达到7wt.%,复合材料表现出低的介电损耗,其损耗正切角在GHz频段内低于0.1,在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。

    一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113943882B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202111346335.5

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用,该方法包含以下步骤:步骤1,称取BiFeO3粉体;步骤2,将BiFeO3与适量Ag2O球磨混合,其中,BiFeO3与Ag元素的摩尔比为2:1~1:2,将BiFeO3与Ag2O的混合物记做第一粉体;步骤3,向所述的第一粉体中加入粘合剂和去离子水进行造粒;步骤4,对造粒后的粉体进行压片成型、排胶、高温烧结,得到所述的Ag/BiFeO3金属陶瓷。制备得到的Ag/BiFeO3金属陶瓷在较低频率下(10kHz‑1MHz)展现出良好的温度稳定性,在较高频率下(10MHz‑1GHz)随着含银量的变化体现出了不同类型的负介电行为,除在电磁波衰减、吸收领域外,在介质电容器、电磁波衰减及吸收、高功率滤波器、谐振器等方面有着良好的应用前景。

    基于电容电感协同效应的高介电、低损耗材料及制备方法

    公开(公告)号:CN112389038A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202011155775.8

    申请日:2020-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于电容电感协同效应的高介电、低损耗材料及制备方法,包括:步骤一,称取不同质量分数的石墨烯分别与聚偏氟乙烯混合,粉碎后干燥,得到第一混合粉体和第二混合粉体;所述的第一混合粉体石墨烯的质量分数为0‑6wt.%;所述的第二混合粉体石墨烯的质量分数为6‑18wt.%。步骤二,将所述的第一混合粉体压制成型,得到单层材料;步骤三,将所述的第二混合粉体中倒入步骤二制得的单层材料上,压制成型,制得具有双层结构的高介电、低损耗的材料。本发明以石墨烯粉体为导电功能相,制备出具有电感、电容特性的单层块体材料,依次叠加制备出电感‑电容、电容‑电感‑电容叠层材料,具有高介电、低损耗的特点,有利于大规模生产。

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