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公开(公告)号：CN103603018A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310500309.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 复旦大学
IPC: C25D5/18 , C25D7/12 , C25D7/04 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体互连工艺技术领域，具体涉及一种脉冲电镀方法及其应用。本发明方法包括：若干个阶段，每个阶段包括若干个周期；每个周期为施加一个正向脉冲，再施加一个反向脉冲，反向脉冲的电流大于正向脉冲的电流，反向脉宽短于正向脉宽，反向脉间和正向脉间相同；其中，每个阶段中的正向脉间和反向脉间不变；后一个阶段的正向脉间短于前一个阶段的正向脉间。其优点在于反向的脉冲电流来加速离子浓度恢复，两次脉冲之间的电流关断时间提供一个弛豫时间，并且此周期中的退镀过程也提高了镀层表面平整性。本发明方法可用于金属互连结构的制备中。
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公开(公告)号：CN103579126A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310548612.X
申请日：2013-11-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8247 , H01L21/28 , H01L27/115 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L29/42336 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种U型结构的半浮栅器件及其制造方法。本发明在U形凹槽形成后，保留原先的硬掩膜层；先通过淀积第一层多晶硅并回刻来定义出器件浮栅开口区域的位置，然后淀积第二层多晶硅；在对多晶硅进行刻蚀后，剩余的第二层多晶硅和第一层多晶硅形成器件的浮栅，之后再去除掉硬掩膜层；同时，在源漏接触区形成之后把控制栅牺牲层去除，再淀积金属栅极，使得U型结构的半浮栅器件可以集成金属栅极和高介电常数材料栅介质。本发明采用自对准工艺，过程简单且稳定，可控性强，降低生产成本，而且可以精确控制浮栅的宽度，降低器件尺寸。
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公开(公告)号：CN103579101A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310540962.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , C25D5/18 , C25D7/12
CPC classification number: H01L21/76838 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D7/12
Abstract: 本发明属于铜互连结构技术领域，具体为一种采用脉冲电镀铜方式实现铜互连的方法。本发明方法包括以下步骤：在半导体衬底上，使用等离子物理溅射法淀积介质层；使用物理溅射法溅射TaN作为扩散阻挡层，再溅射Ta作为粘附促进层；使用物理溅射法溅射铜籽晶层；将获得铜籽晶层的衬底切片成小矩形片；将所述小矩形片作为阴极，高纯度的铜棒作为阳极为进行脉冲电镀铜。其优点在于降低浓差极化，提高阴极电流密度和电镀效率，减少氢脆和镀层孔隙，提高纯度，改善镀层物理性能，所得镀层具有较好的防护性，能获得致密的低电阻率金属沉积层，具有更低的电阻率，抗电迁移能力。
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公开(公告)号：CN103474340A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310449100.8
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种利用双层绝缘层释放金属和半导体接触时费米能级钉扎的方法。本发明在金属和半导体之间插入一超薄的双层绝缘层，利用绝缘层和半导体之间形成的电偶极子以及两层绝缘层之间形成的电偶极子来拉低由于金属和半导体接触时费米能级钉扎所形成的高的肖特基势垒高度，方法简单有效，而且能够有效地释放费米能级钉扎，减小肖特基势垒高度，减小金属与半导体的接触电阻，实现欧姆接触。
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公开(公告)号：CN103472049A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310256997.2
申请日：2013-06-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明涉及分析化学技术领域，公开了一种基于空芯光纤的有机磷检测方法。本发明中，在内壁上具有纳米颗粒的空芯光纤内注入有机磷样品液，通过将激发光从空芯光纤一端入射，采用拉曼光谱采集系统在空芯光纤的另一端检测通过空芯光纤的内壁全反射以及纳米颗粒的增强之后的出射光，获得拉曼光谱，对拉曼光谱进行图谱解析，根据拉曼峰位的变化，确定有机磷的种类；根据拉曼峰强度，确定有机磷的浓度。使得在有机磷的检测中以空芯光纤作为表面增强拉曼基底，可以实现光信号的全反射，而且，光信号在空芯光纤中传播，衰减很小，几乎可以忽略，从而有更好的信号增强作用，而且其成本低廉，所需样品量极少。
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公开(公告)号：CN103295956A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310197943.3
申请日：2013-05-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/283 , C23C28/00
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路铜互连工艺技术领域，具体涉及一种利用等离子体增强原子层淀积工艺制备超薄钌薄膜的方法。本发明利用等离子体增强原子层淀积工艺，以双(乙基环戊二烯基)钌(II)为前驱体，通过调节氧气等离子体的曝光时间来得到纯钌金属。等离子体增强原子层淀积工艺可以在纳米级精确地控制钌薄膜的生长厚度，而钌薄膜具有与铜良好的黏附性和电镀时不溶于铜的优良特性，能够避免沟槽和通孔产生空洞，实现无籽晶铜电镀。
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公开(公告)号：CN103219378A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098173.7
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103000650A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210529104.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1461 , H01L27/14641 , H01L27/14649
Abstract: 本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。
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