公开(公告)号：CN113161501B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110445365.5

申请日：2021-04-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 李抒哲 ,  赵云平 ,  樊毓轩 ,  徐晗飞 ,  高晓辉 ,  兰伟霞 ,  魏斌

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种提高OLED热稳定性的器件工艺，通过对空穴注入层和电子注入层的界面层掺杂从而降低了OLED器件各层能级之间的势垒，这不仅提高了OLED器件的效率，还使得OLED器件在同样的高温环境下拥有了更低的效率滚降。即提升了高温热环境下的OLED器件性能，延长的器件的使用寿命，还拓宽了OLED的适用条件范围。

公开(公告)号：CN113161501A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110445365.5

申请日：2021-04-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 李抒哲 ,  赵云平 ,  樊毓轩 ,  徐晗飞 ,  高晓辉 ,  兰伟霞 ,  魏斌

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种提高OLED热稳定性的器件工艺，通过对空穴注入层和电子注入层的界面层掺杂从而降低了OLED器件各层能级之间的势垒，这不仅提高了OLED器件的效率，还使得OLED器件在同样的高温环境下拥有了更低的效率滚降。即提升了高温热环境下的OLED器件性能，延长的器件的使用寿命，还拓宽了OLED的适用条件范围。

公开(公告)号：CN113161509A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110445342.4

申请日：2021-04-25

Applicant: 上海大学

Inventor： 赵云平 ,  李抒哲 ,  徐海洋 ,  曲明镐 ,  樊毓轩 ,  张震 ,  魏斌

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

Abstract: 本发明公开了一种非真空制备的OLED器件及其制备方法，该器件包括玻璃基板、阴极、阳极和有机功能层，是通过旋涂法、压贴法等物理非真空方法制备，不仅可通过改变旋涂速度、旋涂时间等变量控制有机层膜厚达到特定器件的结构、功能要求，还避免了真空制备造成的装置大、成本高、生产节拍时间难以缩短、沉积速率慢以及大尺寸基板成品率低等问题。