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公开(公告)号：CN1615452A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02827158.0
申请日：2002-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 首先，利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。
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公开(公告)号：CN1547680A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816648.5
申请日：2002-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286
Abstract: 在制造TFT阵列基板的方法中，在绝缘基板上形成栅线路。栅线路含有栅线、栅电极和与栅线相连的栅垫。依次形成栅绝缘层和半导体层。形成包括多个与栅线交叉的数据线、多个与数据线相连并位于栅电极附近的源电极、多个依照栅电极与源电极正对的漏电极以及与数据线相连的数据垫的数据线路。沉积形成保护层，在保护层上形成图案以形成至少使漏电极暴露的接触孔。在保护层上沉积银或银合金导电层。用包括磷酸、硝酸、醋酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或包括硝酸、醋酸、乙二醇和超纯水的蚀刻液在保护层上形成图案，因此形成反射层。反射层是通过接触孔与漏电极连接的。
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公开(公告)号：CN1163797C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3-甲氧丁基乙酯、2-庚酮和4-丁内酯。
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公开(公告)号：CN1896822B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610099011.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C09K13/04
CPC classification number: G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2-15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02-10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。
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公开(公告)号：CN1808710B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200510127641.4
申请日：2005-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴弘植
IPC: H01L23/482 , H01L23/52 , H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/283
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L51/5228
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；栅极线，形成在绝缘基板上；栅极绝缘层，形成在栅极线上；漏电极和具有源电极的数据线，形成在栅极绝缘层上，其中，漏电极面对源电极，且在其间具有间隙；以及像素电极，连接至漏电极。栅极线、数据线、以及漏电极中的至少一个包括由导电氧化物制成的第一导电层和邻近第一导电层沉积的银的第二导电层。
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公开(公告)号：CN1884618B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610086467.8
申请日：2006-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10-20wt％的过氧化氢、1-5wt％的有机酸、0.1-1wt％的基于三唑的化合物、0.01-0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
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公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN100587853C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200510092308.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在硅基板上形成具有矩形形状的第一和第二掩模膜；第一次蚀刻硅基板的上表面；通过蚀刻第一掩模膜形成相应于尖端颈部宽度的第三掩模膜；通过利用第三掩模膜作为掩模第二次蚀刻硅基板形成尖端颈部的宽度到预定的宽度；且在去除第三掩模膜之后通过退火硅基板形成峰形成部分。可以制造具有均匀高度和尖端颈部具有均匀宽度的半导体探针。
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公开(公告)号：CN100573682C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610121480.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02K41/0354 , B81B3/0062 , B81B2201/038 , B81B2201/11 , B81B2203/051 , B82Y10/00 , G11B9/1436 , H02K2201/18
Abstract: 本发明公开了一种包括介质平台的微致动器的制造方法，所述介质平台具有介质承载平台和用于驱动所述介质平台的线圈，所述线圈形成于所述介质平台与所述介质承载表面相对的表面上，所述方法包括：在第一基底的第一表面上形成凹槽；在第二基底的第一表面上形成线圈；接合所述第一基底的第一表面和所述第二基底的第一表面；在所述第二基底的第二表面上形成所述介质承载表面，所述介质承载表面与所述第二基底的第一表面相对。
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公开(公告)号：CN101022240A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610153640.1
申请日：2006-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1436 , G01Q10/04 , G01Q80/00
Abstract: 本发明提供了一种具有闭锁装置的X－Y台驱动器和具有这种X－Y台驱动器的数据存储系统。X－Y台驱动器包括：X－Y台；支撑单元，该支撑单元支撑X－Y台并具有弹性梁，该弹性梁支撑X－Y台的拐角；驱动单元，该驱动单元沿着第一方向和与第一方向垂直的第二方向驱动X－Y台；加强筋，该加强筋防止X－Y台转动；以及闭锁装置，该闭锁装置通过静电力固定所述加强筋。
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