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公开(公告)号：CN102473751A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN102460656A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159654.6
申请日：2009-06-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04 , H05K1/02 , H05K3/34
CPC classification number: H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明得到不会使基板质量产生劣化、缺陷的半导体装置的制造方法。包括：在硅基板(101)上形成凹部(115)的工序；在P型硅基板(101)的表面形成包含N型的杂质的N型扩散层(102)的工序；使包含化学地成为活性的化学物类的由气相或者液相构成的处理流体接触于P型硅基板(101)的凹部(115)以外的区域，以成为与凹部(115)不同的性质的表面的方式，进行表面处理的工序。
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公开(公告)号：CN102007582A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113397.2
申请日：2009-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种基板的面粗糙化方法，可以在保持了基板的品质的同时均匀地进行基板表面的微细的面粗糙化，其中，包括：在基板的表面形成保护膜的第1工序；对所述保护膜实施喷射加工处理而在所述保护膜中形成开口的第2工序；以形成了所述开口的所述保护膜为掩模，对所述基板中的形成了所述保护膜的面，在所述保护膜具有耐性的条件下实施蚀刻的第3工序；以及去除所述保护膜的第4工序。
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公开(公告)号：CN119404609A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202280097195.9
申请日：2022-06-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 抑制埋入栅极电极所引起的装置的特性偏差。氮化物半导体装置具备基板、第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、从第2氮化物半导体层的上表面到达至第1氮化物半导体层的内部的至少1个盲孔、设置于盲孔内的埋入栅极电极以及跨越埋入栅极电极的上表面以及第2氮化物半导体层的上表面地设置的栅指电极，盲孔的侧面沿着第1氮化物半导体层的{1‑100}面。
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公开(公告)号：CN116868351A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180093557.2
申请日：2021-02-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/812
Abstract: 本公开的目的在于，在作为基板具有金刚石的氮化物半导体装置中低成本地得到期望的高频特性。在本公开所涉及的氮化物半导体装置(101)中，设置从金刚石层(11)的第1主面(S1)贯通金刚石层(11)、中间层(12)以及氮化物半导体层(13)而到达电极(14)的通路孔(16)。通路孔(16)是具有与金刚石层(11)的第1主面(S1)相接的大口径通路孔(16b)和面对电极(14)且比大口径通路孔(16b)小径并且锥形形状的小口径通路孔(16a)的多级构造。
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公开(公告)号：CN115668456A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202080101066.3
申请日：2020-05-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 抑制在切割通路中的半导体膜中产生龟裂。半导体装置具备：第1切割通路，通过多个保护膜的各个保护膜被形成的多个元件区域之间，并且沿着第1轴延伸；第2切割通路，通过多个元件区域之间，并且沿着第2轴延伸；以及阻挡岛，位于第1切割通路和第2切割通路的交叉部中的半导体膜的上表面，并且不与多个元件区域接触。满足X_si>X_ds并且Y_si
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公开(公告)号：CN114365262A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201980097561.9
申请日：2019-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 容易将复合基板中的各个基板移除，在无意的工序中抑制复合基板剥离。复合基板的制造方法，其中，在第一基板的第一表面形成第一接合材料，在第一表面，形成位于第一基板的俯视的外缘部的内侧的至少一个凹部，就第一接合材料而言，沿着凹部的内壁而形成，在被凹部的内壁包围的空间中没有填充，在第二基板的第二表面，形成第二接合材料，在不包括凹部的区域将第一接合材料与第二接合材料接合。
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公开(公告)号：CN109463041A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201680087244.5
申请日：2016-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02S50/10 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
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公开(公告)号：CN107851681A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201580081781.4
申请日：2015-09-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 目的在于，在形成固相扩散源的膜后，接着在进行基于热处理的杂质扩散时，抑制杂质混入到背面，得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法，包括：在具有受光面(1A)以及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序；以及热处理工序，加热n型单晶硅基板(1)，使作为第2导电类型的杂质的硼从BSG膜(2)扩散而形成p型扩散层(7)，在热处理工序之前，包括去除形成于背面1B的含硼生成物(4)、含氧化硅生成物(5)等固相扩散源的膜的工序。
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