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公开(公告)号：CN113552772B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010325531.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种变光阑数据处理方法，如下步骤：获取三维模型；沿三维模型的竖直方向将三维模型分切成M层；将分切后的每一层再沿竖直方向分切成N层，以获取若干层二维图像数据；将N层中的每层二维图像数据转换为单色位图并将其分割成若干等份单元格图像；每个单元格图像的宽度为UnitX，高度为UnitY；对N层中的若干等份单元格图像进行错位重组以形成若干个基础长条带图像数据；将M层中的若干个基础长条带图像数据拼接后形成新的长条带图像数据，并将新的长条带图像数据上载至成像设备进行逐条带扫描光刻；其中，M及N为正整数。本申请的方法在光刻胶曝光成三维模型的过程中，图形不受限，方向不受限，被打印的三维模型的形状也不受限，方便快捷。
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公开(公告)号：CN111427237A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910024456.4
申请日：2019-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。
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公开(公告)号：CN114913558B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202110179851.7
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及的一种微透镜阵列成像组件的制备方法，包括：S1、提供微透镜阵列组件，微透镜阵列组件包括基底和形成在基底正面的若干微透镜单元，若干微透镜单元形成微透镜阵列；S2、在基底的背面制备若干遮光部，遮光部由挡光材料形成，遮光部正对微透镜单元的位置布置；S3、在正面涂覆黑色光阻材料，黑色光阻材料为负性感光材料；S4、对背面进行紫外泛曝光；S5、溶解去除涂覆在微透镜单元上的黑色光阻材料；S6、去除遮光部。本申请通过在基底的正面涂覆黑色光阻材料、在基底的背面精准的涂覆挡光材料,并在基底的背面进行紫外泛曝光，从而制备得到在微透镜单元的间隙上精确覆盖黑色光阻材料的高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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公开(公告)号：CN111290217B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201811489966.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种用于光刻基片的承载台，包括基片承载部件，基片承载部件包括至少一个用于放置基片的放置区，放置区一侧设有至少两个标识放置结构，用于放置对位标识元件。本发明还公开一种光刻机，包括上述承载台、用于连接该承载台的工作台，工作台包括固定平台、调节转台，调节转台底部连接固定平台，调节转台顶部连接上述用于光刻基片的承载台，用于调节上述承载台上基片的角度。本发明还公开一种基片光刻方法，通过上述光刻机光刻放置在上述承载台上基片的正方两面。通过标识放置结构，使带有标识的元件可以重复使用，无需在每块待刻的基片上写入对位标识，简化了制作流程，节约了成本。
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公开(公告)号：CN109407479B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201710713385.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种激光直写对焦装置，包括微调机构、承载平台和成像系统，微调机构与承载平台相对设置，微调机构包括微调驱动器、活动架和位移传感器，成像系统包括直写镜头，微调驱动器、位移传感器、直写镜头分别与活动架连接。本发明的激光直写对焦装置能保证直写镜头与光刻板的距离在直写镜头的焦深范围内，能解决光刻板厚度变化较大的情况下无法自动对焦的问题。本发明还涉及一种激光直写对焦方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114519870A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011279520.2
申请日：2020-11-16
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州迈塔光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光学图像采集单元、其制作方法、光学图像采集器件及电子设备。该光学图像采集单元通过上层遮光区和下层遮光区的配合，使其在结构上无需设置挡墙，与现有技术相比，整体厚度更小，结构相对简单；另外，通过下层遮光区还可以进一步减小散光的干扰，上层遮光区及下层遮光区结合可避免杂散光干扰，提高图像采集精度。该光学图像采集单元的制备方法通过制作上层遮光区和下层遮光区来实现挡光的作用，并且，下层遮光区的下开口直接通过激光结合微透镜即可实现，与现有技术相比，制作简单。
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公开(公告)号：CN113552772A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010325531.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种变光阑数据处理方法，如下步骤：获取三维模型；沿三维模型的竖直方向将三维模型分切成M层；将分切后的每一层再沿竖直方向分切成N层，以获取若干层二维图像数据；将N层中的每层二维图像数据转换为单色位图并将其分割成若干等份单元格图像；每个单元格图像的宽度为UnitX，高度为UnitY；对N层中的若干等份单元格图像进行错位重组以形成若干个基础长条带图像数据；将M层中的若干个基础长条带图像数据拼接后形成新的长条带图像数据，并将新的长条带图像数据上载至成像设备进行逐条带扫描光刻；其中，M及N为正整数。本申请的方法在光刻胶曝光成三维模型的过程中，图形不受限，方向不受限，被打印的三维模型的形状也不受限，方便快捷。
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公开(公告)号：CN113515021A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110667771.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构。所述三维微纳形貌结构包括:基体；形成于所述基体上的至少一个三维微纳形貌单元，其中每个三维微纳形貌单元包括至少一个视觉高点，所述每个三维微纳形貌单元包括复数个从视觉高点开始斜坡形貌斜率按预设规律变化的环带。所述三维微纳形貌结构具有非常逼真的立体视觉。
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公开(公告)号：CN113269842A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010096447.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种图形光栅化方法、装置及存储介质，属于图像处理技术领域，该方法包括：获取待光栅化目标；确定待光栅化目标中重复个数大于或等于预设个数的目标图形；对目标图形进行光栅化处理得到光栅化图形；对光栅化目标进行裁切得到多个裁切区域；对于每个裁切区域，在裁切区域包括目标图形时读取目标图形对应的光栅化图形；可以解决对重复的目标图形均进行一次光栅化会浪费电子设备的资源，降低图形光栅化效率的问题；解决同一文件中相同图形一致性问题，使得线宽一致性得到了保证。由于对于重复的目标图形只需要进行一次光栅化过程，后续只需要调用光栅化图形即可，因此可以提高光栅化效率，节省设备资源。
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公开(公告)号：CN112684677A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110270751.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构及其制备方法。所述制备方法包括：提供三维模型图；将所述三维模型图在高度方向上进行划分，获得至少一个高度区间；将三维模型图在平面上进行投影得到映射关系，映射关系包括三维模型图上每个点对应在平面上的坐标，三维模型图上每个点的高度对应高度区间里的高度值，根据所述映射关系，将映射关系与曝光剂量进行对应，基于所述曝光剂量进行光刻。这样，可以得到任意三维微纳形貌结构。
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