在设备上显示用户界面的方法和设备

    公开(公告)号:CN104007891B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201410044914.8

    申请日:2014-02-07

    Abstract: 提供一种在设备的屏幕上显示用户界面(UI)的方法。所述方法包括:当事件发生时,从被包括在UI中的一个或多个对象当中选择与事件相关的第一对象;确定用于运行与第一操作有关的第二操作的第二对象,当通过到设备的输入来选择第一对象时运行所述第一操作;以及将第一对象改变成为第二对象。

    内容再现方法及装置
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104538049B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201410659145.2

    申请日:2007-03-30

    Inventor: 金荣善 郭芝荣

    Abstract: 提供一种内容再现方法及装置。该内容再现方法包括:生成或再现多个内容;记录关于所生成或再现的内容的信息,其中,所述信息包括与生成或再现所述内容的状况有关的环境信息;接收用于选择一个或更多要被再现的内容的选择信号;以及对所选择的内容、以及在一范围内的时空区间中与所选择的内容一起生成或再现的一个或更多内容进行再现,其中,所述环境信息是所述内容的元信息,其中,再现所选择的内容包括:根据所述记录的与生成或再现所述内容的状况有关的环境信息,搜索具有在所选择的内容的一范围内的元信息的一个或更多内容;以及将所选择的内容与所找到的内容一起再现。

    显示装置和显示方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105872681A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610006927.5

    申请日:2016-01-05

    Abstract: 提供了一种显示装置和显示方法。显示装置包括:显示器,配置为提供多个项目区域,每个项目区域显示包括多个项目在内的项目列表的至少一部分,其中显示器提供所述多个项目区域中的至少一个项目区域作为关闭项目区域,并且提供所述多个项目区域中的至少一个项目区域作为开启项目区域;以及控制器,配置为响应于选择了关闭项目区域的控制装置的输入,控制显示器在开启项目区域上显示与关闭项目区域相对应的项目列表的至少一些项目,并且在关闭项目区域上显示与开启项目区域相对应的项目列表的至少一些项目。

    用户终端及其控制方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104423834A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410262073.8

    申请日:2014-06-12

    CPC classification number: G06F3/0485 G06F3/0482 G06F3/0488 G06F3/0484

    Abstract: 本发明公开了一种用户终端,包括:图像接收器,用于接收图像;图像处理器,用于处理所接收的图像;显示器,用于显示处理过的图像;以及控制器,用于显示包括至少一个第一项目的图形用户界面(GUI),根据用户输入将当前未显示的多个第二项目改变为显示在GUI上,以及当所显示的第二项目中的至少一个项目经过主显示区域时,调整所述至少一个项目的尺寸和显示变化速度中的至少一个。

    制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管

    公开(公告)号:CN102593279B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210001662.1

    申请日:2012-01-05

    CPC classification number: H01L33/0075 H01L33/007 H01L33/32

    Abstract: 提供了一种制造发光二极管的方法及通过该方法制造的发光二极管。该方法包括:在第一反应室中在基底上顺序地生长第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层;将其上生长有第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层的基底转移至第二反应室;在第二反应室中在未掺杂氮化物半导体层上生长附加第一导电类型氮化物半导体层;在附加第一导电类型氮化物半导体层上生长有源层;以及在有源层上生长第二导电类型氮化物半导体层。

    氮化物半导体发光装置
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103066176A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210400802.2

    申请日:2012-10-19

    CPC classification number: H01L33/14 H01L33/32

    Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置,所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料,以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。

Patent Agency Ranking