一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106206982A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610652980.2

    申请日:2016-08-11

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01L51/0097 H01L51/5253 H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法,其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底;将所述柔性基底,位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层,或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下,组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板,其过程采用鼓泡法,腐蚀基底法,热释放法的任意一种,转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性,提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果,可以普遍应用于各种结构的光电器件,并进一步提高器件的光电效率。

    一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106206982B

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201610652980.2

    申请日:2016-08-11

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法,其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底;将所述柔性基底,位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层,或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下,组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板,其过程采用鼓泡法,腐蚀基底法,热释放法的任意一种,转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性,提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果,可以普遍应用于各种结构的光电器件,并进一步提高器件的光电效率。

    一种封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN106997873A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201610952570.X

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 本发明提供一种封装结构及封装方法,所述封装结构包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片,其中:所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。本发明的封装方法采用化学气相沉积法在散热基板上沉积具有良好导电、热扩散、热辐射能力的石墨烯导电散热薄膜,可以在不影响MPS电学特性的情况下,大幅提高器件的散热能力,降低器件热阻与结温。同时,借助于石墨烯优异的表面热辐射性能,可进一步提高器件的散热性能。本发明的封装结构及封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管,而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片,并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合,具有广泛的工业前景。

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