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公开(公告)号：CN108155369B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810064130.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料的制备方法，利用生活垃圾柚子皮作为碳源，通过去有机化和增大孔径处理得到电极材料，将其浸润在活性物质的离子溶液中，使活性金属离子负载在材料的表面，然后通过煅烧将其转化为负载在多孔碳上的复合电极材料。接着再通过硫化处理使得到电极材料得到改性，获得性能更好的复合电极材料，最后又经过葡萄糖包覆以及碳化等工艺，得到性能更加稳定的类石墨烯/金属硫化物/碳复合电极材料。本发明制备方法绿色无污染，制作成本低，将生活中的垃圾柚子皮变废为宝，获得的复合材料具有优异的电化学性能，将极大促进新能源中锂电池负极材料的发展与创新。
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公开(公告)号：CN109256455B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811093385.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/46 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro‑LED显示结构及其制造方法，包括设置于一衬底表面且呈阵列排布的LED芯片阵列，设置于一透明基板上下表面的微透镜阵列以及与其一一对应的倒梯形微结构阵列，以及连接衬底和透明基板的封框体，倒梯形微结构阵列沿LED芯片的横向方向依次构成用于显示红光的R单元、用于显示绿光的G单元以及用于显示蓝光B单元。本发明利用蓝色LED芯片激发R单元内的红色/G单元内的绿色量子点层而转换为红光/绿光；同时，利用微结构中的分布式布拉格反射层，提高Micro‑LED显示出光效率，还可利用微结构中的反射层和微透镜阵列提高垂直方向的出光效率和防止相邻像素色彩干扰，从而实现一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro‑LED显示。
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公开(公告)号：CN111128813A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010063816.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种µLED巨量转移方法，首先利用光学胶将蓝膜上待转移的µLED芯片转移到临时转移基板上，然后采用超高分辨率发光点阵选择照射区域，即筛选欲转移的µLED芯片位置，有被光照的µLED芯片将与临时转移基板脱离，转移到驱动背板，没有被光照过的µLED芯片将继续留在临时转移基板，等待下一次的转移，从而实现批量的、有选择性的µLED芯片转移。
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公开(公告)号：CN107887331B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711108505.X
申请日：2017-11-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法，首先制备GaN基外延层，然后采用芯片工艺形成Micro‑LED单元器件阵列，接着制作欧姆接触层，并采用微接触印刷的方式将Micro‑LED单元器件阵列连接在CMOS或TFT背板上，最后采用激光玻璃的方式将外延层与GaN基板玻璃，并通过金属焊接、键合或微接触印刷的方式Micro‑LED单元器件阵列连接在另一基板上，形成Micro‑LED发光显示器件。与现有技术相比，本发明工艺简单、良品率高、成本低，而且可以在玻璃、硅基甚至是聚合物柔性基板上制备Micro‑LED发光显示器件。
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公开(公告)号：CN110085764B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910347188.X
申请日：2019-04-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供了一种可拉伸有机光电器件的薄膜封装方法，所述方法制得的薄膜封装结构从下至上依次设置有具有高水氧阻隔性能的可拉伸有机聚合物衬底、可拉伸有机光电器件和具有高水氧阻隔性能的无机/有机融合交叠薄膜封装层，高水氧阻隔层采用无机/有机交叠薄膜，并通过控制原子层沉积中前驱体在反应腔的浸润时间，在可拉伸有机聚合物衬底和有机薄膜层表面均形成无机填充材料，有效提升它们的水氧阻隔性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108257949B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810066208.1
申请日：2018-01-24
Applicant: 福州大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/50 , G09F9/33
Abstract: 本发明涉及一种可实现光效提取和色彩转换微米级LED显示装置及制造方法。包括设置于衬底表面呈阵列排布的若干个LED芯片、设置于LED芯片表面且与LED芯片一一对应的微结构；微结构包括倒梯形储液槽，储液槽内周侧设置有反射层；呈阵列排布的微结构与LED芯片沿横向依次构成R单元、G单元以及B单元，其中，R单元/G单元的储液槽至下而上依次设置有红/绿色量子点层以及分布式布拉格反射层，B单元储液槽至下而上依次设置有透明层以及分布式布拉格反射层；LED芯片能够发出蓝光，LED芯片发出的蓝光经红/绿色量子点层而转换为红光/绿光。本发明能够增加垂直方向光的出射；同时，能够增强出射光的强度，有效地提高微米级LED显示的色彩转换和出光效率。
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公开(公告)号：CN110690329A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910984757.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的像素单元，每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极；其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极，外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒，绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒；所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺，有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。
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公开(公告)号：CN110690246A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910982274.8
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件，其特征在于，包括从上到下依次设置的上驱动电极基板，上驱动电极、纳米LED晶粒片、下驱动电极和下驱动电极基板；还设置有交流驱动控制模块，所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极；所述纳米LED晶粒片由若干个纳米LED晶粒有序排列而成，保证放置于电极基板间时，每个纳米LED晶粒的发光层与电极基板平行，与电场方向垂直；所述上驱动电极和下驱动电极至少有一个与纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离，在交变驱动信号下，通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用非直接电学接触方法实现有序nLED发光显示，可免去微米和纳米级LED巨量转移工艺，有效地降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN110690245A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910982273.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于异形纳米LED晶粒的发光显示器件，包括从上到下依次设置的上驱动电极基板，上驱动电极、异形纳米LED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板；还设置有交流驱动控制模块，所述交流驱动控制模块两端分别连接上驱动电极和下驱动电极；所述异形纳米LED晶粒为包含非平面形状发光层的纳米LED晶粒；所述驱动电极和纳米LED晶粒之间通过绝缘介质层隔离，在交变驱动信号下，通过电磁耦合实现对所述纳米LED晶粒的点亮。本发明采用异形纳米LED晶粒，使得晶粒片放置于电极基板之间时，每个nLED晶粒的发光层总有一部分平行于电极基板，垂直于电场，大大提高电学耦合效率和发光效率。
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公开(公告)号：CN110676282A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910982320.4
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极，设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极，设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层，以及控制模块和彩色滤光膜；上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触，控制模块与上、下驱动电极电学连接，所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源，经波长下转换发光层转化为第二光源，第一、第二光源经反射层和扩散层后，经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺，及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺，缩短μLED显示制作周期，降低制作成本。
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