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公开(公告)号：CN112292015A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011246457.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海海事大学 , 上海前瞻创新研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法，该方法包含：步骤1，将MXene分散于去离子水中配置成浓度为0.35g/L～0.75g/L的悬浮液，进行超声分散；步骤2，在0～5℃，向MXene的悬浮液中加入吡咯；步骤3，向吡咯与MXene的混合液中，缓慢滴加氧化剂，滴加完毕后持续搅拌12‑36h，得到MXene/PPy产物；其中，氧化剂与吡咯的物质的量比为1:1～3:1；步骤4，所述的MXene/PPy产物经分离、洗涤、干燥研成粉末；步骤5，将MXene/PPy粉末与液体石蜡混合，得到MXene/PPy复合吸波剂。本发明制备的MXene/PPy复合吸波剂的最大反射损耗为‑32.30dB，涂层厚度仅为1.89mm。并且，当涂层厚度为2.14mm时，该复合吸波剂在11.94‑18GHz较宽频段范围内表现出良好的吸波性能，使其在微波吸收和衰减方面具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN112292015B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202011246457.2
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海海事大学 , 上海前瞻创新研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法，该方法包含：步骤1，将MXene分散于去离子水中配置成浓度为0.35g/L～0.75g/L的悬浮液，进行超声分散；步骤2，在0～5℃，向MXene的悬浮液中加入吡咯；步骤3，向吡咯与MXene的混合液中，缓慢滴加氧化剂，滴加完毕后持续搅拌12‑36h，得到MXene/PPy产物；其中，氧化剂与吡咯的物质的量比为1:1～3:1；步骤4，所述的MXene/PPy产物经分离、洗涤、干燥研成粉末；步骤5，将MXene/PPy粉末与液体石蜡混合，得到MXene/PPy复合吸波剂。本发明制备的MXene/PPy复合吸波剂的最大反射损耗为‑32.30dB，涂层厚度仅为1.89mm。并且，当涂层厚度为2.14mm时，该复合吸波剂在11.94‑18GHz较宽频段范围内表现出良好的吸波性能，使其在微波吸收和衰减方面具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN114163815B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202111600998.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层复合材料及其制备方法，包含：S1，将MWCNTs与基体材料混合，其中MWCNTs的质量分数为1‑10wt％；混合后球磨；然后烘干；基体材料选取PI、聚偏氟乙烯，聚乙烯醇中的一种；S2，将绝缘纳米填料均匀分散在步骤S1得到的混合物中；分散后，所述的绝缘纳米填料在混合物中的质量分数为0‑5wt％；绝缘纳米填料选取SiO2或Al2O3；S3，热压制备叠层复合材料。本发明通过设置近零负介的中间层，在提高介电常数的同时，能够保持较低的损耗，制备的近零负介材料以及叠层复合材料在介电增强领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN112624768B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110018014.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 上海海事大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法，包括：步骤1，分别称量氮化钛、多壁碳纳米管和钛酸铜钙后混合，其中多碳纳米管的质量占混合物总质量的6‑12％，将混合物粉碎，得到浆料；步骤2，浆料干燥后研磨，得到粉体；步骤3，将聚乙烯醇加入粉体后造粒，干压成型，得到坯体；步骤4，烧结坯体，得到陶瓷基三元复合材料。与金属材料、纯氮化钛等相比，本发明制备的氮化钛/多壁碳纳米管/钛酸铜钙三元复合材料的负介电常数低于200，在特定频率附近可以趋近于零，特别是在军事领域大功率微波器件、衰减瓷等方面具有重要应用价值。本发明提出的制备技术具有工艺简便，可以实现产品的批量化生产，具有很好的技术转化前景。
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公开(公告)号：CN112624768A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110018014.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 上海海事大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法，包括：步骤1，分别称量氮化钛、多壁碳纳米管和钛酸铜钙后混合，其中多碳纳米管的质量占混合物总质量的6‑12％，将混合物粉碎，得到浆料；步骤2，浆料干燥后研磨，得到粉体；步骤3，将聚乙烯醇加入粉体后造粒，干压成型，得到坯体；步骤4，烧结坯体，得到陶瓷基三元复合材料。与金属材料、纯氮化钛等相比，本发明制备的氮化钛/多壁碳纳米管/钛酸铜钙三元复合材料的负介电常数低于200，在特定频率附近可以趋近于零，特别是在军事领域大功率微波器件、衰减瓷等方面具有重要应用价值。本发明提出的制备技术具有工艺简便，可以实现产品的批量化生产，具有很好的技术转化前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113736259B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111038610.7
申请日：2021-09-06
