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公开(公告)号：CN113161501B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110445365.5
申请日：2021-04-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种提高OLED热稳定性的器件工艺，通过对空穴注入层和电子注入层的界面层掺杂从而降低了OLED器件各层能级之间的势垒，这不仅提高了OLED器件的效率，还使得OLED器件在同样的高温环境下拥有了更低的效率滚降。即提升了高温热环境下的OLED器件性能，延长的器件的使用寿命，还拓宽了OLED的适用条件范围。
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公开(公告)号：CN111929755A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010854365.6
申请日：2020-08-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体复合结构及半透明有机太阳能电池。该光子晶体复合结构包括：第一光子晶体、第二光子晶体和微腔结构；第二光子晶体的下表面设置在第一光子晶体的上表面，微腔结构的下表面设置在第二光子晶体的上表面；第一光子晶体的材料与第二光子晶体的材料相同，第一光子晶体的材料的厚度与第二光子晶体的材料的厚度不同，第一光子晶体的中心波长与第二光子晶体的中心波长互补；第一光子晶体和第二光子晶体均用于反射光子；微腔结构的材料与第一光子晶体的材料不同，微腔结构的材料具有复折射率；微腔结构用于实现光的相长干涉。采用本发明的装置，能够增强电池器件的光吸收，以及电池器件透射光的色纯度，实现透射光色彩的多样性。
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公开(公告)号：CN109950424A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910342805.7
申请日：2019-04-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明提供了一种OLED薄膜封装层及其制备方法，属于OLED薄膜封装技术领域。本发明提供的OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO2和MoO3的混合物或者WO2和WO3的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。本发明提供的金属氧化物层通过吸收渗入到OLED器件中的水氧，达到了防护作用，从而大幅度延长了OLED器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108914061A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810758560.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C23C14/0623 , B82Y40/00 , C01G39/06 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开一种基于柔性基板的二硫化钼纳米点阵列的制备方法及系统。所述制备方法包括：将溅射有铟锡氧化物薄膜的柔性基板进行清洗，得到洁净基板；将所述洁净基板进行烘干，得到干燥基板；将所述干燥洁净的柔性基板和MoS2粉末放置在真空蒸镀仪中，对MoS2粉末加热升华，使它在干燥洁净的柔性基板上凝华，得到MoS2纳米点阵列。采用本发明的基于柔性基板的MoS2纳米点阵列的制备方法或系统直接利用高真空蒸镀仪加热，将MoS2粉末蒸镀至柔性基板上，能够制备一系列大小、数量可控的纳米点阵，且制得的成品质量较高，可以直接应用到其它柔性器件的制备中。
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公开(公告)号：CN108899432A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810743241.3
申请日：2018-07-09
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L51/5212 , H01L27/3227 , H01L51/0046 , H01L51/5024 , H01L51/5228 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光与光伏一体化器件的制备方法。该方法包括：在透明衬底上制备铟锡氧化物导电阳极，得到带有铟锡氧化物导电阳极的基板；对所述基板进行清洗和烘干；采用真空蒸镀制膜方法在基板的阳极上沉积制备阳极缓冲层；采用真空蒸镀制膜方法在阳极缓冲层上沉积制备电子给体层；采用真空蒸镀制膜方法在电子给体层上沉积制备电子受体层；采用真空蒸镀制膜方法在电子受体层上沉积制备阴极缓冲层；采用真空蒸镀制膜方法在阴极缓冲层上沉积制备阴极，得到有机电致发光与光伏一体化器件；将有机电致发光与光伏一体化器件进行后退火处理。本发明提供的有机电致发光与光伏一体化器件的制备方法丰富和优化了器件的性能，提高了器件的利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206982B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610652980.2
申请日：2016-08-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法，其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底；将所述柔性基底，位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层，或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下，组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板，其过程采用鼓泡法，腐蚀基底法，热释放法的任意一种，转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性，提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果，可以普遍应用于各种结构的光电器件，并进一步提高器件的光电效率。
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公开(公告)号：CN105307304A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510659899.2
申请日：2015-10-14
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02B20/36
Abstract: 本发明公开了一种OPV驱动的OLED光源及其制备方法，OPV采集太阳光存储到能量存储器与控制器中，能量存储器与控制器由有机材料制成，将能量存储器与控制器、OPV和OLED进行组装，OPV、能量存储器和OLED皆为透明或半透明器件，通过层叠组装结合嵌入组装方式形成板状的集成系统，能量存储器与控制器控制能量存储器自动向OLED供电，从而实现OPV驱动的OLED光源发光，OPV的活性层具有双层结构，活性层由窄禁带宽度材料制成，OLED的双发射层由客体材料以低浓度掺杂在主体分子材料中形成。本发明集成系统采用全有机材料，制成半透明的集成系统，制备成本较低、环境友好、工艺简单，为未来照明行业提供了一种全新的思路，制备成品用途广泛。
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公开(公告)号：CN104310304A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410564829.4
申请日：2014-10-22
Applicant: 上海大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种可控尺寸及表面结构的纳米柱阵列制备方法，对SiO2纳米粒子进行表面改性，使其具有亲水及疏水的双亲性；然后用Langmuir-Blodget膜技术在衬底上沉积SiO2单层膜；用各向同性反应离子刻蚀技术刻蚀SiO2进一步改变SiO2纳米粒子的尺寸；将沉积的SiO2粒子作为刻蚀掩膜板分别用各向异性的深度反应离子刻蚀技术及感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀硅；用氢氟酸腐蚀掉残余的SiO2粒子，最终得到可控尺寸及可控表面结构的纳米柱阵列。本发明有效克服了电子束曝光高成本及批量加工方法的限制，可以有效地降低太阳电池的表面反射率，提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101562192A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910052045.2
申请日：2009-05-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光照明用显示器及其制作方法。本显示器包括ITO基板玻璃、有机材料层、金属电极和封盖，ITO基板玻璃上有一层具有点阵式分布孔的导热功能层，导热功能层之点阵分部孔中为所述有机材料层，在所述有机材料层和导热功能层上为和所述金属电极，最上面是封盖。本方法是：在ITO玻璃基板上制备具有点阵式分布孔的导热功能层，然后依次蒸镀上有机材料层和条形金属电极，最后经过封装工艺形成。本发明利用导热功能层，实现良好、快速散热，使显示器具有良好散热功能。本发明采用的方法，降低了显示上杂质微粒存在影响几率，尤其具有高效、节能、环保性能。
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公开(公告)号：CN101388342A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810201965.1
申请日：2008-10-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/368
Abstract: 本发明涉及一种全溶液加工法制备无机薄膜三极管TFT的方法。该方法采用全溶液加工法来制备三极管的绝缘层TiO2和有缘层ZnO，具体步骤如下：a)采用热液法或者溶胶凝胶法将TiO2和ZnO制备成浓度为0.05ml－0.1ml的溶液；b)将步骤a中得到的ZnO和TiO2通过旋涂法、提拉法或滴定覆盖法涂敷在衬底电极上，形成ZnO和TiO2薄膜，ZnO薄膜通过高温退火或者激光退火工艺形成微晶化。本发明可以在小于500℃的低温下制备TiO2薄膜和ZnO薄膜，工艺相对简单，有助于降低制备成本，加快制备速度，十分有利于进行产业化。并可在玻璃等廉价材料上制备，与弹性、塑性材料工艺兼容。可得到有高介电常数的绝缘层以及极高电荷迁移率的有源层的TFT器件，它具有毫安级大电流密度，以及高达数万的电流开关比，能够驱动低压OLED。
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