-
公开(公告)号：CN115504469B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202211165938.X
申请日：2022-09-23
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: C01B32/40
Abstract: 蒸气以提高光催化剂表面的电导率，进而共同实本发明涉及一种水辅助等离子体与光催化 现CO2向CO的高效转换。剂协同转化二氧化碳的系统及方法，属于CO2综合利用技术领域。本发明提供了一种水辅助等离子体与光催化剂协同转化二氧化碳的方法，该方法如下：将CO2集气瓶中的CO2通过气体流量计调节流量，CO2再通过鼓泡器进气口端进入鼓泡器中，鼓泡器的加热温度和通入CO2的气体流量共同调节水蒸气流量，CO2携带水蒸气从鼓泡器出气口端进入填充有光催化剂的等离子体反应装置中进行反应，产生的CO通过气体接收装置收(56)对比文件Qiang Huang et al..Carbon DioxideConversion Synergistically Activated byDielectric Barrier Discharge Plasma andthe CsPbBr3@TiO2 Photocatalyst《.J. Phys.Chem. Lett.》.2022,第13卷第2419页第3段；第2424页第4段和图9.Chunling Wang et al..Recent progressin visible light photocatalyticconversion of carbon dioxide《.Journal ofMaterials Chemistry A》.2018,第7卷第867页第2段、第5-6段.
-
公开(公告)号：CN114890444B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210615270.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种制备无铅含Te双钙钛矿微米晶的反溶剂制备方法及其产品，属于双钙钛矿微米晶制备技术领域。本发明公开了一种制备无铅含Te双钙钛矿微米晶的反溶剂制备方法，主要是以CsCl、TeCl4和甲醇为原料制备无铅含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)。本发明的反溶剂制备方法具有简单、易操作的优点，制备过程中对设备要求不高、低成本、低能耗，适合扩大化生产；同时制备得到的无铅含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)结构极其稳定、尺寸均匀、有较强的吸收能力，具有稳定好和发光好的特点，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN114887635B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210615265.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅稳定的含Te双钙钛矿微米晶及其制备方法和应用，属于钙钛矿微米晶制备技术领域。本发明公开了一种无铅稳定的含Te双钙钛矿微米晶，该含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)具有良好的晶体结构且结构极其稳定，平均粒径为5～8μm、尺寸均匀、有较强的吸收能力；同时具有稳定性好、发光好的特点。另外该含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)的合成方法简单、易操作、对设备要求不高，具有低成本、低能耗的特点，适合扩大化生产；该含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)具有良好的光催化还原CO2能力，其产物有CO生成的同时，还伴有CH4的生成，具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115041200A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210892359.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种转化二氧化碳的光催化剂及其制备方法和应用，属于二氧化碳转化技术领域。本发明公开了一种转化二氧化碳的光催化剂，该光催化剂是以二硫化铼(ReS2)纳米材料为生长基底，然后将Cs2PtI6生长在二硫化铼(ReS2)纳米材料表面形成的Cs2PtI6/ReS2复合材料，本发明的光催化剂能够在可见光照射下催化二氧化碳的转化，且制备方法简单、重复性高、不需要复杂的反应控制条件，可进行大批量生产，有利于该光催化剂的工业化应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114887635A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210615265.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅稳定的含Te双钙钛矿微米晶及其制备方法和应用，属于钙钛矿微米晶制备技术领域。本发明公开了一种无铅稳定的含Te双钙钛矿微米晶，该含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)具有良好的晶体结构且结构极其稳定，平均粒径为5～8μm、尺寸均匀、有较强的吸收能力；同时具有稳定性好、发光好的特点。另外该含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)的合成方法简单、易操作、对设备要求不高，具有低成本、低能耗的特点，适合扩大化生产；该含Te双钙钛矿微米晶(Cs2TeCl6)具有良好的光催化还原CO2能力，其产物有CO生成的同时，还伴有CH4的生成，具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112420830B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011409291.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、In0.53Ga0.47As盖帽层、In0.52Al0.48As肖特基势垒层、In0.52Al0.48As间隔层、In0.7Ga0.3As沟道层、In0.52Al0.48As缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在In0.52Al0.48As肖特基势垒层和In0.7Ga0.3As沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
-
公开(公告)号：CN113078625A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110314789.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02H9/04 , H02H7/20 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
-
公开(公告)号：CN113042049A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110287345.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体光催化剂及其制备方法和应用，属于光电催化剂技术领域。该半导体光催化剂由ReS2与泡沫Cu2O/Cu复合而成，该催化剂能够在光照下提升光生载流子的分离速度，从而提升光催化还原CO2的效率，对解决CO2过多排放所造成的环境问题和能源危机具有良好实际应用前景，且该催化剂合成方法简单，易操作，对设备要求不高，低成本，低能耗，适合扩大化生产。
-
公开(公告)号：CN216852991U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122779255.0
申请日：2021-11-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H05K13/04
Abstract: 本实用新型请求保护一种集成电路加工用贴片装置，涉及集成电路板加工设备技术领域。本实用新型包括操作台，所述操作台的上方安装有承载板，所述承载板上构造有多个用于卡放机壳且限制其位置的凹槽，所述承载板的一侧竖直向安装有导向机构，所述导向机构外滑动设置有操作板，所述操作板对应所述凹槽处构造有操作槽，所述操作槽的内底壁安装有夹持半导体晶片的夹持机构。本实用新型通过夹持机构来夹持半导体晶片，来避免人工拿半导体晶片片时因手部晃动，半导体晶片片被机壳侧壁磕碰到，导致产生次品的问题，其次操作板带动夹持机构向着承载板运动时为机械动作，使其速度与精度远优于人工操作，因此大大的增加了贴片效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.03 seconds)