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法，该方法包含以下步骤：步骤1，制备AgNWs乙醇浆料，其中，AgNWs具有高长径比；步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；步骤3，将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，AgNWs在混合物中的质量含量不高于7％；步骤4，压制成型，制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性，容易在材料内部形成逾渗网络，获得低逾渗阈值，进而有效降低介电损耗。特别地，当AgNWs的含量达到7wt.％，复合材料表现出低的介电损耗，其损耗正切角在GHz频段内低于0.1，在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。
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公开(公告)号：CN113943882B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111346335.5
申请日：2021-11-15
Applicant: 上海海事大学
IPC: C22C29/12 , C22C1/05 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F9/04 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用，该方法包含以下步骤：步骤1，称取BiFeO3粉体；步骤2，将BiFeO3与适量Ag2O球磨混合，其中，BiFeO3与Ag元素的摩尔比为2:1～1:2，将BiFeO3与Ag2O的混合物记做第一粉体；步骤3，向所述的第一粉体中加入粘合剂和去离子水进行造粒；步骤4，对造粒后的粉体进行压片成型、排胶、高温烧结，得到所述的Ag/BiFeO3金属陶瓷。制备得到的Ag/BiFeO3金属陶瓷在较低频率下(10kHz‑1MHz)展现出良好的温度稳定性，在较高频率下(10MHz‑1GHz)随着含银量的变化体现出了不同类型的负介电行为，除在电磁波衰减、吸收领域外，在介质电容器、电磁波衰减及吸收、高功率滤波器、谐振器等方面有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112389038A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011155775.8
申请日：2020-10-26
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电容电感协同效应的高介电、低损耗材料及制备方法，包括：步骤一，称取不同质量分数的石墨烯分别与聚偏氟乙烯混合，粉碎后干燥，得到第一混合粉体和第二混合粉体；所述的第一混合粉体石墨烯的质量分数为0‑6wt.％；所述的第二混合粉体石墨烯的质量分数为6‑18wt.％。步骤二，将所述的第一混合粉体压制成型，得到单层材料；步骤三，将所述的第二混合粉体中倒入步骤二制得的单层材料上，压制成型，制得具有双层结构的高介电、低损耗的材料。本发明以石墨烯粉体为导电功能相，制备出具有电感、电容特性的单层块体材料，依次叠加制备出电感‑电容、电容‑电感‑电容叠层材料，具有高介电、低损耗的特点，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN113943882A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111346335.5
申请日：2021-11-15
Applicant: 上海海事大学
IPC: C22C29/12 , C22C1/05 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F9/04 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用，该方法包含以下步骤：步骤1，称取BiFeO3粉体；步骤2，将BiFeO3与适量Ag2O球磨混合，其中，BiFeO3与Ag元素的摩尔比为2:1～1:2，将BiFeO3与Ag2O的混合物记做第一粉体；步骤3，向所述的第一粉体中加入粘合剂和去离子水进行造粒；步骤4，对造粒后的粉体进行压片成型、排胶、高温烧结，得到所述的Ag/BiFeO3金属陶瓷。制备得到的Ag/BiFeO3金属陶瓷在较低频率下(10kHz‑1MHz)展现出良好的温度稳定性，在较高频率下(10MHz‑1GHz)随着含银量的变化体现出了不同类型的负介电行为，除在电磁波衰减、吸收领域外，在介质电容器、电磁波衰减及吸收、高功率滤波器、谐振器等方面有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113736259A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111038610.7
申请日：2021-09-06
Applicant: 上海海事大学
Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法，该方法包含以下步骤：步骤1，制备AgNWs乙醇浆料，其中，AgNWs具有高长径比；步骤2，将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中，得到基体浆料；步骤3，将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合，干燥；其中，AgNWs在混合物中的质量含量不高于7％；步骤4，压制成型，制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性，容易在材料内部形成逾渗网络，获得低逾渗阈值，进而有效降低介电损耗。特别地，当AgNWs的含量达到7wt.％，复合材料表现出低的介电损耗，其损耗正切角在GHz频段内低于0.1，在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。
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