公开(公告)号：CN105051912B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201480015918.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 阿科玛股份有限公司

Inventor： R·Y·克罗特科夫 ,  J·J·雷利

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022483 ,  C01B21/0821 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/305 ,  Y02E10/50

Abstract: 含氮TCO(透明导电氧化物)盖组合物或层可以作为盖用于TCO层(如掺杂的氧化锌)上以提供增强的耐热性、耐化学性和抗擦伤性。它还可以用于改进生成的叠层的表面平滑度。可以将该含氮TCO盖组合物或层沉积在TCO层上，使用化学气相沉积方法将该TCO层沉积在透明基底如玻璃上。该含氮TCO盖组合物或层是由至少2种不同的金属元素连同氧和氮构成，其中这些金属元素之一是liA族元素(即，B、Al、Ga、In、Tl、Uut.)。

公开(公告)号：CN106459759A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025772.3

申请日：2015-04-23

Applicant: 默克专利有限公司

Inventor： A·齐赫 ,  H·温克勒

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C01B21/0821 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6265 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/465 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7792 ,  C09K11/7793 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0041

Abstract: 本发明涉及式I化合物，MIMII3MIII3MIV3N2O12:Eu I，其中MI、MII、MIII和MIV具有如权利要求1中给出的含义之一，涉及其制备方法、这些化合物作为转换无机发光材料的用途或在发射-转换材料中的用途、这些无机发光材料在电子和光电装置(例如发光二极管(LED)和太阳能电池)中的用途，尤其涉及包含这些无机发光材料中的至少一种的照明单元。

公开(公告)号：CN105051912A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480015918.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 阿科玛股份有限公司

Inventor： R·Y·克罗特科夫 ,  J·J·雷利

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022483 ,  C01B21/0821 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/305 ,  Y02E10/50

Abstract: 含氮TCO(透明导电氧化物)盖组合物或层可以作为盖用于TCO层(如掺杂的氧化锌)上以提供增强的耐热性、耐化学性和抗擦伤性。它还可以用于改进生成的叠层的表面平滑度。可以将该含氮TCO盖组合物或层沉积在TCO层上，使用化学气相沉积方法将该TCO层沉积在透明基底如玻璃上。该含氮TCO盖组合物或层是由至少2种不同的金属元素连同氧和氮构成，其中这些金属元素之一是liA族元素(即，B、Al、Ga、In、Tl、Uut.)。

公开(公告)号：CN103347981B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180056644.7

申请日：2011-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹奉九 ,  朴友情 ,  宋元永 ,  尹瀞珢 ,  安泰敏 ,  尹喆洙 ,  金永日

IPC: C09K11/80 ,  C01F17/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0823 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种制备荧光物质的方法，所述荧光物质由式M1-zEuzSiaObNc（M=Sr1-x-yBaxCay，0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0

公开(公告)号：CN102858456B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201180007084.6

申请日：2011-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野村幸生 ,  铃木孝浩 ,  宫田伸弘 ,  羽藤一仁

IPC: B01J35/02 ,  B01J23/08 ,  B01J27/24 ,  C01G15/00 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B11/06 ,  H01M8/06

CPC classification number: H01M8/0656 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2002/85 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C25B1/003 ,  Y02E60/364 ,  Y02E60/366 ,  Y02E60/50

Abstract: 本发明的光半导体，是含有In、Ga、Zn、O和N的光半导体，具有在通式：In2xGa2(1-x)O3(ZnO)y(x和y满足0.2＜x＜1以及0.5≤y。)中、O的一部分由N置换了的组成，在所述通式中，优选x为0.5，此外优选y为1以上、6以下，更优选y为2或6。另外，本发明的光半导体，优选具有纤维锌矿型结晶构造。本发明的光半导体，可以实现更小的带隙，进行可视光的利用，并且载流子迁移率高，因此量子效率高，是优异的光半导体。

公开(公告)号：CN103946146A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280057611.9

