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公开(公告)号：CN106807606A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710048251.0
申请日：2017-01-21
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: B05D5/00 , B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/04 , C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/511
CPC classification number: B05D5/00 , B05D3/0486 , B05D7/14 , B05D7/24 , C23C16/26 , C23C16/505 , C23C16/511
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯复合薄膜，所述石墨烯复合薄膜包含导热基层和设置在所述导热基层上的石墨烯层；所述导热基层的材质为碳纳米管、氮化硼纳米管和银纳米线中的一种或几种。由于纳米材料和石墨烯材料优异的导热性能，所述石墨烯复合薄膜在用于二极管部件时，石墨烯层与芯片接触，导热基层与金属基体接触，能够大大提高电子器件的散热性能。本发明还提供了一种石墨烯复合薄膜的制备方法，本申请提供的制备方法能够直接的在金属基底上沉积石墨烯复合薄膜，避免了现有技术中制备石墨烯薄膜后需要进行二次转移对石墨烯结构带来的破坏。
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公开(公告)号：CN106700957A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710052229.3
申请日：2017-01-22
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种导热材料掺杂导电胶及其制备方法。本发明包覆了磁性金属的导热材料可以在强磁场的环境下随着磁场方向定向排列。由于磁性金属包覆的导热材料是磁各向异性的，同时沿着管轴的方向是磁性对称的。磁场取向的磁性金属包覆导热材料的电、热传导各向异性，而且沿着磁场方向的电、热传导特性要优于垂直于磁场方向很多，因此将磁性金属包覆的导热材料置于强磁场中，使磁性金属包覆的导热材料沿磁力线方向排列，可以改善导热胶的性能。此外，所述金属填料颗粒能够填充磁性金属包覆的导热材料之间的空隙，提高导电填料之间的接触面积，增加导电导热通道。
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公开(公告)号：CN103579477B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310534981.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺。本发光二极管包括：倒装LED芯片、基板、荧光胶层三大部分组成。针对当前大功率LED存在的散热缺陷，提供一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出盲孔电极、通孔焊盘，分别实现倒装发光二极管芯片、通孔基板，通过阻焊层形状的设计，可方便实现倒装芯片与通孔基板的自对位，而且本发明无需金丝键合，不仅工艺简单、成本低，而且此技术通过通孔提高了散热性能，提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN106501305A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610908299.X
申请日：2016-10-18
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法，至少包括：提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板；在相同的室内环境下，分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据；其中，每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度，所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度，以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度；利用两组所述出射度数据，计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率，进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜，增强功率器件的散热效率，降低芯片的结温。
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公开(公告)号：CN106287410A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610658097.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 上海大学
IPC: F21S8/00 , F21V31/00 , F21V14/02 , F21V5/04 , F21Y115/10
CPC classification number: F21S8/00 , F21V5/048 , F21V14/02 , F21V31/005
Abstract: 本发明公开了一种深海LED照明灯光学补偿系统，包括透镜、密封圈、透镜压紧端盖、弹簧、LED光源组件、连杆、顶杆、壳体。根据透镜的变形和深海LED照明灯的光照区域的关系，发明了一种机械来调整结构来改变LED光源和透镜之间的距离，从而实现对深海LED照明灯光照区域的补偿。本发明结构简单，制造成本低，结构稳定，在深海照明领域存在较高的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102769087B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210234807.2
申请日：2012-07-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：n型金焊盘、p型焊盘，发光层、芯片衬底、通孔、绝缘层、通孔导柱、固晶层、基板、荧光层。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺，在芯片正负电极位置分别通过刻蚀技术(激光技术)制作通孔至衬底底面，并通过填充金属导柱至芯片背面，并在芯片衬底背面正负电极位置分别进行镀金（正负焊盘分隔开），在封装的时候直接通过固晶焊接就可以完成电极的连接，无需再进行金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN105304593A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510793108.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/14
Abstract: 本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板，从其导电层进行散热，依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板，其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层紧密结合，碳基材料涂层的另一侧裸露表面则形成复合散热基板的外部散热面，将光电器件工作时产生的热量通过导电层，再依次经由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层导出，进行散热。本发明通过在高导热金属基板上表面覆一层导热绝缘的陶瓷涂层作为绝缘层，提高了基板的介电常数、抗静电能力及散热能力；金属基板下表面覆一层导热能力良好的碳基材料涂层，其导热系数及热辐射系数高，可进一步提高基板的整体散热性能。
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公开(公告)号：CN103579477A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310534981.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺。本发光二极管包括：倒装LED芯片、基板、荧光胶层三大部分组成。针对当前大功率LED存在的散热缺陷，提供一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出盲孔电极、通孔焊盘，分别实现倒装发光二极管芯片、通孔基板，通过阻焊层形状的设计，可方便实现倒装芯片与通孔基板的自对位，而且本发明无需金丝键合，不仅工艺简单、成本低，而且此技术通过通孔提高了散热性能，提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN101673802A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196566.5
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/427 , H01L23/28 , H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及了一种集成金属基氮化铝薄膜基板与热管的大功率LED模块及其制备方法。本发明采用单颗或多颗大功率发光二极管LED键合在镀有氮化铝AlN薄膜的铜Cu(或铝Al)基板上，其下部焊接有热管，热管底端焊接有散热片，上部焊接有一个金属框，框内布置有单个或多个发光二极管LED芯片，芯片上部有机硅胶灌封避免了荧光体与芯片直接接触，降低了荧光体光衰；硅胶上部为荧光粉胶体层，荧光体形状为中间厚，周围薄，大大提高了出光均匀性；热管与基板、基板与金属框均采用回流焊接，减少了界面热阻。本发明从衬底、粘结层、荧光粉、基板等多个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力和光学性能，器件可靠性高，可广泛应用于照明领域。
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公开(公告)号：CN100536130C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710046995.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 上海大学 , 上海蓝宝光电材料有限公司 , 华东微电子技术研究所 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L23/36 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及了一种高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法。本发明采用多颗大功率发光二极管LED芯片集成在氮化铝AlN和低温共烧陶瓷LTCC叠层基板上，从衬底、粘结层和基板三个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力。其制备方法包括如下工艺步骤：按设计确定发光二极管LED芯片颗数、烧制叠层基板和电极层、通过共晶工艺将大功率发光二极管LED芯片键合到氮化铝AlN层、线键合和硅胶灌封。本模块散热性能好，提高了多芯片集成大功率发光二极管的光效及可靠性，可应用于照明领域。
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