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公开(公告)号：CN102769087A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210234807.2
申请日：2012-07-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：n型金焊盘、p型焊盘，发光层、芯片衬底、通孔、绝缘层、通孔导柱、固晶层、基板、荧光层。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺，在芯片正负电极位置分别通过刻蚀技术(激光技术)制作通孔至衬底底面，并通过填充金属导柱至芯片背面，并在芯片衬底背面正负电极位置分别进行镀金（正负焊盘分隔开），在封装的时候直接通过固晶焊接就可以完成电极的连接，无需再进行金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102769086B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210234808.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：荧光层、n型电流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二极管器件无需金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN102769086A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210234808.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：荧光层、n型电流扩展层、发光层、p型电流扩展层、金属反光层、p型电极焊盘、金属通孔、绝缘层、n型电极焊盘、硅基板线路层、硅基板绝缘层、硅基板、硅基板负电极、硅基板负电极金属通孔、硅基板正电极金属通孔、硅基板正电极焊盘、硅基板通孔绝缘层、芯片蓝宝石衬底。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于硅基板通孔技术倒装芯片的发光二极管及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出通孔电极、并进行共晶焊接完成封装。本发光二极管器件无需金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN103579477B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310534981.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺。本发光二极管包括：倒装LED芯片、基板、荧光胶层三大部分组成。针对当前大功率LED存在的散热缺陷，提供一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出盲孔电极、通孔焊盘，分别实现倒装发光二极管芯片、通孔基板，通过阻焊层形状的设计，可方便实现倒装芯片与通孔基板的自对位，而且本发明无需金丝键合，不仅工艺简单、成本低，而且此技术通过通孔提高了散热性能，提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN102769087B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201210234807.2
申请日：2012-07-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺。本发光二极管包括：n型金焊盘、p型焊盘，发光层、芯片衬底、通孔、绝缘层、通孔导柱、固晶层、基板、荧光层。针对当前大功率LED存在的结构缺陷，提供一种基于通孔封装技术的发光二极管及其制造工艺，在芯片正负电极位置分别通过刻蚀技术(激光技术)制作通孔至衬底底面，并通过填充金属导柱至芯片背面，并在芯片衬底背面正负电极位置分别进行镀金（正负焊盘分隔开），在封装的时候直接通过固晶焊接就可以完成电极的连接，无需再进行金丝键合，此技术有利于在大规模晶片级封装的开展，而且此技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且提高了LED芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN103579477A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310534981.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺。本发光二极管包括：倒装LED芯片、基板、荧光胶层三大部分组成。针对当前大功率LED存在的散热缺陷，提供一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺，通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出盲孔电极、通孔焊盘，分别实现倒装发光二极管芯片、通孔基板，通过阻焊层形状的设计，可方便实现倒装芯片与通孔基板的自对位，而且本发明无需金丝键合，不仅工艺简单、成本低，而且此技术通过通孔提高了散热性能，提高了LED芯片封装的可靠性。
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