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公开(公告)号：CN105324871B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201480034151.7
申请日：2014-06-25
Applicant: ITM半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及便于集成化以及小型化的电池保护电路模块封装、电池组以及具备该电池组的电子装置，所述电池保护电路模块封装具备：引线框架，其包括隔开的多个引线，并且能够通过与电池单元的电极极耳接合而电连接；电池保护电路构成元件，其安装在所述引线框架上，并包括PTC结构体；以及密封部件，以裸露所述引线框架的一部分的方式密封包括所述PTC结构体的电池保护电路构成元件。
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公开(公告)号：CN104885258B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201380066245.8
申请日：2013-12-13
Applicant: ITM半导体有限公司
Inventor： 罗赫辉 , 黄镐石 , 金荣奭 , 朴成范 , 安商勋 , 郑太奂 , 朴丞旭 , 朴载邱 , 赵显睦 , 朴慜浩 , 尹宁根 , 朱成皓 , 池永男 , 文明基 , 李铉席 , 朴志英
CPC classification number: H02J7/0031 , H01L23/49575 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01M2/34 , H01M2200/00 , H02J7/0042 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 公开的是一种电池保护模块封装(PMP)。根据本发明的实施例的电池PMP包括其上设置有多个外部端子的引线框，层叠在所述引线框上的印刷电路板，以及安置在所述印刷电路板上并且互相电连接的多个内部端子、保护集成芯片(IC)、场效应晶体管(FET)、电阻和电容器，其中，使用表面安装技术(SMT)，所述电阻和所述电容器被安装在所述印刷电路板的图案上，以及其中，所述多个内部端子被电连接到所述多个外部端子。
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公开(公告)号：CN107611936A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710545403.8
申请日：2017-07-06
Applicant: 三美电机株式会社 , ITM半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路，其具有：在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子；在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子；与MOS晶体管的栅极连接的第3端子；与MOS晶体管的背栅连接的第4端子；基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关；及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。
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公开(公告)号：CN107466432A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680017898.0
申请日：2016-02-25
Applicant: ITM半导体有限公司
CPC classification number: H01M2/34 , H01L2224/48145 , H01L2224/49175 , H01M2/30 , H01M2/345 , H01M10/425 , H01M2200/00 , H01M2200/10 , H01M2220/30 , H02H3/087 , H02H7/18 , H02J7/0029 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004 , H01M2/10
Abstract: 本发明涉及一种能够有效地防止过电流和过热，能够以低成本紧凑化实现的电池保护电路封装，其包括：第1保护电路模块，包括与电池裸单元的电极端子电连接的第1端子及第2端子、与充电器或者电子设备电连接的第3端子及第4端子、连接于所述第1端子或第2端子中的至少一个与所述第3端子及第4端子中的至少一个之间的至少一个第1晶体管以及用于控制所述至少一个第1晶体管的第1保护集成电路元件；至少一个第2晶体管，连接于所述第1端子或第2端子中的至少一个与所述第3端子及第4端子中的至少一个之间，并与所述至少一个第1晶体管串联连接；以及第2保护集成电路元件，用于控制所述第2晶体管。
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公开(公告)号：CN107104146A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610971959.9
申请日：2016-10-28
Applicant: 美格纳半导体有限公司 , ITM半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7804 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L29/1037 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/66787 , H01L29/7813 , H01L29/7827
Abstract: 本公开涉及功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：绝缘层；位于绝缘层的底部的第一导电类型掺杂层；位于第一导电类型掺杂层的底部的第二导电类型体；与绝缘层的底部相邻并且在其他区域中由绝缘膜覆盖的栅电极，该栅电极突出以穿透第二导电类型体；以及源电极，其包括位于绝缘层的顶部的第一区域和通过穿透绝缘层而与第一导电类型掺杂层接触的第二区域。
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公开(公告)号：CN103975462B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280050227.6
申请日：2012-08-20
Applicant: ITM半导体有限公司
CPC classification number: H02J7/0029 , H01L2224/48145 , H01L2224/49111 , H01L2924/19105 , H01M2/0217 , H01M2/0473 , H01M2/34 , H01M10/0525 , H01M10/4257 , H01M2010/4271 , H01M2200/00 , H01M2200/103 , H01M2200/106 , H02H1/0038 , H02H3/085 , H02H7/18 , Y02P70/54 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种电池保护电路的封装模块，并且根据本发明的电池保护电路的封装模块包括：第一内部连接端子区域和第二内部连接端子区域，其分别布置在其两个边缘部分，并且其中分别布置连接到具备裸电池的电池壳的第一和第二内部连接端子；外部连接端子区域，其与第一内部连接端子区域相邻，并且其中布置多个外部连接端子；以及保护电路区域，其包括：器件区域，其中布置形成电池保护电路的多个无源器件，以及芯片区域，其与器件区域相邻，并且其中布置形成电池保护电路的保护IC和双FET芯片，所述保护电路区域布置在外部连接端子区域和第二内部连接端子区域之间，并且具有封装结构，以使多个外部连接端子在其上表面上裸露，并且使第一内部连接端子和第二内部连接端子在其下表面上裸露。根据本发明，当与需要分开的模块制造工艺的现有方法相比较时使制造工艺最小化，并且容易地形成电池组，并且能够使电池组小型化和集成。
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公开(公告)号：CN105184346A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510502072.0
申请日：2015-06-03
Applicant: ITM半导体有限公司
IPC: G06K19/07 , H04B1/3816
CPC classification number: H02J7/0029 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004
Abstract: 本发明提供一种可安装在便携式无线设备中的识别模块卡，通过接收从电池供给的电力工作，识别模块卡包括用于检测和阻止电池过度充电、过度放电和/或过载电流的电池保护电路模块，并且电池保护电路模块的至少一部分嵌入在识别模块卡中。
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