一种防雷型ZnO压敏电阻用无铅电极银浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102403049A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110371641.4

    申请日:2011-11-22

    Inventor: 谢实辉

    Abstract: 本发明公开了一种防雷型ZnO压敏电阻用无铅电极银浆料及其制备方法,其主要是将组成原料导电银微粉、无机添加剂、无铅玻璃粉和有机载体按一定质量配比混合研磨而成。采用Bi2O3-B2O3-Co2O3-ZnO-V2O5体系玻璃与防雷型ZnO压敏电阻基体形成很强的界面键合力,实现无铅化。通过在银浆中添加无机粘合剂增强电极与基体的附着力和可焊性,解决银膜30μm以下玻璃溢出电极表面的问题。本发明制备方法简单,产品具有附着力强、可焊性优、导电性高和电性能稳定可靠等优点。

    正温度系数陶瓷用无铅欧姆电极银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN100390905C

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN200610088131.5

    申请日:2006-06-28

    Inventor: 雷跃文

    Abstract: 本发明公开了一种正温度系数陶瓷用无铅欧姆电极银浆极及其制备方法,是将银微粉、锌粉(或铝粉、镍粉或其任意混合物)、有机载体混合研磨而得。本发明抛弃使用玻璃粉的传统做法,利用电极层在烧成时,镍粉、锌粉或铝粉自身的氧化与瓷体之间形成氧化物键合,从而使电极层牢固附着在陶瓷体的表面。本发明银浆烧成温度范围宽广,工艺适应性强,该浆料在480-580℃温度范围内烧成,都能够形成良好的欧姆接触性能。

    一种钛酸钡基半导体陶瓷欧姆电极浆料用超细球形银粉的制备方法

    公开(公告)号:CN102211206A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN201110136116.4

    申请日:2011-05-25

    Inventor: 谭晶

    Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基半导体陶瓷欧姆电极浆料用超细球形银粉的制备方法,包括制备硝酸银溶液,高速搅拌下加入高分子分散剂,调节硝酸银溶液的pH值到8-12;再依次加入另一种高分子分散剂、还原剂、消泡剂,最后用去离子水洗涤,烘干得到成品。本发明巧妙地利用高低搅拌转速的变化和增加搅拌保温,形成表面有机化的超细银粉颗粒聚集体,大大加快银粉沉降速度;选用具有分散功能的有机试剂、高分子表面活性剂作为消泡剂,同时增强了分散功能和消泡功能;选用的合宜的高分子分散剂、还原剂、消泡剂和醇类,制得纯度高、球形度完整的超细银粉,制成钛酸钡基半导体陶瓷欧姆电极浆料后拥有优异的附着力和欧姆接触性能,烧成温度范围广、附着力强;该制备方法无毒性,成本低,环境友好。

    一种压电陶瓷用无铅无镉电极银浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102751000A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210198438.6

    申请日:2012-06-16

    Inventor: 谢实辉

    Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷用无铅无镉电极银浆料,其是由下述重量百分比的原料制得:导电银微粉50-75%,无机添加剂0.5-5%,无铅玻璃粉1-15%,有机载体15-45%。本发明的技术先进之处在于设计了一种硼-铋-硅-锌-钛玻璃体系,完全能够取代传统的含铅玻璃,实现产品的无铅化,该体系玻璃能够与压电陶瓷基体发生反应,在电极和基体之间形成牢固的界面,其附着力大于15N/mm2。

    PTC陶瓷用无铅欧姆电极银浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN1870179A

    公开(公告)日:2006-11-29

    申请号:CN200610088131.5

    申请日:2006-06-28

    Inventor: 雷跃文

    Abstract: 本发明公开了一种PTC陶瓷用无铅欧姆电极银浆极及其制备方法,是将银微粉、锌粉(或铝粉、镍粉或其任意混合物)、有机载体混合研磨而得。本发明抛弃使用玻璃粉的传统做法,利用电极层在烧成时,镍粉、锌粉或铝粉自身的氧化与瓷体之间形成氧化物键合,从而使电极层牢固附着在陶瓷体的表面。本发明银浆烧成温度范围宽广,工艺适应性强,该浆料在480-580℃温度范围内烧成,都能够形成良好的欧姆接触性能。

    一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法

    公开(公告)号:CN103539457A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310454486.1

    申请日:2013-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种微电子封装用AlN陶瓷基板的制备方法,涉及微电子封装领域,尤其涉及AlN陶瓷助烧剂添加及低温烧结新技术。其选用高纯度的AlN粉体,添加无水硝酸钇和无水硝酸钙为助烧剂,加入有机溶剂,湿法混料;干燥后,将混合粉在640-680℃下进行煅烧,再加入成形剂,混合均匀后,经压制成型,在1600-1800℃下烧结,制得AlN陶瓷。本发明以无水硝酸盐的形式添加烧结助剂,不仅能有效改善AlN陶瓷中助烧剂的成分均匀性和分布均匀性,而且助烧剂粉体粒径细小,活性高,有助于降低AlN陶瓷烧结温度。本发明制备的AlN陶瓷结构致密,晶粒细小而均匀,力学性能和热学性能优良。

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