公开(公告)号：CN118136670A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410329606.3

申请日：2024-03-21

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 徐向涛 ,  俞齐声 ,  陈文锁 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种包含肖特基接触超级势垒整流器的功率半导体器件。包括漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的重掺杂第一导电类型衬底层和轻掺杂第一导电类型漂移区，所述轻掺杂第一导电类型漂移区上设置有第一导电类型传导区域，所述第一导电类型传导区域上设置有第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域，所述第一导电类型传导区域位于所述第二导电类型阳极区域和第二导电类型栅极体区域之间。相比于现有肖特基源极垂直金属氧化物半导体场效应晶体管，在抗单粒子烧毁性能不恶化的条件下，本发明具有低的第三象限二极管开启电压，改善了反向恢复性能。

公开(公告)号：CN116995103A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310826379.0

申请日：2023-07-05

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 ,  重庆大学

Inventor： 陈文锁 ,  张澳航 ,  徐向涛 ,  张成方 ,  王航 ,  张力

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 本申请提供一种抗单粒子加固功率器件包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；第一阳极区设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述第一阳极区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；第二阳极区设置于所述第一阳极区背离所述第一导电类型衬底层的一侧。本申请在正向导通时，第一阳极区、第二阳极区以及阳极结构之间形成空穴导通通道，在反向工作状态时，该区域可以为空穴提供通道，使得空穴流出器件，从而降低单粒子栅穿的风险，提升器件的抗单粒子辐射性能。

公开(公告)号：CN117920916A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311822370.9

申请日：2023-12-27

Applicant: 重庆大学

Inventor： 周杰 ,  刘左发 ,  王航 ,  谢静 ,  罗恒军 ,  向伟 ,  邓余

IPC: B21J1/00 ,  B21J5/00

Abstract: 本发明主要涉及一种提高钛合金T型截面锻件准β锻变形均匀性的方法，包括步骤1：在常规长方体板坯上增加凹坑结构和凸包结构；步骤2：通过仿真软件对改进后的坯料进行准β锻成形数值模拟；步骤3：对改进后的坯料进行准β锻成形加工。凹坑结构能够使金属材料以“反向变形”的方式流入筋条处模具型腔，从而增大钛合金T型截面锻件筋条成形区域的变形量；凸包结构能够增加锻件筋条成形的对向区域的金属材料，利用“反向变形”的方式使此区域的变形量增大。采用改进后的坯料能够显著增大钛合金T型截面锻件筋条成形区和筋条成形的对向区域准β锻的变形量，使锻件准β锻的变形均匀性得到有效提高。

公开(公告)号：CN117718426A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311822376.6

申请日：2023-12-27

Applicant: 重庆大学

Inventor： 周杰 ,  刘左发 ,  王航 ,  谢静 ,  罗恒军 ,  向伟

IPC: B21J13/02 ,  B21J5/00 ,  B21J5/02

Abstract: 本发明主要涉及一种大型长条锻件分段渐进式锻造成形模具及成形方法，所述模具包括对向设置的上模和下模，上模和下模接触坯料一侧的接触面设置有倾斜于接触面的斜坡过渡结构。成型方法包括步骤1：将上模和下模预热后安装至压机工作台面；步骤2：将加热完成的金属坯料放入下模的型腔中，根据锻件长度和模具长度确定锻件进行分段变形加工的次数，然后沿锻件的轴向方向依次对坯料进行分段变形加工，直至完成锻件整体的成形加工。采用本发明所述的大型长条锻件分段渐进式锻造成形模具及成形方法，与现有技术相比能显著减小大型长条形状的锻件分段交错位置的弧形凹陷深度，使大型长条形锻件分段交错位置的金属流线分布均匀。