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公开(公告)号：CN114823678B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202111527193.2
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括静态随机存取存储器(SRAM)，其包括设置在第一层和第二层中的多个晶体管。第一层包括在多个晶体管当中的第一晶体管的第一共享栅极和第二晶体管的第二共享栅极。第二层设置在第一层上方并且包括在多个晶体管当中的第三晶体管的第三共享栅极和第四晶体管的第四共享栅极。第三共享栅极设置在第一共享栅极上方，第四共享栅极设置在第二共享栅极上方。SRAM进一步包括第一共享接触、第二共享接触、连接第四共享栅极和第一共享接触的第一交叉联接接触、以及连接第三共享栅极和第二共享接触的第二交叉联接接触。
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公开(公告)号：CN107871739B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201710864541.2
申请日：2017-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：衬底，其包括器件有源区；鳍型有源区，其在器件有源区上从衬底突出；栅线，其交叉鳍型有源区并重叠鳍型有源区的表面和彼此相反的侧壁；绝缘间隔物，其设置在栅线的侧壁上；源极区和漏极区，其在栅线的彼此相反的侧设置在鳍型有源区上；第一导电插塞，其连接源极区或漏极区；以及封盖层，其设置在栅线上并平行于栅线延伸。封盖层包括重叠栅线的第一部分以及重叠绝缘间隔物的第二部分。第一部分和第二部分相对于彼此具有不同的成分。第二部分接触第一部分和第一导电插塞。
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公开(公告)号：CN113707658B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110850759.9
申请日：2016-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。
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公开(公告)号：CN109801971B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811345083.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113707658A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110850759.9
申请日：2016-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。
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公开(公告)号：CN110739304A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910182956.0
申请日：2019-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/07 , H01L21/8234
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间。蚀刻停止层包括由不同的材料形成的下蚀刻停止层和上蚀刻停止层。
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公开(公告)号：CN109801971A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811345083.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。
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公开(公告)号：CN109755218A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201810567838.7
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体器件及形成其的方法。该半导体器件包括在衬底上彼此间隔开并平行地线形延伸的多个有源区域。栅电极跨越所述多个有源区域，并且相应漏极区域在有源区域的位于栅电极的第一侧的相应有源区域上和/或中，相应源极区域在有源区域的位于栅电极的第二侧的相应有源区域上和/或中。漏极插塞设置在漏极区域上，源极插塞设置在源极区域上。栅极插塞在漏极插塞与源极插塞之间设置于栅电极上，使得穿过漏极插塞的中心和源极插塞的中心的直线交叉栅极插塞。
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公开(公告)号：CN107919358A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710880103.5
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76889 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：在衬底上的栅极结构；分别在衬底的邻近栅极结构的部分上的源极/漏极层；分别接触源极/漏极层的上表面的第一接触插塞；接触栅极结构中的一个的第二接触插塞，第二接触插塞的侧壁由绝缘间隔物覆盖；以及共同地接触栅极结构中的至少一个的上表面和第一接触插塞中的至少一个的第三接触插塞，第三接触插塞的侧壁的至少一部分不被绝缘间隔物覆盖。
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