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公开(公告)号：CN111221670A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911001645.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F11/07
Abstract: 本发明涉及一种缓解检测冲突的单粒子软错误防护设计方法：(1)将待处理程序系统划分成模块节点，确定状态跳转无向连通图；(2)设置前驱节点的对等标签存储位，根据预先设置的规则，利用对等标签区分后继节点存在的状态跳转命名冲突；(3)确定状态跳转无向连通图中的长、圈以及对应的模块节点；(4)根据圈中模块节点数目的奇偶性结合图论定义，确定产生对等标签分配互斥情况的圈，并在该圈内，任选一个节点在其与前驱模块节点之间插入与功能无关的模块节点，形成迹并得到新的状态跳转无向连通图；(5)重构状态跳转执行流图；(6)通过插入比较检测错误指令的方式进行状态跳转错误检测，对发生状态跳转故障的模块节点进行故障恢复。
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公开(公告)号：CN107918097B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201710984897.X
申请日：2017-10-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01R31/3185 , G01J5/22
Abstract: 一种实现可变LET值的系统功能中断截面自适应拟合方法，包括在饱和LET阈值范围内，对电路内部电路模块防护设计架构下的任意LET值系统功能中断截面拟合以及针对系统级防护架构下的定点LET值系统功能中断截面拟合两部分；两部分内容均利用已知试验数据，在饱和LET阈值内，拟合得到指定LET值下的系统功能中断截面值，减少通过单粒子辐照试验获取数据的依赖性，可缓解试验机时供需紧张问题，优化了单粒子试验过程，提升了系统抗SEU评估效率。
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公开(公告)号：CN103886158B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410126616.3
申请日：2014-03-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种抗单粒子闩锁效应的标准单元设计方法，步骤如下：（1）在标准单元版图中进行阱接触保护带设计，即在标准单元版图中与阱接触相连并伸出到晶体管有源区两侧的区域设为保护带，并且在阱接触保护带上多打接触孔；（2）减小阱接触保护带的间距，阱接触保护带的间距（dWC）最大不超过4um（；3）增大NMOS和PMOS有源区的间距，NMOS和PMOS有源区的间距（dAA）不小于0.69um（；4）减小阱接触保护带距MOS管源极的距离，根据SMIC013MMRF工艺的设计规则，采用的第1、2和3层金属的节宽均为0.4μm，采用的单元高度为4.0μm，相当于10个金属层的节宽。本发明实现了抗单粒子闩锁效应的加固设计，代价小、易实现、可靠性高。
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公开(公告)号：CN106328195A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610695813.6
申请日：2016-08-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G11C11/413 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/413 , G11C11/417
Abstract: 本发明一种抗单粒子翻转的SRAM，包括用基本存储单元构建的单bit存储阵列、行预译码电路、行二级译码电路、列预译码电路、列二级译码电路、灵敏放大电路、时序控制电路、读写控制电路、IO电路、EDAC时钟控制电路、EDAC编码电路、EDAC译码电路、EDAC输入输出电路；本发明将EDAC电路和SRAM电路设计成一个整体，通过合理设计内部时序控制电路，使得数据从读写到纠检错的编译码以及数据采样在一个时钟周期内完成，降低数据读写访问时间，满足工作时钟频率不小于200MHz的时序要求。
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公开(公告)号：CN104135240A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410352815.6
申请日：2014-07-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种基于环路反馈系数的全差分运放应用电路确定方法，主要解决了全差分运放应用中特有的双反馈环路难以设计和匹配的问题。步骤为：(1)化简电路，等效出前馈阻抗和反馈阻抗；(2)计算反馈网络的环路反馈系数；(3)以反馈系数为基础建立应用电路的小信号等效模型(4)利用步骤(3)中得到的模型，一次性得到应用电路共模噪声，差模增益，输入阻抗的计算公式。本发明具有简化电路设计过程，降低电路设计和匹配难度的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102299737A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110244405.6
申请日：2011-08-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种多路快跳频信号处理方法，包括对以4N/Tb的采样率获得的采样序列进行预处理，形成两个4N点序列并分别进行FFT变换的步骤；对预处理后序列进行解调和参数估计的步骤。采用本发明在保证算法精度的同时大大的减少了运算规模，降低了星上处理复杂度。
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公开(公告)号：CN109257042A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811102791.3
申请日：2018-09-20
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03L7/099
Abstract: 一种缓解SET效应的VCO环振电路，该环振电路为双环振结构，包括第一环振和第二环振，第一环振和第二环振中任一节点的输入均分别来自于第一环振和第二环振，当由于SET效应导致第一环振或第二环振中的任一节点输入电压发生跳变时，由另一个环振所提供的对应节点的输入电压保持正常。本发明提出的交叉耦合型双环VCO，使用双差分输入结构，使得每条环振电路可以抵消另一条环振在遭受SET时所产生的影响，可以有效的降低SET对VCO振荡频率的影响，提高了电路对SET的防护能力。
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公开(公告)号：CN106847332A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611203359.4
申请日：2016-12-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G11C11/412 , G06F17/50
Abstract: 一种低资源消耗的SRAM存储单元SEL加固方法，首先对SRAM存储单元使用阱接触隔离NMOS管与PMOS管，对PMOS管采用未封口保护环进行加固，使用未封口保护环连接PMOS管的源级，然后对SRAM存储单元中的NMOS管采用非U型保护带方式进行加固，在满足工艺规则的前提下在未封口保护环与非U型保护带上多打接触孔；调整SRAM存储单元中PMOS管采用的未封口保护环与NMOS管采用的非U型保护带的间距，最后优化PMOS管和NMOS管有源区的距离；在SRAM存储单元中的NMOS管区域加上NC层，提高NMOS管的阈值电压。本发明与现有技术相比，具有面积开销低、布线资源消耗低，降低SRAM中由存储单元构成的存储阵列的资源消耗的优点，具有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN103888106A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410126618.2
申请日：2014-03-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03K3/3562
Abstract: 一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器设计方法，包括电路加固设计和版图加固设计，其中电路加固设计，基于DICE结构，采用0.13um体硅CMOS工艺，设计带延迟滤波的冗余时钟DICE触发器电路；版图加固设计中增加DICE触发器电路中存储节点之间的距离和减小漏区面积。本发明避免了时钟交叠发生，并减小功耗开销，进一步提升了触发器单元抗SEU/SET的能力，实现代价小、可靠性高。
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公开(公告)号：CN103680639A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310635260.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G11C29/44
Abstract: 一种随机存储器的周期性自检错恢复方法，可对随机存储器进行容错和纠错设计。方法首先将随机存储器进行冗余处理，设计判决模块对冗余的输出结果进行三取二判决和一致性比较，判决结果做为纠错输入，一致性比较结果作为纠错使能。同时地址产生模块周期性产生存储器读取地址实现检错控制。本发明可为易由于外因（例如空间辐射环境）而产生错误的随机存储器提供一种检错和纠错的方法，改变传统冗余容错技术的错误累积失效问题，纠错能力不受纠检错算法限制，有效的对存储器进行防护。
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