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公开(公告)号：CN113841223B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980096547.7
申请日：2019-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 后，将第一支承基板和树脂粘接层除去。本发明涉及半导体基板的制造方法，其具备：工序(a)，准备在生长基板的第一主面形成有氮化物半导体层的外延基板和第一支承基板，在生长基板的第一主面与第一支承基板的第一主面之间形成树脂粘接层，将外延基板与第一支承基板贴合；工序(b)，在工序(a)之后，使生长基板的第二主面薄板化；工序(c)，在工序(b)之后，从经薄板化的生长基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第一保护薄膜层；工序(d)，在工序(b)之后，从第一支承基板的第二主面到树脂粘接层的侧面，形成第二保护薄膜层；工序(e)，在(56)对比文件JP 2005141090 A,2005.06.02KR 101207412 B1,2012.12.04KR 20010100375 A,2001.11.14TW 586136 B,2004.05.01US 2002127791 A1,2002.09.12梁李敏;刘彩池;解新建;王清周.高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展.材料导报.2010,(第07期),全文.
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公开(公告)号：CN115349162A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202080099071.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本公开涉及导体基板的制造方法，在由金刚石、碳化硅、氮化镓和蓝宝石中的任一种构成的被加工物基板的成为研磨对象的主面形成由过渡金属构成的催化剂金属膜，在氧化剂药液中使形成有催化剂金属膜的被加工物基板与研磨平台相对运动，除去由活性自由基与被加工物基板的主面的表面原子的化学反应而生成的化合物，由此对被加工物基板进行研磨，其中活性自由基由催化剂金属膜与氧化剂药液的反应产生。准备在生长基板的主面上形成有氮化物半导体层的外延基板和支承基板，将外延基板的氮化物半导体层和支承基板经由树脂粘接层贴合，除去生长基板，使氮化物半导体层露出。采用常温接合法将经研磨的被加工物基板在氮化物半导体层上接合，除去支承基板和树脂粘接层。
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公开(公告)号：CN113454758A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980091663.X
申请日：2019-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 目的在于提供能够抑制半导体元件的不良的技术。半导体装置的制造方法具备：形成层叠体的工序，该层叠体在半导体基板的第1主面上依次配设有粘接保护层、粘接层、剥离层、支撑基板；去除形成有多个电路元件的部分以外的半导体基板的工序；将形成有电路元件的部分接合到转印基板的工序；去除剥离层、支撑基板及粘接层的工序；通过化学处理去除粘接保护层的工序；以及分割多个电路元件的工序。
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公开(公告)号：CN107155378B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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公开(公告)号：CN103400898B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310332650.1
申请日：2008-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势装置的制造方法。不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板（101）；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层（102L）；在低电阻N型扩散层（102L）上形成的栅电极（111）；在背面形成的P+层（110）；以及在P+层（110）上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层（102L）的上表面到达硅基板（101）的方式，按照规定间隔设置的凹部（106），在相邻的凹部（106）之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层（102L），在从凹部（106）的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层（102H）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101960617A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127894.3
申请日：2008-03-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势装置，不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板101；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层102L；在低电阻N型扩散层102L上形成的栅电极111；在背面形成的P+层110；以及在P+层110上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层102L的上表面到达硅基板101的方式，按照规定间隔设置的凹部106，在相邻的凹部106之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层102L，在从凹部106的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层102H。
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公开(公告)号：CN1557011A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN03801120.4
申请日：2003-03-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01J9/148 , H01J9/022 , H01J29/467 , H01J31/12 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及冷阴极显示装置，特别是目的在于提供一种在厚度薄而显示面积大的冷阴极显示装置中，使阳极与引出电极充分分开而确保击穿电压，使电子束直径的尺寸充分小的冷阴极显示装置的结构及其制造方法。为达到上述目的，在现有的冷阴极显示装置中增加聚焦电极(3)。此聚焦电极(3)，配置成为与背面基板(9)夹着引出电极(5)及阴极(7)。在聚焦电极(3)之上设置有电子通过窗口(4)，此电子通过窗口(4)，通过聚焦电极(3)的配置使其位于阴极(7)及通过窗口(6)之上。另外，聚焦电极(3)，与引出电极(5)之间夹着绝缘物保持一定的距离被固定支撑。
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公开(公告)号：CN117377794A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037075.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC: C30B33/06
Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
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公开(公告)号：CN108604870A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081655.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够充分地增大热接点与冷接点之间的温度差的热电转换模块。具备形成在内管(1)的第一主面上的多个热电转换元件(3)和形成在外管(2)的第二主面上的多个突起部(4)。热电转换元件包括配线(8)(冷接点)、在第二方向(B)上从第二主面隔开第一距离(L1)地形成的电极(7)(热接点)以及位于电极与配线之间的第一侧面(5E)及第二侧面(6E)。多个突起部包括在从第一方向(A)观察时在第三方向(C)上相互隔开间隔地形成的第一突起部(41)和第二突起部(42)。第一侧面与第一突起部的顶部的最短距离(L2)及第二侧面与第二突起部的顶部的最短距离(L3)比第一距离(L1)短。
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公开(公告)号：CN107155378A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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