申请日：2012-10-23

Applicant: 康奈尔大学

Inventor： F·迪萨尔沃 ,  M·杨 ,  M·麦克劳德

IPC: B82B1/00 ,  C01G1/08

CPC classification number: C01B21/0821 ,  C01B21/06 ,  C01B21/0617 ,  C01B21/062 ,  C01B21/076 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/40 ,  Y10T428/2982

Abstract: 多种介孔金属氮化物材料可以由一种方法形成，所述方法包括使用氨(或相关的含有还原剂的键合氮和氢)处理混合金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括至少一种与氨形成不稳定产物的第一金属和至少一种与氨形成稳定产物的第二金属，以形成包括所述第二金属而不包括所述第一金属的金属氮化物材料。所述方法预计形成金属氮化物材料以及金属氮氧化物材料。一种使用含有还原剂的非键合氮和氢的相关方法可以产生介孔金属氧化物。特别地，所述至少一种与氨形成不稳定产物的金属包括金属锌。

公开(公告)号：CN101935526B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010268898.2

申请日：2007-11-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 增田昌嗣 ,  寺岛贤二

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7728 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0826 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/60 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62807 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/766 ,  C04B2235/767 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  F21K9/64 ,  G02F1/1336 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明提供荧光体以及制备这种荧光体的方法，所述荧光体是基本上由通式(A)：EuaSibAlcOdNe表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体、基本上由通式(B)：MIfEugSihAlkOmNn表示的二价铕-活化的氧氮化物荧光体或基本上由通式(C)：(MII1-pEup)MIIISiN3表示的二价铕-活化的氮化物荧光体，并且光发射在比峰值波长长的可见光波长区域中的反射率为95％以上；提供氮化物荧光体和氧氮化物荧光体和制备这样的荧光体的方法，使用这样的荧光体的发光装置，通过来自半导体发光器件的波长在430至480nm的光，它们有效率并且稳定地发光；以及，提供具有稳定特性并且实现高效率的发光装置。

公开(公告)号：CN102174324B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110066517.7

申请日：2004-11-25

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 广崎尚登 ,  上田恭太 ,  山元明

IPC: C09K11/80 ,  C01B21/082

CPC classification number: C09K11/7792 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C04B35/447 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/643 ,  C09K11/646 ,  C09K11/7703 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7746 ,  C09K11/7749 ,  C09K11/7761 ,  C09K11/7764 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7783 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无机荧光体，其具有发射与用稀土元素活化的常规塞隆荧光体的情况相比具有更长波长的橙色或红色光的荧光性能。本发明涉及白色发光二极管的设计，该白色发光二极管通过采用固溶体结晶相荧光体而富含红色成分和具有良好显色性，所述荧光体使用具有与CaSiAlN3结晶相相同晶体结构的无机化合物作为基质晶体以及向其中添加M元素(其中M元素是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种或两种或多种元素)作为发光中心。

公开(公告)号：CN102395650A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080016741.9

申请日：2010-04-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： P.J.施密特 ,  M.佐伊纳 ,  W.施尼克 ,  S.帕加诺

IPC: C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7728 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/54

Abstract: 本发明涉及通式MLi2-yMgySi2-x-y­Ax+y­N­4-xOx:RE的改进的发红光材料（M=碱土金属,A=Al,Ga,B）。该材料以立方结构类型结晶，使得其可用于很多应用。

公开(公告)号：CN102300955A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005711.8

申请日：2010-01-26

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 江本秀幸 ,  川越美满 ,  野见山智宏

IPC: C09K11/64 ,  C04B35/599 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: C04B35/597 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0826 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/766 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734

Abstract: 一种α型赛隆荧光体，其特征在于，该α型赛隆荧光体用通式：(M)x(Eu)y(Si，Al)12(O，N)16表示，其中M是选自由Li、Mg、Ca、Y和除La与Ce以外的镧系元素组成的组中的、至少包括Ca的一种以上的元素，氧含量为1.2质量％以下，构成α型赛隆的初级颗粒是柱状化的，该α型赛隆荧光体在以具有250～500nm的波长的紫外线或可见光作为激发源时，显示在595～630nm范围的波长区具有峰的荧光特性。