双组份交联剂及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN104403129B

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201410625536.2

    申请日:2014-11-07

    Inventor: 李胜夏 张清

    Abstract: 本发明公开了一种双组份交联剂及其制备方法、用途;所述双组份交联剂包括式(I)所示的含炔键的硅烷化合物和式(Ⅱ)所示的含叠氮基团的硅烷化合物:本发明的双组份交联剂引入加热条件下叠氮‑炔的成环反应作为交联方式,实现了在较低温度、无金属催化剂和无副产物的条件下制备交联的聚合物绝缘层材料,制备工艺简单,适用各种聚合物材料(聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚对乙烯基苯酚等),所得材料是一种潜在的有机场效应晶体管栅极绝缘层材料,可以用于溶液法制备各种OFETs器件,应用前景十分广泛。

    N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途

    公开(公告)号:CN102807667B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210144479.7

    申请日:2012-05-10

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下:其中,R为C6~C29烷基,n≥1。本发明还涉及所述N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链,是主链共轭的可溶液加工的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物;薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力。

    含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物、用途

    公开(公告)号:CN102702234B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210141507.X

    申请日:2012-05-08

    Abstract: 本发明涉及含二呋喃并噻唑二溴单体及其共轭聚合物、用途。所述含二呋喃并噻唑的二溴单体及其共轭聚合物的结构式分别如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)所示:其中,R1为C8~C20烷基,n≥1;其中,R2为C6~C20烷基;R3为C6~C20烷基或者氢,n≥1。本发明中的含全新的二呋喃并噻唑单元的共轭聚合物,是主链共轭的可溶液加工的低能隙半导体聚合物,薄膜光伏器件研究表明这类材料具有用作薄膜光伏器件的活性层材料的潜力,本体异质结光伏器件测试中,能量转化效率达到3.06%。

    双组份交联剂及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN104403129A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410625536.2

    申请日:2014-11-07

    Inventor: 李胜夏 张清

    Abstract: 本发明公开了一种双组份交联剂及其制备方法、用途;所述双组份交联剂包括式(I)所示的含炔键的硅烷化合物和式(Ⅱ)所示的含叠氮基团的硅烷化合物:本发明的双组份交联剂引入加热条件下叠氮-炔的成环反应作为交联方式,实现了在较低温度、无金属催化剂和无副产物的条件下制备交联的聚合物绝缘层材料,制备工艺简单,适用各种聚合物材料(聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚对乙烯基苯酚等),所得材料是一种潜在的有机场效应晶体管栅极绝缘层材料,可以用于溶液法制备各种OFETs器件,应用前景十分广泛。

    交联聚苯乙烯材料及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN104371206A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410625499.5

    申请日:2014-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种交联聚苯乙烯材料及其制备方法、用途;所述交联聚苯乙烯材料包括含炔键的硅烷化合物、含叠氮基团的硅烷化合物和聚苯乙烯。本发明的交联聚苯乙烯混合物材料采用一种新型的有机硅烷交联剂,该交联剂利用加热条件下叠氮-炔的成环反应作为交联方式,实现了在较低温度、无金属催化剂和无副产物的条件下制备交联的聚苯乙烯混合物材料,制备工艺简单,所得材料绝缘性能优异,适合通过溶液法制备各种OFETs器件,前景十分广泛。

    N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN103304782A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310176081.6

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种N-酰基取代异靛蓝基的共轭聚合物及其制备方法。所述共轭聚合物的结构式如式(I)所示:其中,R为含碳原子数6~20的烷烃链,100>n>1,Ar为式(II)、(III)或(IV)所示的结构式:该共轭聚合物中的N-酰基取代异靛蓝是由烷基酰氯与异靛蓝在吡啶的作用下反应生成。本发明的共轭聚合物主链中具有大π共轭体系,其侧链含有强烈吸电子的羰基与柔性促溶的烷基链;本发明涉及的共轭聚合物属于主链共轭的可溶液处理的低LUMO(最低未占有轨道)能级的低能隙聚合物,可用于制备OFETs器件。

    聚噻吩衍生物及其合成方法

    公开(公告)号:CN101891879A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010257736.9

    申请日:2010-08-20

    Inventor: 张国兵 张清 胡超

    Abstract: 一种化工技术领域的聚噻吩衍生物及其合成方法,通过引入了强吸电子的二酰亚胺基团,大大降低了聚合物的HOMO能级,同时聚合方法简单、聚合条件温和。本发明的可溶性聚噻吩衍生物,是使用于光电组件上,如:有机薄膜晶体管、有机发光二极管或有机太阳能电池,该方法制成产物的结构式为:

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