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公开(公告)号：CN102473751B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , C03C15/00
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN102473751A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031337.9
申请日：2010-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: C03C15/00 , C03C2218/355 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 包括：第一工序，在透光性基板的表面形成保护膜；第二工序，使以固定的间距有规则地排列的多个开口形成于保护膜而使透光性基板的表面露出；第三工序，将形成有开口的保护膜作为掩膜，对于透光性基板中的形成有保护膜的面，在保护膜具有抗性的条件下实施各向同性蚀刻，在透光性基板的表面形成大致均匀地设置呈大致半球状的凹陷而成的抛物线状的凹凸形状；以及第四工序，去除保护膜，其中，在第四工序中，在形成抛物线状的凹凸形状之后继续进行各向同性蚀刻，从透光性基板剥离保护膜，并且对抛物线状的凹凸形状中的凸部的顶端部实施圆形加工。
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公开(公告)号：CN103875082B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180074119.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。
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公开(公告)号：CN104584237A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043653.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , H01L31/076
Abstract: 在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。
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公开(公告)号：CN107155378B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104584237B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380043653.1
申请日：2013-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)
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公开(公告)号：CN103875082A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201180074119.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 包含：第1工序，在第1导电型或第2导电型的晶体系半导体基板的一面侧形成凹部而形成凹凸构造；第2工序，在包含所述凹凸构造的凹部内部的所述晶体系半导体基板的一面侧形成第1导电型的半导体膜；第3工序，在形成有所述第1导电型的半导体膜的所述凹部内部涂敷蚀刻膏，蚀刻除去所述凹部内部的第1导电型的半导体膜而使所述凹部的表面露出，并且在所述凹凸构造的凸部上残留所述第1导电型的半导体膜，在所述凸部上形成所述第1导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第1半导体结区域；第4工序，除去所述蚀刻膏；以及第5工序，在所述露出的所述凹部内部形成第2导电型的半导体膜，在所述凹部内部形成所述第2导电型的半导体膜和所述晶体系半导体基板的第2半导体结区域。
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公开(公告)号：CN107155378A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201580066670.6
申请日：2015-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够抑制开路电压以及填充因数的降低或者电流泄漏的发生的光电动势装置的制造方法。本发明的光电动势装置的制造方法具备：(a)在硅基板(1)的第1主面形成金字塔状的纹理的工序；(b)在第1主面上形成包括第1导电类型的杂质的第1硅酸盐玻璃(8)的工序；(c)在第1硅酸盐玻璃(8)上形成不包括导电型杂质的第2硅酸盐玻璃(9)的工序；(d)使第1硅酸盐玻璃(8)中包括的第1导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第1主面的工序；(e)在第2硅酸盐玻璃(9)上形成包括第1导电类型的杂质的第3硅酸盐玻璃(10)的工序；以及(f)在工序(e)之后使第2导电类型的杂质扩散到硅基板(1)的第2主面的工序。
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公开(公告)号：CN104137269B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201380011918.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在n型晶体硅基板(2)的与受光面相反一侧的背面，具备n型半导体层(11)以及p型半导体层极(4)、以及在所述p型半导体层(10)上形成了的集电极(3)，在所述n型晶体硅基板(2)的受光面侧的表面，具备n型半导体区域(8)，在所述n型半导体区域(8)，在隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述n型半导体层(11)相向的n型半导体区域(8b)、和隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述p型半导体层(10)相向的n型半导体区域(8a)中，平均杂质浓度不同。(10)、在所述n型半导体层(11)上形成了的集电
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公开(公告)号：CN104137269A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011918.X
申请日：2013-01-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在n型晶体硅基板(2)的与受光面相反一侧的背面，具备n型半导体层(11)以及p型半导体层(10)、在所述n型半导体层(11)上形成了的集电极(4)、以及在所述p型半导体层(10)上形成了的集电极(3)，在所述n型晶体硅基板(2)的受光面侧的表面，具备n型半导体区域(8)，在所述n型半导体区域(8)，在隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述n型半导体层(11)相向的n型半导体区域(8b)、和隔着所述n型晶体硅基板(2)与所述p型半导体层(10)相向的n型半导体区域(8a)中，平均杂质浓度不同。
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