公开(公告)号：CN109962052A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201711404541.0

申请日：2017-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源区域的衬底；沿着平行于衬底的上表面的第一方向在衬底上延伸的多个导电线结构；在衬底上形成于所述多个导电线结构之间并连接到有源区域的多个接触插塞；分别连接到所述多个接触插塞的多个着落垫；着落垫绝缘图案，其围绕所述多个着落垫的至少一部分，并且将所述多个着落垫当中的第一着落垫与邻近于第一着落垫的第二着落垫电分离；以及导电阻挡层，其在所述多个导电线结构与所述多个着落垫之间，其中阻挡底切区域形成在着落垫绝缘图案和导电阻挡层彼此接触的部分中。

公开(公告)号：CN108695326A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810289150.7

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益 ,  张世明 ,  朴济民 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L21/71 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10882 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/7926 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891

Abstract: 本公开提供了易失性存储器件。一种易失性存储器件可以包括具有垂直侧壁的位线结构。下间隔物可以在垂直侧壁的下部分上，其中下间隔物可以由从垂直侧壁到下间隔物的外侧壁的第一厚度限定。上间隔物可以在垂直侧壁的在该下部分之上的上部分上，其中上间隔物可以由小于第一厚度的第二厚度限定，上间隔物暴露下间隔物的外侧壁的最上部分。

公开(公告)号：CN104037125B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201410076999.8

申请日：2014-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大益 ,  金冈昱 ,  金那罗 ,  朴济民 ,  李圭现 ,  郑铉雨 ,  秦教英 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L23/544 ,  H01L27/146 ,  H01L23/48 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板；形成穿过半导体基板的一部分并从第一表面朝向第二表面延伸的对准标记和连接接触；在半导体基板的第一表面上形成第一电路使得第一电路电连接到连接接触；使半导体基板的第二表面凹陷以形成暴露对准标记和连接接触的第三表面；以及在半导体基板的第三表面上形成第二电路使得第二电路电连接到连接接触。

公开(公告)号：CN103681677B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201310403824.9

申请日：2013-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄有商 ,  郑铉雨 ,  金大益

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：在基底上沿第一方向延伸的导电线和绝缘覆盖线的堆叠结构；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间具有空气空间；支撑件，设置在绝缘覆盖线和接触塞之间，以限制空气空间的高度。支撑件的宽度沿第一方向改变或者支撑件仅沿第一方向不连续地存在。在制造半导体装置的方法中，在堆叠结构的侧部上形成牺牲间隔件，使间隔件凹陷，在凹陷中形成支撑层，蚀刻支撑层以形成支撑件，然后去除间隔件的剩余部分以提供空气空间。

公开(公告)号：CN102148197B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201010618019.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大益

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10888

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。这些方法包括形成掩埋栅结构以与衬底的有源区交叉。源极区和漏极区形成在有源区中。第一导电图案形成在衬底上。第一导电图案具有构造为暴露漏极区的第一导电层孔。第二导电图案形成在第一导电层孔中以接触漏极区。第二导电图案的顶表面在比第一导电图案的顶表面低的层面。第三导电层和位线覆盖层形成在第一导电图案和第二导电图案上并被图案化以形成第三导电图案和位线覆盖图案。依次堆叠在漏极区上的第二导电图案、第三导电图案和位线覆盖图案构成第一位线结构，依次堆叠在隔离区上的第一导电图案、第三导电图案和位线覆盖图案构成第二位线结构。