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公开(公告)号：CN104023971A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280053719.0
申请日：2012-10-12
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C23C14/48 , C01B21/0823 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2483/16 , C23C14/0676 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供具有优异的阻气性的阻气膜及这种阻气膜的制造方法。即，在基材上形成阻气层而成的阻气膜及这种阻气膜的制造方法，阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子，将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时，从表面侧朝向基材侧包含利用XPS测定而测得的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域:按氧量＞硅量＞氮量的顺序形成的第1区域、按硅量＞氧量＞氮量的顺序形成的第2区域、按氧量＞硅量＞氮量的顺序形成的第3区域。
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公开(公告)号：CN103476580A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280016816.2
申请日：2012-03-29
Applicant: 三菱树脂株式会社
CPC classification number: C01F7/02 , C01B21/0823 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C28/04 , G02B1/105 , G02B1/14 , H01L31/049 , Y02E10/50 , Y10T428/1036 , Y10T428/1045 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种阻气叠层膜以及阻气叠层膜的制造方法，所述阻气叠层膜是在基体材料膜的至少一面形成一层或多层无机薄膜层而成的，其中，所述无机薄膜层中所述基体材料膜侧的第一层是通过对向靶溅射法成膜而得到的；所述阻气叠层膜的制造方法是在基体材料膜的至少一面形成一层或多层无机薄膜层的阻气叠层膜的制造方法，该方法包括：通过对向靶溅射法成膜所述无机薄膜层中所述基体材料膜侧的第一层。本发明的阻气叠层膜及阻气叠层膜的制造方法对于待成膜无机薄膜层的基体材料膜、特别是对于树脂膜的损伤少，可形成致密性高的无机薄膜层，且阻气性高。
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公开(公告)号：CN103237759A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180057926.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 国立大学法人新泻大学 , 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7734
Abstract: 一种结晶性物质，其由M12a(M2bLc)M3dOyNx表示，其中，M1是选自碱金属中的至少一种元素，M2是选自Ca、Sr及Ba中的至少一种元素，M3是选自Si及Ge中的至少一种元素，L是选自稀土类元素、Bi及Mn中的至少一种元素，a为0.9～1.5，b为0.8～1.2，c为0.005～0.2，d为0.8～1.2，x为0.001～1.0，y为3.0～4.0以下。
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公开(公告)号：CN104023971B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280053719.0
申请日：2012-10-12
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C23C14/48 , C01B21/0823 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2483/16 , C23C14/0676 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供具有优异的阻气性的阻气膜及这种阻气膜的制造方法。即，在基材上形成阻气层而成的阻气膜及这种阻气膜的制造方法，阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子，将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时，从表面侧朝向基材侧包含利用XPS测定而测得的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域:按氧量＞硅量＞氮量的顺序形成的第1区域、按硅量＞氧量＞氮量的顺序形成的第2区域、按氧量＞硅量＞氮量的顺序形成的第3区域。
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公开(公告)号：CN103347981A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180056644.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种制备荧光物质的方法，所述荧光物质由式M1-zEuzSiaObNc（M=Sr1-x-yBaxCay，0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1268099A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN98808408.2
申请日：1998-08-05
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: C01B15/14 , C04B33/32 , C04B35/597 , B05D3/02
CPC classification number: C01B21/0823 , C23C16/308
Abstract: 一种氧氮化硅的制造方法,它包括下列步骤:形成选自硅氮烷和硅氧氮烷的化合物的气化气流;提供加热的密闭反应段;将气化气流输送至氧含量严格控制的该加热的密闭反应段,形成氧氮化硅颗粒。
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公开(公告)号：CN105980323A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480062442.7
申请日：2014-09-12
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: C03C17/3435 , C01B21/068 , C01B21/072 , C01B21/0823 , C01B21/0825 , C03C3/091 , C03C17/22 , C03C17/225 , C03C21/002 , C03C2217/28 , C03C2217/281 , C03C2217/78 , G01N3/42 , G01N2203/0098 , H04M1/185 , Y10T428/30
Abstract: 本申请公开了一种多层式基材，其实施方式包含基材和设置于所述基材之上的层，其中，当将所述多层式基材装配于装置中并使所述装置从至少100cm的高度坠落至坠落表面上时，所述多层式基材能够承受所述坠落而不发生破裂。所述多层式基材的硬度可至少为大约12GPa或至少为大约20GPa。所述基材可包含无定形基材或晶体基材。无定形基材的例子包括玻璃，所述玻璃可选地经过化学强化。晶体基材的例子包括单晶基材(例如蓝宝石)和玻璃陶瓷。本申请还公开了包含所述多层式基材的制品和/或装置，以及这些装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN103347981B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180056644.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种制备荧光物质的方法，所述荧光物质由式M1-zEuzSiaObNc（M=Sr1-x-yBaxCay，0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0
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公开(公告)号：CN103702933A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201180071757.4
申请日：2011-06-22
Applicant: AZ电子材料IP(日本)株式会社
IPC: C01B21/082 , G03F7/11 , H01L21/318
CPC classification number: G02B1/113 , C01B21/0823 , C08G77/12 , C08G77/56 , C09D183/16 , C23C18/1204 , C23C18/1216 , C23C18/122 , C23C18/14 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/0214 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供了一种制备氮氧化硅膜的方法，其能降低能量成本；还涉及一种具有通过使用该制备方法制备的氮氧化硅膜的衬底。所述方法包括如下步骤：通过用包含聚硅氮烷化合物的成膜组合物涂覆衬底表面以在衬底表面上形成涂层；移除所述涂膜中所含的过量溶剂；然后在从所述涂膜中移除溶剂后，将所述涂膜在低于150℃的温度条件下暴露于紫外辐射中。
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公开(公告)号：CN101175835A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200680017011.4
申请日：2006-05-24
Applicant: 三菱化学株式会社 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC: C09K11/64 , C09K3/00 , C09K11/08 , H01J5/08 , H01L33/00 , H01S5/022 , H01J1/63 , H01J11/02 , H01J29/20 , H01J31/15
CPC classification number: C09K11/0883 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01B21/0823 , C01B21/0826 , C04B35/581 , C04B35/593 , C04B35/597 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/386 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3895 , C04B2235/40 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/761 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7792 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及荧光体及其应用，所述荧光体表现出高辉度的发光，是优异的橙色或红色的荧光体，并且当将其曝露于激发源时其辉度的降低少。该荧光体含有具有下述通式[1]所示的化学组成的结晶相，所述通式[1]中，Ln’是选自镧系元素、Mn和Ti的金属元素，MII’是Ln’元素以外的2价金属元素，MIII’是3价金属元素，MIV’是4价金属元素，A是选自Li、Na和K的金属元素，0＜p≤0.2、0≤a、0≤b、a+b＞0、0≤n并且0.002≤(3n+2)a/4≤0.9。(1－a－b)(Ln’pMII’1－pMIII’MIV’N3)·a(MIV’(3n+2)/4NnO)·b(AMIV’2N3)…[1]。
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